机译:填补伪电势和全电子方案之间的空白:有效利用密度拟合的冻结核计算
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机译:来自混合全电子和伪电子第一原理计算的固体缺陷中的旋转旋转相互作用
机译:高斯的基础集用于相关分子计算。 XI。 基于假的基于软件和全电子相对论的碱金属(K-FR)和碱土(CA-RA)元件的基础组
机译:全电子GWA计算Ga_(1-x)in_xn的带盖
机译:利用经验伪势能理论计算应变半导体的能带结构。
机译:伪电位计算的验证固体电子带隙
机译:高斯基组用于相关分子计算。十一。碱金属(K-Fr)和碱土金属(Ca-Ra)元素的基于伪势和全电子相对论的基组