半導体材料

摘要

2004年，シリコン（Si）半導体デバイスメーカー及び装置メーカー各社はデジタル家電の需要増に応じSiウェハーの300㎜化をベースに，LSIメーカーの製造装置への投資拡大の恩恵を受けた。 「セミコン·ジャパン2004」によれば2005年は，半導体製造業界にとって大きな節目の年のなるといわれている。 これまで研究開発段階に留っていた45nmノード技術を，量産装置へ導入する動きが本格的に始まるからである。具体的には，液浸露光技術，高誘導率（high-k）膜の成膜技術，低誘電率（low-k）膜対応の洗浄技術などがあげられる。