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今年はGaAs10%成長,InP5~10%増予想携帯電話,光通信市場向け伸び期待

机译:GaAs今年增长10%,InP增长5-10%,预计手机和光通信市场增长

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摘要

今年(2007年)度の化合物半導体材料市場はガリウムヒ素(GaAs)が10%前後の成長,ガリウムリン(GaP)は横ばい,インジウムリン(InP)は5~10%成長と業界関係者は見込んでいる。 新機能化合物半導体懇談会(会長:松井正好·住友金属鉱山電子事業本部結晶材料部長)がまとめた2006年度(2006年4月~2007年3月)の化合物半導体材料総出荷額は509億円,前年比8%増となった。 うち内需が230億円,同4%減,輸出が279億円,同20%増と明暗を分けた。 輸出比率が55%と前年(49%)より6ポイント上回り,初めて50%を担えた。 GaAs出荷は2000年度404億円をピークに年毎に下がり続けてきたが,2005年度以降回復している。しかし,GaPは1999年度の175億円をピークに下がり続けている。 InPも2000年度のピーク79億円から2002年度には23億円に下がったが,2006年度は29億円まで回復している。
机译:业内人士预计,在今年(2007年)的化合物半导体材料市场中,砷化镓(GaAs)增长约10%,镓磷(GaP)增长平稳,铟磷(InP)增长5%至10%。有。由新功能化合物半导体圆桌会议(董事长:住友金属矿产电子业务总部晶体材料事业部总经理松井正敏)编制的2006财年(2006年4月至2007年3月),化合物半导体材料的总出货额为509亿日元。它比上一年增长了8%。其中,国内需求为230亿日元,同比下降4%,出口为279亿日元,同比增长20%。出口比例为55%,比上年(49%)高出6个百分点,并且首次能够承受50%。 GaAs的出货量在2000年达到404亿日元的峰值,并逐年下降,但自2005年以来一直在回升。然而,GaP在1999年达到了175亿日元的峰值,并持续下降。 InP也从2000年的79亿日元的峰值下降到2002年的23亿日元,但到2006年已恢复到29亿日元。

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