可視及び近赤外自由電子レーザー励起による単層カーボンナノチューブの成長中カイラリティ制御

摘要

単層カーボンナノチュブ(SWNT)を電界効果素子のチャネル層として利用するために、半導体SWNTのカイラリティ制御を目指している。化学気相成長(CVD)法により、カーボンナノチコザ(CNT)を成長中、自由電子レザー(FEL)照射することで、照射波長を共鳴的に吸収する半導体SWNTのみが成長促進されると考えている。励起波長532mm、785nmのRaman散乱スペクトルより、FEL未照射では、直径1.07～1.50nmの金属CNT、半導体CNTが混在していたが、800nmのFEL照射によって、半導体SWNTのみが成長していることがわかった。可能性のあるカイラリティは、28種類から5種類((14,0),(10,6),(9,7),(11,4),(10,5))に限定されることがわかった。