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【摘要】本文致力于微波和毫米波单片微波集成电路（MMIC或MMIC）的分析，设计，集成和测试。半导体器件制造和MMIC处理技术的最新进展将MMIC频率的上限从毫米波（30--300 GHz）推至太赫兹（300--3000 GHz）。在这些频率下运行的MMIC组件将用于提高辐射计，通信系统的接收器，无源遥感系统，雷达仪器的收发器和射电天文学系统的灵敏度和性能。然而，利用这些MMIC组件的一个严重障碍是实用包装技术的发展和可靠制造，这是本论文提出的一个主要课题。本文的重点是对第一，第二部分的设计和分析进行研究。微波和毫米波GaN MMIC，其次，将这些MMIC集成到可用的波导组件中。通过X波段（8--12 GHz）到H波段（170--260 GHz）GaN MMIC功率放大器（PA或PA）的分析，设计和测试，包括V波段（40--75 GHz） ）压控振荡器，是这项工作的绝大部分。分析，设计和测试了几种利用高效技术的功率放大器设计。这些示例包括二次谐波注入放大器，采用SiC衬底上的GaN 300 GHz fT工艺制造的E类放大器，以及采用Doherty功率放大器进行电源调制的适用性示例，它们均工作于10 GHz。设计了两个H波段GaN MMIC PA，其中一个集成了CPW到波导的集成过渡。 PA稳定性分析对于宽带，高fT设备尤其重要，并且探索了一种新的稳定性分析方法并进行了实验验证。最后，讨论了集成以毫米波频率运行的MMIC的挑战，以及使用加法和传统方法进行组装演示制造。
【作者单位】University of Colorado at Boulder.;
【年(卷),期】2017(),
【年度】2017
【页码】180 p.
【总页数】180
【原文格式】PDF
【正文语种】eng
【中图分类】
【关键词】
