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机译:适用于IR-UWB应用的6-7 GHz,40 dB接收器RF前端,在0.13μmCMOS中具有4.5 dB的最小噪声系数
IIP3; IR-UWB; low-noise amplifier; noise figure; variable gain amplifier; wideband receiver;
机译:适用于IR-UWB应用的6-7 GHz,40 dB接收器RF前端,在0.13μmCMOS中具有4.5 dB的最小噪声系数
机译:低功耗SiGe BiCMOS 190 GHz接收器,具有47dB的转换增益和11dB的噪声系数,适用于超大带宽应用
机译:高达40 GHz的硅上GaN晶体管的亚1dB最小噪声系数性能
机译:低功耗SiGe BiCMOS 190 GHz接收器,具有47 dB的转换增益和11 dB的噪声系数,适用于超大带宽应用
机译:用于多频带应用的高度线性和低闪烁噪声的CMOS直接转换接收器前端。
机译:低压96 dB快照CMOS图像传感器每像素功耗4.5 nW
机译:1.5至5.0GHz输入匹配+ 2dBm p1dB全无源开关电容波束成形接收器前端采用65nm CmOs封装