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Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings
Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings
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1.
1996 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. Proceedings
机译:
1996年光电和微电子材料和设备会议。议程
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
2.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
3.
Design of quantum well materials for maximum change in refractive index with minimal loss
机译:
用最大损耗的折射率最大变化的量子阱材料设计
作者:
Mitchell A.
;
Goldys E.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
4.
Minority carrier sweepout effects in HgCdTe infrared photoconductors at temperatures above 80K
机译:
在HGCDTE红外光电导体中在80k以上的温度下扫描少数竞争率扫描效果
作者:
Musca C.G.
;
Siliquini J.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
5.
V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
机译:
V沟槽GaAs / Algaas量子线,侧壁量子孔通过脉冲阳极氧化和快速热退火混合
作者:
Kim Y.
;
Yuan S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
6.
High-efficiency high-speed Ga/sub 1-x/Al/sub x/As light-emitting diode characteristics
机译:
高效高速GA / SUB 1-X / AL / SUB X /作为发光二极管特性
作者:
Tingting Zhang
;
Sugeta T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
7.
The application of OIM and EBIC techniques to the characterization of polycrystalline silicon films
机译:
OIM和EBIC技术在多晶硅膜特征中的应用
作者:
Chou C.T.
;
Huang Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
8.
Quantum noise in resonant tunnelling
机译:
谐振隧道中的量子噪声
作者:
Sun H.B.
;
Milburn G.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
9.
Determination of basic parameters of ion implanted silica waveguides by dark mode spectroscopy method
机译:
暗模式光谱法测定离子注入二氧化硅波导的基本参数
作者:
Gazecki J.
;
Zamora M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
10.
The influence of different substrates on GaN films grown by low temperature laser and plasma enhanced MOCVD
机译:
低温激光和等离子体增强MOCVD生长的不同底物对GaN薄膜的影响
作者:
Zuo H.Y.
;
Zhou B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
11.
Electrical generation of terahertz electromagnetic radiations from two-dimensional semiconductor systems at zero and quantizing magnetic fields
机译:
从二维半导体系统处于零和量化磁场的二维半导体系统发电
作者:
Xu W.
;
Zhang C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
12.
Investigation of InGaP/GaAs single and double heterojunction bipolar transistors by doping spike
机译:
掺杂尖峰的InGaP / GaAs单双和双异相结双极晶体管的研究
作者:
Wen-Shiung Lour
;
Wen-Lung Chang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
13.
Realisation of very short wet etched mirror lasers in GRINSCH-QW GaAs-based structure
机译:
基于GRINSCH-QW GAAS结构的非常短的湿蚀刻镜激光
作者:
Karouta F.
;
Wellen J.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
14.
Investigation of step-doped channel heterostructure field-effect transistor
机译:
阶梯式通道异质结构场效应晶体管的研究
作者:
Wen-Chau Liu
;
Lih-Wen Laih
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
15.
Preparation of In/sub 2/O/sub 3/ thin films by sol-gel process for ozone sensing
机译:
通过溶胶 - 凝胶方法制备/亚2 / O / Sub 3 /薄膜用于臭氧感测
作者:
Jimenez C.
;
Sun H.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
16.
Population inversion among electronic subbands in optically pumped semiconductor quantum wells
机译:
光学泵浦半导体量子阱中电子子带中的人口反转
作者:
Xu W.
;
Zhang C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
17.
Electron transport in low temperature grown GaAs
机译:
低温生长GaAs的电子传输
作者:
Arifin P.
;
Tansley T.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
18.
Investigation of the role of Ni in forming ultra-low resistance Ni-Ge-Au ohmic contacts to n/sup +/ GaAs
机译:
对NI在形成超低电阻Ni-Ge-Au欧姆欧姆触点到N / SUP + / GAAs的作用的研究
作者:
Lumpkin N.E.
;
Lumpkin G.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
19.
Modeling of a reflection MQW modulator with multiple pass bands
机译:
多磁带反射MQW调制器的建模
作者:
Xu M.G.
;
Siliquini U.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
20.
Quantum confinement: mechanism for visible electroluminescence from spark-processed silicon
机译:
量子限制:火花加工硅的可见电致发光机制
作者:
Yuan J.
;
Haneman D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
21.
Simulation of sub-micron ohmic contacts to GaAs
机译:
对GaAs的亚微米欧姆接触的模拟
作者:
Yao Li
;
Harrison H.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
22.
Performance enhancement of heterojunction field-effect transistors by shifting maximum of electrons from close to heterointerface
机译:
通过从靠近异色接口转换电子的最大电子来实现异质结晶体管的性能增强
作者:
Wen-Shiung Lour
;
Hung-Ren Chen
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
23.
Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies
机译:
用于Phz频率的LT MBE GaAs的性质
作者:
Kordos P.
;
Ruders F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
24.
Characterisation of residual disorder in Sn-implanted InP with perturbed angular correlation
机译:
具有扰动角度相关性的Sn植入INP中残留障碍的表征
作者:
Ridgway M.C.
;
Byrne A.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
25.
On the recombination currents effect of heterostructure-emitter bipolar transistors (HEBTs)
机译:
关于异质结构 - 发射极双极晶体管(Hebts)的重组电流效应
作者:
Wen-Chau Liu
;
Jung-Hui Tsai
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
26.
Electrical properties of nitrided SiO/sub 2/ on 6H-SiC by RTP
机译:
RTP的氮化SiO / Sub 2 / on 6H-SiC的电气性质
作者:
Hui-feng Li
;
Dimitrijev S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
27.
Fabrication, performance and modelling of high-speed GaAs MSM photodetectors
机译:
高速GaAs MSM光电探测器的制造,性能和建模
作者:
Winnall S.
;
Kachwalla Z.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
28.
Capacitance measurements on self-organised MOCVD-grown InGaAs quantum dots
机译:
自组织MOCVD-生长Ingaas量子点的电容测量
作者:
Babinski A.
;
Leon R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
29.
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in Ge/sub x/Si/sub 1-x//Si strained layer heterostructures
机译:
辐照温度对Ge / sub X / Si / sub 1-X // Si应变层异质结构的辐射菌株水平的影响
作者:
Glasko J.M.
;
Zou J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
30.
Analysis of intermodulation nulling in HEMTs
机译:
近端中互调的分析
作者:
Guoli Qu
;
Parker A.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
31.
Ion-implanted waveguide formation in silica
机译:
二氧化硅中的离子植入的波导形成
作者:
Johnson C.M.
;
Ridgway M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
32.
{111} and (311) rod-like defects in silicon ion implanted silicon
机译:
{111}和(311)硅离子植入硅的杆状缺陷
作者:
Chou C.T.
;
Cockayne D.J.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
33.
Point defects in ion implanted p-type silicon
机译:
离子植入p型硅中的点缺陷
作者:
Fatima S.
;
Svensson B.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
34.
High quality GaAs/InGaAs/AlGaAs vertical-cavity surface-emitting lasers grown at a constant temperature by molecular beam epitaxy
机译:
高质量的GaAs / Ingaas / Algaas垂直腔表面发射激光器通过分子束外延产生恒定温度
作者:
Zhang Z.H.
;
Li C.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
35.
Development of silicon microelectrodes for cochlear implant technology
机译:
用于耳蜗植入技术的硅微电极的研制
作者:
Parker J.R.
;
Harrison H.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
36.
An in-situ and ex-situ transmission electron microscopy study of the substrate orientational dependence of the solid-phase epitaxial growth of amorphized GaAs
机译:
原位和前透射电子显微镜研究了无态GaAs的固相外延生长的基础取向依赖性
作者:
Belay K.B.
;
Ridgway M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
37.
Surface phase diagram for ZnSe MBE growth
机译:
ZnSE MBE成长的表面相图
作者:
Riley J.
;
Wolfframm D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
38.
Luminescence at 1539 nm from erbium and oxygen implanted GaN
机译:
来自铒和氧气植入GaN的1539纳米的发光
作者:
Torvik J.T.
;
Qiu C.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
39.
Ion implantation for wavelength-shifting and quantum wire lasers
机译:
用于波长的离子植入和量子丝激光
作者:
Tan H.H.
;
Yong Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
40.
Methods of measuring the electric-field-dependent absorbtion coefficient in quantum confined structures
机译:
测量量子限制结构中电场依赖吸收系数的方法
作者:
Siliquini J.F.
;
Xu M.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
41.
Processing dependence of minority carrier lifetimes in multicrystalline silicon
机译:
少数型载体寿命在多晶硅硅中的处理依赖性
作者:
Stocks M.
;
Blakers A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
42.
Creation of adhesion resistant silica glass surfaces with ultraviolet laser cleaning
机译:
用紫外线激光清洗产生粘附性二氧化硅玻璃表面
作者:
Hafpenny D.R.
;
Kane D.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
43.
Ohmic contact spike arrays for nanostructure device fabrication: spike distribution and geometrical scattering of the electron-wave current
机译:
用于纳米结构装置制造的欧姆接触尖峰阵列:电子波电流的尖峰分布和几何散射
作者:
Newbury R.
;
Taylor R.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
44.
Fabrication and modelling of a prototype dual-band HgCdTe infrared detector structure
机译:
原型双带HGCDTE红外探测器结构的制造与建模
作者:
Parish G.
;
Musca C.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
45.
Optical properties of /spl delta/-doped GaAs nipi super-lattices
机译:
/ SPL Delta / -Doped GaAs Nipi超格子的光学性质
作者:
Johnston M.B.
;
Gal M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
46.
Study of piezoelectric effect in GaN thin films using a modified Michelson interferometer
机译:
使用改进的迈克尔逊干涉仪对GaN薄膜压电效应的研究
作者:
Muensit S.
;
Wilson D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
47.
Strain relief and interfacial structure in ZnSe layers grown on GaAs substrates
机译:
在GaAs基材上生长的ZnSE层中的应变浮雕和界面结构
作者:
Zhang Y.
;
Usher B.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
48.
Temperature dependent noise performance of Hg/sub 1-x/Cd/sub x/Te photoconductive detectors
机译:
HG / SUB 1-X / CD / SUB X / TE光电导探测器的温度依赖性噪声性能
作者:
Musca C.G.
;
Siliquini J.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
49.
Thermal contribution to the side-tuning of the lasing mode in multielectrode DBR lasers: influence on modulation bandwidth and laser linewidth
机译:
多电极DBR激光器中激光模式的侧调的热贡献:对调制带宽和激光线宽的影响
作者:
Bozorgui S.
;
Destrez A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
50.
Cathodoluminescence study of oval defects in MBE grown InGaAs/GaAs
机译:
MBE种植IngaAs / GaAs中椭圆形缺陷的阴极致发光研究
作者:
Russell-Harriott J.J.
;
Zou J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
51.
Effect of V/III ratio on the optical properties of LPMOVPE grown undoped GaAs epi-films
机译:
V / III比率对LPMOVPE的光学性质的影响未掺杂的GaAs外延膜
作者:
Hudait M.K.
;
Modak P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
52.
Electronic and optical properties of defects formed in Si during low energy noble gas ion bombardment
机译:
低能量贵气体离子轰击时Si中形成的缺陷的电子和光学性质
作者:
Deenapanray P.N.K.
;
Perret N.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
53.
Analysis and characterisation of erbium implanted, titanium diffused lithium niobate optical waveguides
机译:
植入铒,钛扩散锂铌酸盐光波导分析及表征
作者:
Mizzi P.
;
Austin M.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
54.
Ion beam induced intermixing of quantum well heterostructures for optoelectronic applications
机译:
离子束诱导量子孔异质结构的混合用于光电应用
作者:
Goldberg R.D.
;
Piva P.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
55.
Slow transient recombination phenomenon in mono-crystalline silicon
机译:
单晶硅中慢瞬态重组现象
作者:
Stuckings M.
;
Cuevas A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
56.
The optical and electrical characteristics of a-Si:H films prepared by ECR CVD
机译:
ECR CVD制备的A-Si:H薄膜的光学和电气特性
作者:
Moonsang Kang
;
Jaeyeong Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
57.
Developing InP/InGaAs detectors for laser radar systems
机译:
用于激光雷达系统的InP / InGaAs探测器
作者:
Yeow T.C.W.
;
Craig B.I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
58.
TiO/sub 2/ thin films prepared by sol-gel method for oxygen microsensor application
机译:
通过溶胶 - 凝胶法制备的TiO / Sub 2 /薄膜用于氧气微体施用
作者:
Atashbar M.Z.
;
Sun H.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
59.
Silicon nanocluster in silicon nitride: photoluminescence, Raman scattering and ESR studies
机译:
氮化硅中的硅纳米光刻:光致发光,拉曼散射和ESR研究
作者:
Gritsenko V.A.
;
Milov A.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
60.
Design, fabrication and modelling of InGaAs/AlAs/InP resonant tunnelling diode
机译:
InGaAs / Alas / InP谐振二极管的设计,制造和建模
作者:
Leung C.S.Y.
;
Skellern D.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
61.
Fabrication of low-cost capacitive accelerometers by 3D microforming
机译:
3D微雕刻制造低成本电容式加速度计
作者:
Qu W.
;
Wenzel C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
62.
Determination of recombination parameters in semiconductors from photoconductance measurements
机译:
从光电导测量中的半导体中重组参数的测定
作者:
Cuevas A.
;
Sinton R.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
63.
Photoluminescence studies of anodic-oxide-induced intermixing of GaAs/AlGaAs quantum well heterostructures
机译:
高氧化物氧化物诱导的GaAs / Algaas量子孔良差异晶体溶解的光致发光研究
作者:
Burke P.T.
;
Gal M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
64.
Realisation of submicron gate MESFETs using standard optical photolithography
机译:
使用标准光学光刻实现亚微米门MESFET
作者:
Kalfane A.
;
Karouta F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
65.
Structural and electrical properties of undoped GaAs grown by MOCVD
机译:
由MOCVD种植的未掺杂GaAs的结构和电学特性
作者:
Modak P.
;
Kumar Hudait M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
66.
Spectroscopic studies of low dimensional electron and hole systems in high quality GaAs-AlGaAs micro-structures
机译:
高质量GaAs-Algaas微结构中低尺寸电子和孔系统的光谱研究
作者:
Stadnik V.A.
;
Kane B.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
67.
Implementation of piecewise-linear model for self-consistent calculation of resonant tunnelling current
机译:
谐振隧道电流自一致性计算分段 - 线性模型的实现
作者:
Leung C.S.Y.
;
Skellern D.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
68.
Ion implantation into gallium nitride
机译:
离子植入氮化镓
作者:
Williams J.S.
;
Tan H.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
69.
Monolithically integrated MSM-PD/HEMT photoreceiver prepared on identical InP/InGaAs 2DEG heterostructure
机译:
在相同的InP / Ingaas 2deg异质结构上制备的单片集成MSM-PD / HEMT光致敏感性
作者:
Kordos P.
;
Horstmann M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
70.
A new functional AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure-emitter and heterostructure-base transistor (HEHBT)
机译:
一种新的功能allaas / Ingaas / Gaas异质结构 - 发射器和异质结构基晶体管(Hehbt)
作者:
Wen-Chau Liu
;
Jung-Hui Tsai
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
71.
Optical and thermal response of thick YBCO-Bismuth junctions
机译:
厚YBCO-铋连接点的光学和热响应
作者:
Kaila M.M.
;
Cochrane J.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
72.
Realistic continuum hole states in Si-SiGe quantum wells
机译:
Si-Sige量子井的现实连续孔状态
作者:
Galiev V.I.
;
Goldys E.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
73.
Tunable semiconductor Sinai billiards
机译:
可调半导体西奈台球
作者:
Taylor R.P.
;
Newbury R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
74.
Recent progress in /spl delta/-doped compound semiconductors
机译:
最近的进展/ SPL Delta / -doped复合半导体
作者:
Li G.
;
Jagadish C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
75.
Photoluminescence characteristics of Cd and Zn diffused layers in InP
机译:
INP中CD和Zn扩散层的光致发光特性
作者:
Sang Kee Si
;
Sung June Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
76.
Sol-gel derived WO/sub 3/ coatings on Ti:LiNbO/sub 3/ optical waveguide for gas sensing
机译:
溶胶 - 凝胶衍生的Ti / Sub 3 /涂层:LINBO / SUB 3 /光波导用于气体传感
作者:
Chen Z.H.
;
Ma X.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
77.
Slow trap profiling-a new technique for characterising slow traps in MOS dielectrics
机译:
缓慢陷阱分析 - 一种新技术,用于在MOS电介质中表征慢陷阱
作者:
Tanner P.G.
;
Dimitrijev S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
78.
Design and fabrication of liquid media sensors based on shear horizontal surface acoustic wave devices
机译:
基于剪切水平表面声波装置的液体介质传感器的设计与制造
作者:
Campitelli A.
;
Wlodarski W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
79.
Far-infrared measurements of cyclotron resonance and impurity transitions in bulk n-GaAs in pulsed magnetic fields
机译:
脉冲磁场中散装N-GaAs中的回旋谐振和杂质过渡的远红外测量
作者:
Lewis R.A.
;
Heron R.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
80.
Simulation of Be diffusion in InGaAs epitaxial layers in the case of point defect nonequilibrium
机译:
在点缺陷的情况下InGaAs外延层在点缺陷非核状的情况下模拟
作者:
Gautier S.
;
Koumetz S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
81.
Fabrication and characterization of precisely graded parabolic quantum wells using monolayer deposition
机译:
用单层沉积制造和表征精确分级抛物面量子孔的制造与表征
作者:
Kane B.E.
;
Facer G.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
82.
Phase retrieval methods for the determination of transverse mode structure in vertical-cavity surface-emitting lasers
机译:
垂直腔表面发射激光器测定横向模式结构的相位检索方法
作者:
Cohen M.I.
;
Rakic A.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
83.
Growth of gallium antimonide (GaSb) by metalorganic chemical vapour deposition
机译:
通过金属化学气相沉积镓锑(GASB)的生长
作者:
Subekti A.
;
Goldys E.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
84.
Interdiffusion in GaAs bipolar structures
机译:
在GaAs双极结构中的相互作用
作者:
Li W.M.
;
Cohen R.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
85.
Passivation and reactivation of deep Fe and Cu levels in p-type GaAs
机译:
P型GaAs中Deep Fe和Cu水平的钝化和再活化
作者:
Radue C.
;
Conibear A.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
86.
KOH wet etching techniques for the micromachining of (100) SOI wafers
机译:
用于(100)SOI晶片的微机械线的KOH湿法蚀刻技术
作者:
Rosa M.A.
;
Dimitrijev S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
87.
The effect of broadening on the optical dielectric function of GaAs and AlAs
机译:
扩大对GaAs和AlaS光学介质功能的影响
作者:
Rakic A.D.
;
Majewski M.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
88.
Modelling, fabrication and characterisation of polymer antiresonant reflecting optical waveguides
机译:
聚合物反射光波导的建模,制造与表征
作者:
Mitchell A.
;
Kuver A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
89.
Saturation of effective channel length increase due to hot carrier degradation in submicron LDD nMOSFETs
机译:
由于亚微米LDD NMOSFET的热载体降解导致有效通道长度的饱和度
作者:
Jae-Yeong Kim
;
Moon-Sang Kang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
90.
Gap state transport in annealed low temperature grown GaAs inferred from the properties of Al/LT GaAs/n/sup +/GaAs Schottky diodes
机译:
从Al / LT GaAs / N / Sup + / GaAs肖特基二极管的性质推断出退火的低温生长GaAs中的间隙状态传输
作者:
Arifin P.
;
Tansley T.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
91.
Low temperature preparation of the SiO/sub 2/ films with low interface trap density using ECR diffusion and ECR CVD method
机译:
使用ECR扩散和ECR CVD方法,低温制备具有低接口捕集密度的SiO / Sub 2 /薄膜
作者:
Bup-Ju Jeon
;
Il-Hyun Jung
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
92.
Photo-modulated photoluminescence in III-V semiconductor quantum wells
机译:
III-V半导体量子阱中的光调制光致发光
作者:
Baars T.
;
Chtanov A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
93.
Electrical characterization of the subthreshold damage in ion implanted p-type silicon
机译:
离子植入P型硅中子划线损伤的电气表征
作者:
Fatima S.
;
Jagadish C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
94.
Misfit dislocations nucleated from the surface in strained-layer heterostructures
机译:
错入脱位从紧张层异质结构中的表面核化
作者:
Zou J.
;
Cockayne D.J.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
95.
The characteristics of resistive gate MOS transistors
机译:
电阻栅极MOS晶体管的特点
作者:
du Plessis M.
;
Schieke P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
96.
Implantation and annealing of Cu in InP for electrical isolation: microstructural characterisation
机译:
INP电气隔离中Cu的植入和退火:微观结构表征
作者:
Llewellyn D.J.
;
Ridgway M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
97.
The quantum noise suppressed photon coupled transistor
机译:
量子噪声抑制光子耦合晶体管
作者:
Wang K.
;
Edwards P.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
98.
Radiation hardness study of high purity detector grade silicon
机译:
高纯度探测器级硅的辐射硬度研究
作者:
Reinhard M.
;
Rosenfeld A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
99.
Solid-phase epitaxy of Al/sub x/Ga/sub (1-x/)As: kinetics as a function of composition
机译:
Al / sub X / GA / sub(1-x /)的固相外延为:动力学作为组成的函数
作者:
Hogg S.M.
;
Llewellyn D.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
100.
Optoelectronic determination of density of states in variable to wide band-gap materials
机译:
光电测定变量宽带间隙材料中的态密度
作者:
Singh J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials And Devices Proceedings》
|
1996年
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