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机译:使用硅纳米线晶体管的16 x 16静态随机存取存储器的探索性设计研究
Nanotechnology; Nanoelectronics; Nanowire Transistors; Silicon Nanowire Transistors; SRAM; Low Power Design;
机译:使用硅纳米线晶体管的16 x 16静态随机存取存储器的探索性设计研究
机译:基于16nm的鲁棒DG-FinFET的10T静态随机存取存储器单元设计,用于超低功耗设计
机译:基于硅纳米线晶体管的4T - 静态随机存取存储器单元的电阻负荷优化
机译:利用堆叠晶体管降低功耗的10T静态随机存取存储单元的设计实现
机译:基于较低技术节点(7nm)的不同FINFET的静态随机存取存储器设计
机译:弱碰撞电离产生的硅纳米线晶体管的存储特性
机译:基于硅纳米线晶体管的4T静态随机存取存储单元的电阻负载优化
机译:16 K CmOs(互补金属氧化物半导体)sRam(静态随机存取存储器)的单事件翻转率估计