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誘電損失法によるハロゲン化銀徴結晶の空間電荷層の研究(I)イオン伝導度の銀イオン空孔支配領域を有する2重構造粒子の誘電損失応答

机译:用介电损耗法研究卤化银晶体的空间电荷层(I)具有银离子空位为主的离子导电性的双结构粒子的介电损耗响应

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摘要

従来,ハロゲン化銀粒子のイオン伝導度測定に,誘電損失法及びMaxwell-Wagner理論が用いられてきた.本報告では誘電損失法を2重構造粒子に拡張するため,Ir~(3+)イオンドープによりイオン伝導度の異なる核部と殻部を有する2種類の臭化銀立方体粒子を作製し,その誘電損失応答を測定した.結果の解析に,マイクロカプセルや細胞等の系に用いられてきたPauly-Schwan/Hanai理論を適用した.
机译:传统上,采用介电损耗法和麦克斯韦-瓦格纳理论来测量卤化银颗粒的离子电导率,在本报告中,使用Ir〜(3+)离子将介电损耗法扩展到双结构颗粒。掺杂制备了两种离子电导率和壳型不同的溴化银立方颗粒,并测量了其介电损耗响应。为了分析结果,我们应用了Pauly-Schwan / Hanai理论,该理论已用于微胶囊和细胞等系统。

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