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Syntheses, structures, and optical properties of the indium/germanium selenides Cs_4In_8GeSe_(16), CsInSe_2, and CsInGeSe_4

机译:铟/硒硒化物Cs_4In_8GeSe_(16),CsInSe_2和CsInGeSe_4的合成,结构和光学性质

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摘要

The three solid-state indium/germanium selenides Cs_4In_8GeSe_(16), CsInSe_2, and CsInGeSe_4 have been synthesized at 1173 K. The structure of Cs_4Ins_8GeSe_(16) is a three-dimensional framework whereas those of CsInSe_2 and CsInGeSe_4 comprise sheets separated by Cs cations. Both Cs_4In_8GeSe_(16) and CsInGeSe_4 display In/Ge disorder. From optical absorption measurements these compounds have band gaps of 2.20 and 2.32 eV, respectively. All three compounds are charge balanced.
机译:三种固态铟/硒硒化物Cs_4In_8GeSe_(16),CsInSe_2和CsInGeSe_4已在1173 K处合成。Cs_4Ins_8GeSe_(16)的结构是三维框架,而CsInSe_2和CsInGeSe_4的结构由Cs阳离子分隔。 Cs_4In_8GeSe_(16)和CsInGeSe_4都显示In / Ge无序。根据光吸收测量,这些化合物的带隙分别为2.20和2.32 eV。所有这三种化合物都是电荷平衡的。

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