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ベースバンド変復調LSIの低消費電力化技術

机译:用于基带调制/解调LSI的低功耗技术

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摘要

W-CDMA (Wideband-Code Division Multiple Access) 携帯電話機向けに,低消費電力なベースパンド変復調LSI を開発した。 D900iに適用し,音声/テレビ電話の連続通話時間は約170/90分,静止/移動時の連続待受時間は約550/420時間を達成している。 このLSIは,D2101Vに適用したベースバンド変復調LSIチップセットと同様なアーキテクチャを採用し,低消費電力化を課題として最適化設計を行った。 このLSIには0.15μmの低リーク半導体プロセスを用い,10.6mm角のシリコンチップ上に,AFE (Ana- log Front End),CPU (Central Processing Unit),2個のDSP (Digital Signal Processor),及びハードウェアアクセラレータを集積した。 そのチップを15mm角,513ボールのFBGA (Fine pitch Ball Grid Array)パッケージに搭載し,外部メモリ(32MビットのFlash ROMと32MビットのPSRAMをスタック搭載)と2パッケージでW-CDMA携帯電話機のベースバンド変復調処理が実現できる。
机译:我们已经开发了一种用于W-CDMA(宽带码分多址)手机的低功率基pand调制/解调LSI。适用于D900i,语音/可视电话的连续通话时间约为170/90分钟,静止/移动时的持续待机时间约为550/420小时。该LSI采用与应用于D2101V的基带调制/解调LSI芯片组相同的架构,并进行了优化和设计,并降低了功耗。该LSI使用0.15μm的低泄漏半导体工艺,并在10.6毫米见方的硅芯片上使用AFE(模拟前端),CPU(中央处理单元),两个DSP(数字信号处理器)和集成硬件加速器。该芯片安装在15平方毫米,513球的FBGA(精细间距球栅阵列)封装中,是W-CDMA移动电话的基础,具有外部存储器(堆叠的32 Mbit Flash ROM和32 Mbit PS RAM)和2个封装。可以实现频带调制/解调处理。

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