首页> 外文期刊>Journal of Solid State Chemistry >Solvothermal syntheses, crystal structures, and properties of lanthanide(III) thioarsenates [Ln(dien)_2(μ-1κ, 2κ~2-AsS_4)]_n (Ln==Sm, Eu, Gd) and [Ln(dien)_2(1κ~2-AsS_4)] (Ln==Tb, Dy, Ho)
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Solvothermal syntheses, crystal structures, and properties of lanthanide(III) thioarsenates [Ln(dien)_2(μ-1κ, 2κ~2-AsS_4)]_n (Ln==Sm, Eu, Gd) and [Ln(dien)_2(1κ~2-AsS_4)] (Ln==Tb, Dy, Ho)

机译:镧系元素硫杂砷酸盐[Ln(dien)_2(μ-1κ,2κ〜2-AsS_4)] _ n(Ln == Sm,Eu,Gd)和[Ln(dien)_2 (1κ〜2-AsS_4)](Ln == Tb,Dy,Ho)

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摘要

Solvothermal reactions of Ln_2O_3, As and S in diethylenetriamine (dien) at 170 C for 6 days afforded two structural types of lanthanide thioarsenates with the general formulae [Ln(dien)_2(μ- 1κ,2κ~2-AsS_4)]_n [Ln=Sm(1), Eu(2), Gd(3)] and [Ln(dien)_2(1κ~2-AsS_4)] [Ln=Tb(4), Dy(5), Ho(6)]. The Ln_2O_3 oxides were converted to [Ln(dien)_2]~(3+) complex units in the solvothermal reactions. The As atom binds four S atoms, forming a tetrahedral AsS_4 unit. In 1-3, the AsS_4 units interconnect the [Ln(dien) _2]~(3+) cations via Ln-S bonds as tridentate μ-1κ,2κ~2-AsS_4 bridging ligands, resulting in the neutral coordination polymers [Ln(dien)_2(μ-1κ, 2κ~2-AsS_4)]_n (Ln1). In 4-6, the AsS _4 units coordinate with the Ln~(3+) ion of [Ln(dien) _2]~(3+) as 1κ~2-AsS_4 chelating ligands to form neutral coordination compounds [Ln(dien)_2(1κ ~2-AsS_4)] (Ln2). The Ln~(3+) ions are in nine- and eight-coordinated environments in Ln1 and Ln2, respectively. The formation of Ln1 and Ln2 is related with ionic size of the Ln~(3+) ions. Optical absorption spectra showed that 1-6 have potential use as semiconductors with the band gaps in the range 2.18-3.21 eV.
机译:Ln_2O_3,As和S在二亚乙基三胺(dien)中于170 C进行溶剂热反应6天,得到两种结构类型的镧系元素硫代砷酸盐,其通式为[Ln(dien)_2(μ-1κ,2κ〜2-AsS_4)] _ n [ Ln = Sm(1),Eu(2),Gd(3)]和[Ln(dien)_2(1κ〜2-AsS_4)] [Ln = Tb(4),Dy(5),Ho(6)] 。在溶剂热反应中,将Ln_2O_3氧化物转化为[Ln(dien)_2]〜(3+)络合物单元。 As原子与四个S原子结合,形成一个四面体的AsS_4单元。在1-3中,AsS_4单元通过Ln-S键作为三齿μ-1κ,2κ〜2-AsS_4桥联配体通过[Ln(dien)_2]〜(3+)阳离子相互连接,从而形成中性配位聚合物[Ln (dien)_2(μ-1κ,2κ〜2-AsS_4)] _ n(Ln1)。在4-6中,AsS _4单元与[Ln(dien)_2]〜(3+)的Ln〜(3+)离子配位为1κ〜2-AsS_4螯合配体,形成中性配位化合物[Ln(dien) _2(1κ〜2-AsS_4)](Ln2)。 Ln〜(3+)离子分别处于Ln1和Ln2的九配位和八配位环境中。 Ln1和Ln2的形成与Ln〜(3+)离子的离子大小有关。光吸收光谱表明1-6具有带隙在2.18-3.21eV范围内的半导体潜力。

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