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SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium
SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium
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1.
Parameters Controlling Emission Of Terahertz Frequency Electromagnetic Radiation From InAs And GaAs: An Ensemble Monte Carlo Simulation Study
机译:
从INA和GAAS控制太赫兹频率电磁辐射发射的参数:Ensemble Monte Carlo仿真研究
作者:
D. L. Cortie
;
R. A. Lewis
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
2.
Electrically Pumped Lasing from Ge-on-Si
机译:
从GE-ON-SI电动泵送激光
作者:
J. Michel
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
3.
Beyond Graphene: Synthesis of Epitaxial Silicene Sheets
机译:
超越石墨烯:外延硅片的合成
作者:
G. Le Lay
;
P. De Padova
;
A. Resta
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
4.
Dopant Enhanced Diffusion For High n-type Doped Ge
机译:
高N型掺杂GE的掺杂剂增强扩散
作者:
Yan Cai
;
Rodolfo Camacho-Aguilera
;
Jonathan T. Bessette
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
5.
FinFET and UTB--How to Make Very Short Channel MOSFETs
机译:
Finfet和UTB - 如何制作非常短的通道MOSFET
作者:
Chenming Hu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
6.
X-ray and Raman Characterization of Strained SiGe Layers Treated by Stain Etching
机译:
通过污渍蚀刻处理应变SiGe层的X射线和拉曼表征
作者:
W. Zhou
;
R. Liang
;
L. Yan
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
7.
Low Specific Ohmic Contacts to n-type Germanium Using a Low Temperature NiGe Process
机译:
使用低温Nige工艺对N型锗的低特异性欧姆触点
作者:
K. Gallacher
;
P. Velha
;
D.J. Paul
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
8.
Direct Band-gap Electroluminescence from Strained n-Ge Light Emitting Diodes
机译:
应变N-GE发光二极管的直接带间隙电致发光
作者:
P. Velha
;
K. Gallacher
;
D.Dumas
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
9.
ADVANCED GE-ON-SI TELECOMMUNICATION RECEIVERS
机译:
高级GE-on-SI电信接收器
作者:
CHRISTOPHER R. DOERR
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
10.
Heteroepitaxial Lattice Mismatch Stress Relaxation in Nonpolar and Semipolar GaN by Dislocation Glide
机译:
通过位错滑行的非极性和SemipoLar GaN中的异质轴晶格不匹配应激松弛
作者:
E.C. Young
;
J.S. Speck
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
11.
Si/SiGe Tunnelling Static Random Access Memories
机译:
Si / SiGe隧道静态随机接入记忆
作者:
G. Ternent
;
D.J. Paul
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
12.
Effects of HCl on the Growth of Epitaxial Ge
机译:
HCl对外延GE生长的影响
作者:
D. L. Franca
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
13.
Long Wavelength >1.9μm Germanium for Optoelectronics using Process Induced Strain
机译:
使用工艺诱发应变的光电子长波长>1.9μm锗
作者:
P. Velha
;
K. Gallacher
;
D. Dumas
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
14.
Non Planar Non Si CMOS - Challenges and Opportunities
机译:
非平面非Si CMOS - 挑战和机遇
作者:
C. Hobbs
;
K. W. Ang
;
R. Hill
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
15.
A design scheme for topological insulators based bonds, bands, symmetry and spin orbit coupling
机译:
基于拓扑绝缘子的粘合,频段,对称性和自旋轨道耦合设计方案
作者:
C. Felser
;
L. Muchler
;
S. Chadov
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
16.
Physical Mechanism of Enhanced Uniaxial Stress Effect on Carrier Mobility in ETSOI MOSFETs
机译:
增强单轴应力影响对套管迁移率的增强
作者:
Teruyuki Ohashi
;
Shunri Oda
;
Ken Uchida
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
17.
Growth of Ge_(1-x)Sn_x alloys using combined sources of solid tin and gaseous germane
机译:
使用固体锡和气态缘盐的组合来源生长Ge_(1-X)Sn_x合金
作者:
Shaojian Su
;
Buwen Cheng
;
Dongliang Zhang
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
18.
Ge photodiodes for CMOS photonics optical engines and interconnects
机译:
CMOS光子光学发动机的GE光电二极管和互连
作者:
S. Sahni
;
G. Masini
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
19.
MBE Growth of GeSn and SiGeSn Heterojunctions for Photonic Devices
机译:
MBE GESN和SIGESN的生长对光子器件的影响
作者:
James S. Harris
;
Hai Lin
;
Robert Chen
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
20.
Ge Surface-Energy-Driven Secondary Grain Growth for Vertical Channel in 3D NAND Flash Memories
机译:
GE表面 - 能量驱动的三维NAND闪存中垂直通道的二粒生长
作者:
Sangsoo Lee
;
Yong-Hoon Son
;
Euijoon Yoon
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
21.
High Tensile Strained In -Situ Phosphorus Doped Silicon Epitaxial Film for nMOS Applications
机译:
用于NMOS应用的-Situ磷掺杂硅外延薄膜中的高抗拉应变
作者:
Z. Ye
;
S. Chopra
;
R. Lapena
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
22.
Ge-on-Si Bufferless Epitaxial Growth for Photonic Devices
机译:
光子器件的Ge-on-Si Bufferless外延生长
作者:
Rodolfo Camacho-Aguilera
;
Yan Cai
;
Lionel C. Kimerling
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
23.
Channel strain evolution of recessed source/drain Si_(1-x)C_x structures by modifying scaling factors
机译:
通过修改缩放因子,凹陷源/漏极Si_(1-X)C_X结构的频道应变演变
作者:
S.-W. Kim
;
D.-S. Byeon
;
M. Jung
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
24.
GeSn Channel n and p MOSFETs
机译:
Gesn通道N和P MOSFET
作者:
Suyog Gupta
;
Robert Chen
;
Benjamin Vincent
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
25.
Formation of Graded SiGe on Insulator by Segregation-Controlled Rapid-Melting-Growth
机译:
通过隔离控制的快速熔化 - 增长在绝缘体上形成分级SiGe
作者:
R. Matsumura
;
Y. Tojo
;
H. Yokoyama
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
26.
Thermally stable NiSi_2 for Ge contact with Schottky barrier height modulation capability
机译:
热稳定的NISI_2用于GE与肖特基势垒高度调制能力接触
作者:
R. Yoshihara
;
Y. Tamura
;
K. Kakushima
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
27.
Strain engineering in GeSnSi materials
机译:
Gesnsi材料的应变工程
作者:
H. H. Radamson
;
M. Noroozi
;
A. Jamshidi
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
28.
Ge_(1-x)Sn_x Alloys Pseudomorphically Grown on Ge (001) by Sputtering
机译:
Ge_(1-x)通过溅射在Ge(001)上伪形生长的eN_x合金
作者:
H. Perez Ladron de Guevara
;
A. G. Rodriguez
;
H. Navarro-Contreras
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
29.
Point-of-Use Sampling and Organic Impurity Analysis for Bulk Gases in Semiconductor Processing
机译:
用于半导体加工中散装气体的使用点和有机杂质分析
作者:
Jungdae Park
;
Sangyoon Shin
;
Yoonmi Lee
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
30.
Si/SiGe Thermoelectric Generators
机译:
Si / SiGe热电发电机
作者:
D.J. Paul
;
A. Samarelli
;
L. Ferre Llin
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
31.
Strain Evolution of Si_(1-x)Ge_x Selective Epitaxial Growth in Steps
机译:
Si_(1-x)Ge_x选择性外延生长的应变演变
作者:
S. Koo
;
S.-W. Kim
;
D.-H. Ko
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
32.
Controlling Epitaxial GaAs_xP_(1-x)/Si_(1-y)Ge_y Heterovalent Interfaces
机译:
控制外延GaAs_xp_(1-x)/ si_(1-y)ge_y异常接口
作者:
P. Sharma
;
T. Milakovich
;
M. T. Bulsara
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
33.
Hole mobility boost of Ge p-MOSFETs by composite uniaxial stress and biaxial strain
机译:
复合单轴应力和双轴菌株GE P-MOSFET的孔移动增强
作者:
H. -S. Lan
;
Y. -T. Chen
;
J. -Y. Lin
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
34.
Materials Integration for III-V/SiGe+CMOS Integrated Circuit Platforms
机译:
III-V / SIGE + CMOS集成电路平台的材料集成
作者:
E.A. Fitzgerald
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
35.
SiGe Doped-Channel FET Formed by Sputter Epitaxy Method
机译:
SiGe掺杂通道FET通过溅射外延方法形成
作者:
M. Yoshikawa
;
H. Otsuka
;
A. Kasamatsu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
36.
Optical Spin Orientation in SiGe Heterostructures
机译:
SiGe异质结构中的光学旋转取向
作者:
G. Isella
;
F. Bottegoni
;
S. Cecchi
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
37.
NMOS SiP Epitaxy Process - Optimizing Facet Growth
机译:
NMOS SIP淫亵过程 - 优化平面增长
作者:
Chin I Liao
;
Chin Cheng Chien
;
Michael Chan
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
38.
Accurate reactive ion etching of Si, Ge and P doped Ge in an SF_6-O_2radio-frequency plasma
机译:
SF_6-O_2radio频率等离子体中的Si,Ge和P掺杂Ge的精确反应离子蚀刻
作者:
C. Wongwanitwattana
;
V. A. Shah
;
M. Myronov
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
39.
High Hole Mobility in Strained Germanium-Tin (GeSn) Channel pMOSFET Fabricated on (111) Substrate
机译:
在(111)衬底上制造的紧张锗 - 锡(GESN)通道PMOSFET中的高空穴迁移率
作者:
Genquan Han
;
Shaojian Su
;
Yue Yang
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
40.
Formation of Large Grain SiGe on Insulator by Si Segregation in Seedless-Rapid-Melting Process
机译:
无智熔化过程中Si偏析在绝缘子中形成大谷物SiGe
作者:
R. Kato
;
M. Kurosawa
;
R. Matsumura
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
41.
High Extinction Ratio, Low Energy Ge Quantum Well Electro-Absorption Modulator With 23 GHz Bandwidth
机译:
具有23 GHz带宽的高消光比,低能量GE量子井电吸收调制器
作者:
Giovanni Isella
;
Papichaya Chaisakul
;
Delphine Marris-Morini
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
42.
SiGe Band-to-Band Tunneling Calibration Based on p-i-n Diodes: Fabrication, Measurement and Simulation
机译:
基于P-I-N二极管的SiGe带带隧道校准:制造,测量和仿真
作者:
K.H. Kao
;
A. S. Verhulst
;
R. Rooyackers
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
43.
Formation of Large-Grain Ge(111) Films on Insulator by Gold-Induced Layer-Exchange Crystallization at Low Temperature
机译:
在低温下通过金诱导的层交换结晶形成绝缘体上的大谷物GE(111)膜
作者:
Jong-Hyeok Park
;
Tsuneharu Suzuki
;
Masashi Kurosawa
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
44.
Formation of Uniaxially Strained Si/Ge Channels on SiGe Buffers Strain-controlled with Selective Ion Implantation
机译:
用选择性离子植入形成SiGe缓冲液的单轴应变Si / Ge频道的形成
作者:
K. Sawano
;
Y. Hoshi
;
S. Nagakura
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
45.
Single Crystalline GeSn On Silicon By Solid Phase Crystallization
机译:
固体结晶硅上的单晶GESN
作者:
R. R. Lieten
;
S. Decoster
;
M. Menghini
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
46.
In situ Boron (B) doped Germanium (Ge:B) Grown on (100), (110), and (111) Silicon: Crystal Orientation and B Incorporation Effects
机译:
原位硼(B)掺杂锗(GE:B)生长在(100),(110)和(111)硅:晶体取向和B掺入效果
作者:
Genquan Han
;
Qian Zhou
;
Pengfei Guo
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
47.
Optical Characterization of Ge-on-Si Grown by using RTCVD
机译:
使用RTCVD的Ge-on-Si的光学表征
作者:
T. S. Kim
;
Y. -H. Kil
;
W. K. Hong
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
48.
Enhancement-Mode Buried Strained Silicon Channel Double Quantum Dot with Integrated Electrometer
机译:
增强模式埋地应变硅通道双量子点,具有集成电计
作者:
T.-M. Lu
;
N. Bishop
;
T. Pluym
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
49.
Growth and Optical Properties of Ge_(1-x)Sn_x Alloy Thin Films with a High Sn Content
机译:
GE_(1-X)SN_X合金薄膜的生长和光学性质具有高SN含量
作者:
Shigeaki Zaima
;
Osamu Nakatsuka
;
Marika Nakamura
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
50.
Formation of 1.7-nmrthick-EOT Germanium Dioxide Film with a High-Quality Interface Using a Direct Neutral Beam Oxidation Process
机译:
使用直接中性光束氧化过程,使用直接中性光束氧化过程形成1.7-Nmrthick-EOT锗二氧化锗膜
作者:
Akira Wada
;
Rui Zhang
;
Shinichi Takagi
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
51.
High Quality Silicon Cap Layer for 28nm and Beyond PMOS Processes
机译:
高品质的硅盖层28nm及超出PMOS工艺
作者:
Chin I Liao
;
Teng Chun Hsuan
;
Chin Cheng Chien
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
52.
Ge-on-Si: Single-Crystal Selective Epitaxial Growth in a CVD Reactor
机译:
GE-ON-SI:CVD反应器中的单晶选择性外延生长
作者:
A. Sammak
;
W. B. de Boer
;
L. K. Nanver
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
53.
Nano-Engineered Ge_xsi_(1-x) -On Insulator For Heteroepitaxy
机译:
纳米工程GE_XSI_(1-X) - 异腔的绝缘子
作者:
Khalid Hossain
;
M. C. Debnath
;
T. D. Mishima
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
54.
Characterization of Resistance-Switching Properties of SiO_x Films Using Pt Nanodots Electrodes
机译:
使用PT纳米蛋白电极表征SiO_x膜的电阻切换性能
作者:
Katsunori Makihara
;
Motoki Fukushima
;
Akio Ohta
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
55.
Tin-Incorporated Source/Drain and Channel Materials for Field-Effect Transistors
机译:
用于场效应晶体管的锡加入源/漏极和通道材料
作者:
Yee-Chia Yeo
;
Genquan Han
;
Xiao Gong
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
56.
Selective-Area Epitaxial Lateral Overgrowth of InGaAs Microdiscs on Si
机译:
Si上Ingaas Microdiscs的选择性区域外延横向过度生长
作者:
M. Sugiyama
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
57.
Hybrid Wafer bonding and Heterogeneous Integration of GaN HEMTs and Si (100) MOSFETs
机译:
GaN Hemts和Si(100)MOSFET的混合晶圆粘合和异质整合
作者:
H.-S. Lee
;
Z. Li
;
M. Sun
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
58.
Effect of B~+ Flux on the Electrical Activation of Ultra-Shallow B~+ Implants in Ge
机译:
B〜+通量对GE中超浅B〜+植入物电激活的影响
作者:
B. R. Yates
;
B. L. Darby
;
D. H. Petersen
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
59.
Tin Deuteride (SnD_4) Stabilization
机译:
锡氘(SND_4)稳定化
作者:
R. F. Spohn
;
C. B. Richenburg
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
60.
Local Quantity Analysis of Nanosize Electronics and spintronics Material
机译:
纳米型电子产品和闪铜材料的局部数量分析
作者:
M. Senami
;
A. Tachibana
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
61.
Coherent Manipulation of a SiGe-based Singlet-Triplet Qubit
机译:
基于SiGe的单态三重态量子Qubit的相干操作
作者:
E. T. Croke
;
M. G. Borselli
;
B. M. Maune
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
62.
Selective Growth Of Strained Ge Channel On Relaxed SiGe Buffer In Shallow Trench Isolation For High Mobility Ge Planar And Fin p-FET
机译:
高沟槽隔离浅沟浅滩隔离浅滩隔离中应变GE通道的选择性生长GE平面和翅片P-FET
作者:
B. Vincent
;
L. Witters
;
O. Richard
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
63.
Scalable GaN-op-Silicon Using Rare Earth Oxide Buffer Layers
机译:
使用稀土氧化物缓冲层可缩放的GaN-Op-硅
作者:
F. E. Arkun
;
M. Lebby
;
R. Dargis
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
64.
Heterogeneous Integration of III-V Devices and Si CMOS on a Silicon Substrate
机译:
III-V器件和Si CMOS在硅衬底上的异质集成
作者:
T. E. Kazior
;
J. LaRoche
;
W. Hoke
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
65.
Heteroepitaxy of III-V Compound Semiconductors on Silicon for Logic Applications: Selective Area Epitaxy in Shallow Trench Isolation Structures vs. Direct Epitaxy mediated by Strain Relaxed Buffers
机译:
逻辑应用硅硅的III-V复合半导体的杂肝:浅沟槽隔离结构中的选择性区域外延与应变松弛缓冲液中介导的直接外延
作者:
M. Cantoro
;
C. Merckling
;
S. Jiang
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
66.
Growth and Characterization of Heteroepitaxial Layers of GeSiSn Ternary Alloy
机译:
Gesisn三元合金异质层的生长和表征
作者:
T. Yamaha
;
O. Nakatsuka
;
S. Takeuchi
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
67.
A Self-aligned Sacrificial Emitter Process for High Performance SiGe HBT in BiCMOS
机译:
BICMOS中高性能SIGE HBT的自对准牺牲发射器工艺
作者:
Q.Z. Liu
;
Jim Adkisson
;
John Benoit
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
68.
Germanium Gate-All-Around pFETs on SOI
机译:
锗门 - SOI的全面PFET
作者:
H. -C Chang
;
S.-H Hsu
;
C.-L Chu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
69.
Modeling Two Dimensional Solid Phase Epitaxial Growth for Patterned Ge Substrates
机译:
模拟图案葛基底的二维固相外延生长
作者:
B. L. Darby
;
B. R. Yates
;
Ashish Kumar
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
70.
Fabrication of Ge-on-Si substrates for the integration of high-quality GaAs nanostructures on Si
机译:
Ge-o-Si基材的制造,用于在Si上集成高质量的GaAs纳米结构
作者:
S. Bietti
;
S. Cecchi
;
C. Frigeri
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
71.
Phosphorus Profile Control in Ge by Si Delta Layers
机译:
Si Delta层GE中的磷剖面控制
作者:
Y. Yamamoto
;
P. Zaumseil
;
R. Kurps
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
72.
Orientation Dependence of Si_(1-x)C_x:P Growth and the Impact on FinFET Structures
机译:
Si_(1-x)C_X的取向依赖性:P增长和对FinFET结构的影响
作者:
J. Tolle
;
K. D. Weeks
;
M. Bauer
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
73.
Effect of an atomically matched interface structure on Fermi-level pinning at metal/p-Ge interfaces
机译:
原子上匹配界面结构对金属/ P-GE接口的FERMI级钉扎的影响
作者:
K. Kasahara
;
H. Yoshioka
;
Y. Tojo
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
74.
Substrate Design and Thermal Budget Tuning for Integration of Photonic Components in a High-Performance SiGe:C BiCMOS Process
机译:
基板设计和热预算调整,用于高性能SiGe中的光子元件集成:C BICMOS工艺
作者:
D. Knoll
;
H. H. Richter
;
B. Heinemann
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
75.
GeSn photodetection and electroluminescence devices on Si
机译:
SI上的GESN光电检测和电致发光器件
作者:
M. Oehme
;
E. Kasper
;
J. Schulze
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
76.
Effect of Fin Doping Concentration on the Electrical Characteristics of Germanium-on-Insulator Multi-Gate Field-Effect Transistor
机译:
翅片掺杂浓度对绝缘体锗型多栅场效应晶体管电特性的影响
作者:
Bin Liu
;
Xiao Gong
;
Chunlei Zhan
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
77.
Strain.Engineering for Optical Gain in Germanium
机译:
锗中的光学增益的菌株
作者:
M. El Kurdi
;
M. de Kersauson
;
A. Ghrib
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
78.
Liquid-Phase Deposition of Thin Si and Ge Films Based on Ballistic Electro-reduction
机译:
基于弹道电解的薄Si和Ge膜的液相沉积
作者:
T.Ohta
;
R.Mentek
;
B.Gelloz
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
79.
Heterogeneous Integration of InP HBTs on CMOS: Leveraging and Providing Value to Conventional Silicon Technologies
机译:
INP HBT在CMOS上的异质集成:利用传统硅技术提供价值
作者:
J. C. Li
;
Y. Royter
;
P. Patterson
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
80.
Evaluation Of Ni(Si_(1-x)Ge_x) And Pt(Si_(1-x)Ge_x) Contact Resistance For FD-SOI PMOS Metallic Source And Drain
机译:
Ni(Si_(1-x)Ge_x)和Pt(Si_(1-x)Ge_x)接触电阻的Ni(Si_(1-x)Ge_x),用于FD-SOI PMOS金属源和排水管
作者:
E. Bourjot
;
F. Nemouchi
;
V. Carron
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
81.
Formation and Characterization of Nickel Germanosilicide on Si_(1-x)Ge_x/Si/SiO_2/Si
机译:
Si_(1-X)Ge_x / Si / SiO_2 / Si上镍锗硅化镍的形成和表征
作者:
Woo Sik Yoo
;
Noriyuki Hasuike
;
Hiroshi Harima
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
82.
Tunneling Field-Effect Transistor (TFET) with Novel Ge/In_(0.53)Ga_(0.47)As Tunneling Junction
机译:
具有新型GE / IN_(0.53)GA_(0.47)的隧道场效应晶体管(TFET)作为隧道连接点
作者:
Pengfei Guo
;
Yue Yang
;
Yuanbing Cheng
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
83.
Evidence of Layer-by-Layer Oxidation of Ge Surfaces by Plasma Oxidation Through Al_2O_3
机译:
通过Al_2O_3通过血浆氧化通过血浆表面逐层氧化的证据
作者:
R. Zhang
;
P. C. Huang
;
J. C. Lin
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
84.
High Ge Content SiGe Selective Processes For Manufacturing Source/Drain In The Next Generations of pMOS Transistors
机译:
在下一代PMOS晶体管中制造源/漏极的高GE内容SiGe选择性过程
作者:
A.Hikavyy
;
W.Vanherle
;
L. Witters
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
85.
Study of Ge Threading Dislocations Post Growth Treatments
机译:
GE螺纹脱位后生长期治疗的研究
作者:
A. Silber
;
E. Ginsburg
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
86.
Germanium Tin Tunneling Field-Effect Transistor for Sub-0.4 V Operation
机译:
锗锡隧道场效应晶体管用于子0.4 V操作
作者:
Yue Yang
;
Kain Lu Low
;
Pengfei Guo
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
87.
High throughput selective epitaxial growth of in-situ doped SiCP/SiP layers for NMOS devices using a Si_3H_8/SiH_3CH_3/PH_3/Cl_2 based cyclic deposition and etch process
机译:
使用基于Si_3H_8 / SIH_3CH_3 / PH_3 / CL_2的循环沉积和蚀刻工艺,用于NMOS器件的原位掺杂SICP / SIP层的高吞吐选择性外延生长
作者:
Matthias Bauer
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
88.
Electronic Band Structure and Effective Masses of Ge_(1-x)Sn_x Alloys
机译:
电子频带结构和有效质量的GE_(1-X)SN_X合金
作者:
Kain Lu Low
;
Yue Yang
;
Genquan Han
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
89.
Selective Epitaxial Growth of Heavily Boron-Doped Silicon with Uniform Doping Depth Profile
机译:
具有均匀掺杂深度曲线的重型硼掺杂硅的选择性外延生长
作者:
Z. Zhu
;
Z. Cong
;
B. Ramachandran
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
90.
Spin Coherence in Si and Applications to Quantum Information Processing
机译:
SI和应用于量子信息处理的旋转相干性
作者:
S.A. Lyon
;
A.M. Tyryshkin
;
Jianhua He
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
91.
Single-Shot Readout of Singlet-Triplet Qubit States in a Si/SiGe Double Quantum Dot
机译:
单次读出Si / SiGe DoubleQualtum Dot中的单次三态Qubit状态
作者:
Jon R. Prance
;
Zhan Shi
;
C. B. Simmons
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
92.
Fabrication and Negative Bias Temperature Instability (NBTI) Study on Ge_(0.97)Sn_(0.03) P-MOSFETs with Si_2H_6 Passivation and HfO_2 High-k and TaN Metal Gate
机译:
使用Si_2H_6钝化和HFO_2高k和Tan金属栅极的Ge_(0.97)SN_(0.03)P-MOSFET的GE_(0.97)SN_(0.03)的制造和负偏置温度不稳定性(0.03)P-MOSFET
作者:
Xiao Gong
;
Shaojian Su
;
Bin Liu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
93.
Phonon Dispersion in <100> Si Nanowirc Covered with SiO_2 Film Calculated by Molecular Dynamics Simulation
机译:
通过分子动力学模拟计算的Si Nanowirc覆盖的<100 si nanowirc中的声子分散体
作者:
T. Watanabe
;
T Zushi
;
M. Tomita
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
94.
High performance Group IV photodiodes with tunable absorption edges based on ternary SiGeSn alloys
机译:
高性能组IV光电二极管,基于三元ΣN合金的可调谐吸收边缘
作者:
R.T. Beeler
;
J. Menendez
;
D.J. Smith
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
95.
Electron Transport and Strain Mapping in Ge-S_xGe_(1-x) Core-Shell Nanowire Heterostructures
机译:
电气传输和应变映射在Ge-s_xge_(1-x)核心壳纳米线异质结构
作者:
D. C. Dillen
;
J. Nah
;
K. M. Varahramyan
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
96.
Epitaxial Growth of Ge_(1-x)Sn_x by Reduced Pressure CVD Using SnCl_4 and Ge_2H_6
机译:
使用SNCL_4和GE_2H_6减压CVD通过减压CVD外延生长GE_(1-X)SN_X
作者:
S. Wirths
;
D. Buca
;
A.T. Tiedemann
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
97.
Crystalline Properties and Strain Relaxation Mechanism of CVD Grown GeSn
机译:
CVD种植Gesn的结晶性能和应变松弛机制
作者:
F. Gencarelli
;
B. Vincent
;
J. Demeulemeester
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
98.
Germanium/Silicon Heterostructures for Terahertz Emission
机译:
用于太赫兹排放的锗/硅异质结构
作者:
R W Kelsall
;
V T Dinh
;
P Ivanov
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
99.
Understanding the Effects of Epitaxy Artifacts On SiGe HBT Performance Through Detailed Process/Device Simulation
机译:
通过详细的过程/设备仿真理解外延伪影对SiGe HBT性能的影响
作者:
R.A.Camillo-Castillo
;
J.B Johnson
;
Q.Z.Liu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
100.
Group-IV Subcells in Multijunction Concentrator Solar Cells
机译:
多结浓缩器太阳能电池组中的IV组子单元
作者:
Richard R. King
;
Chris Fetzer
;
Philip Chiu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium》
|
2012年
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