トレンチIGBTの異物管理技術

摘要

スイッチングデバイスであるトレンチIGBTでは，電流のON/OFFを制御するトレンチゲートの形成が重要である。トレンチゲートは，シリコン基板に深いトレンチ形状を加工するドライエッチングプロセスによって形成される。このトレンチ形成工程で異物が発生すると，トレンチ形状が崩れ，電気的不良となる。つまり，異物を管理する技術は，トレンチIGBTの生産性向上に不可欠の技術である。本稿では，トレンチIGBTの開発及び量産に必要な異物管理技術として，“トレンチピッチの微細化によって新たに管理が必要となった異物の低減技術”と“異物発生工程の特定を短時間化できる工程解析用TEG（Test Element Group）技術”について述べる。