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International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors

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1.Photon-enhanced wet oxidation and etching of GaN

机译：GaN的光子增强湿氧化和蚀刻
- 作者：L.-H. Peng;H.-M. Wu;C.-C. Chuo;J.-I. Chyi
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
2.FIB As a TEM Specimen Preparation Tool for III-V Compound Semiconductor Materials

机译：FIB作为III-V复合半导体材料的TEM样品制备工具
- 作者：Kultaransingh N. Hooghan;Shohei Nakahara;R. Privette;S. N. G. Chu
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
3.Use of Ti/W/Cu, Ti/Co/Cu and Ti/Mo/Cu multi-layer metals as Schottky metals for GaAs Schottky diodes

机译：使用Ti / W / Cu，Ti / Co / Cu和Ti / Mo / Cu / Cu的多层金属作为Gaas肖特基二极管的肖特基金属
- 作者：C. S. Lee;E. Y. Chang;J. J. He
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
4.Ain Films epitaxialy formed by direct nitridation of sapphire using aluminum oxynitride as a buffer layer

机译：通过使用氧互氧化铝作为缓冲层，通过直接氮化蓝宝石的氮化形成Ain薄膜形成
- 作者：W. Nakao;H. Fukuyama;K. Nagata
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
5.Electronic and Optoelectronic Devices Using Quaternary AlInGaN Layers

机译：使用第四纪化工层的电子和光电器件
- 作者：M. Asif Khan;M. Shatalov;G. Simin
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
6.GaN/Gd{sub}2O{sub}3/GaN single crystal heterostructure

机译：GaN / GD {Sub} 2O {Sub} 3 / GaN单晶异性结构
- 作者：M. Hong;J. Kwo;S. N. G. Chu;J. P. Mannaerts;G. Dabbagh;A. R. Kortan;H. M. Ng;A. Y. Cho;K. A. Anselm;C. M. Lee;J. I. Chyi
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
7.Dc and RF performance of proton-irradiated AlGaN/GaN high electron mobility transistors

机译：质子辐照的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的直流和RF性能
- 作者：B. Luo;J. W. Johnson;F. Ren;K. K. Allums;C. R. Abernathy;S. J. Pearton;R. Dwivedi;T. N. Fogarty;R. Wilkins;A. M. Dabiran
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
8.Kinetics of Al_xGa_(1-x)As oxidation layer by capacitance-voltage technique

机译：AL_XGA_（1-X）的动力学通过电容 - 电压技术作为氧化层
- 作者：N. C. Das;P. Newman;W. Chang
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
9.Physics of electron transport in nitrides

机译：氮化物中电子传输的物理
- 作者：M. S. Shur;R. Gaska;A. Khan
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
10.Fabrication and Characteristics of High Speed Implant-Confined, Index-Guided, Lateral-current 850 nm Vertical Cavity Surface Emitting Lasers

机译：高速植入局限，指数引导，横向电流850nm垂直腔表面发射激光器的制造和特性
- 作者：G. Dang;B. Luo;R. Mehandru;F. Ren;W. S. Hobson;J. Lopata;M. Tayahi;S. N. G. Chu;S. J. Pearton;W. Chang
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
11.Development of SiC gas sensor systems

机译：SiC气体传感器系统的开发
- 作者：G. W. Hunter;P. G. Neudeck;R. S. Okojie;G. M. Beheim;V. Thomas;L. Chen;D. Lukco;C. C. Liu;B. Ward;D. Makel
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
12.Mocvd growth of n-Al_xGa_(1-x)N

机译：n-al_xga_（1-x）n的MOCVD生长
- 作者：Shiping Guo;Milan Pophristic;Boris Peres;Ian Ferguson
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
13.Activating ion implants 4H-SiC by annealing with an AlN or BN cap

机译：通过用AlN或BN帽退火来激活离子植入物4H-SiC
- 作者：K. A. Jones;P. B. Shah;M. H. Ervin;M. A. Derenge;R. D. Vispute;J. A. Freitas;G. J. Gerardi
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
14.ZnO-based photoconductive detector

机译：ZnO基光电导探测器
- 作者：Min Seok Oh;Jung Cho;Won-Kook Choi
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
15.Er-doped GaN grown by molecular beam epitaxy

机译：被分子束外延生长的ER掺杂的GaN
- 作者：H. M. Ng
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
16.Nitrogen-induced decrease of the electron effective mass in GaAs_(1-x)N_x thin films measured by thermomagnetic transport phenomena

机译：通过热磁性传输现象测量的GaAs_（1-x）N_x薄膜中的电子有效质量降低的氮气诱导的降低
- 作者：D. L. Young;J. F. Geisz;T. J. Coutts
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
17.Thermal stability of Ni-Based ohmic contacts to n-SiC for high temperature and pulsed power device applications

机译：高温和脉冲电气装置应用的Ni基欧姆触点的热稳定性
- 作者：M. W. Cole;P. C. Joshi;C. Hubbard;J. D. Demaree;M. Ervin
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
18.ZnO-Based photoconductive UV detector

机译：基于ZnO的光电导UV探测器
- 作者：Min Seok Oh;Jung Cho;Won-Kook Choi
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
19.GaN/Gd_2O_3/GaN Single Crystal Heterostructure (Invited)

机译：GaN / GD_2O_3 / GaN单晶异性结构（邀请）
- 作者：M. Hong;J. Kwo;S. N. G. Chu;J. P. Mannaerts;G. Dabbagh;A. R. Kortan;H. M. Ng;A. Y. Cho;K. A. Anselm;C. M. Lee
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
20.In-situ photoluminecence from III-v semiconductor electrodes

机译：来自III-V半导体电极的原位光敏性
- 作者：E. Harvey;C. Heffernan;E. Morley;C. ORaifeartaigh;D. N. Buckley
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
21.MOCVD growth of n-Al{sub}xGa{sub}(1-x)N

机译：n-al {sub} xga {sub}（1-x）n的MOCVD生长
- 作者：Shiping Guo;Milan Pophristic;Boris Peres
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
22.Growth of III-Nitrides by MBE

机译：MBE的III-氮化物的生长
- 作者：A. V. Sampath;E. Iliopoulos;A. Battacharyya;I. Friel;Sandeep Iyer;J. Cabalu;T. D. Moustakas
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
23.Electrical characteristics of new Ni-MPS rectifier

机译：新型NI-MPS整流器的电气特性
- 作者：Keun-Yong Park;Hyoung-Ho Choi;Hong-Kyun Kim;Jun-Sik Kim;Sung-Yeol Kwon;Sie-Young Choi
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
24.In-situ Etching of InP in MOVPE Chamber using PCl_3

机译：使用PCL_3在MOVPE室中的原位蚀刻INP
- 作者：A. Ougazzaden;L. Peticolas;S. N. G. Chu
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
25.Sources of the parasitic chemical reactions during AlGaN OMVPE

机译：AlGaN OMVPE期间寄生化学反应的来源
- 作者：J. R. Creighton;W. G. Breiland;M. E. Coltrin
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
26.Improved surface morphology and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown by mocvd using different growth parameters

机译：使用不同的生长参数，通过MOCVD生长的InGaN / GaN多量子孔的表面形态和光学性质
- 作者：D. I. Florescu;Eric Passman;Dong Lu;D. S. Lee;A. Parekh;J. C. Ramer;Rick Stall
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
27.Optical acceptor ionization in III-nitrides

机译：III-氮化物中的光学受体电离
- 作者：S. F. LeBoeuf;E. B. Stokes;X. A. Cao;A. Ebong;P. M. Sandvik;C. R. Prasad
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
28.Activating Ion Implants in 4H-SiC by Annealing with an AIN or BN Cap

机译：通过用AIN或BN帽退火在4H-SiC中激活离子植入物
- 作者：K. A. Jones;P. B. Shah;M. H. Ervin;M. A. Derenge;R. D. Vispute;J. A. Freitas;G. J. Gerardi
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
29.Annealing behavior of Ar Implanted GaN

机译：Ar植入GaN的退火行为
- 作者：I. O. Usov;N. R. Parikh;D. Thomson;Z. Reitmeier;R. F. Davis
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
30.Optical properties of thick InGaN epilayers

机译：厚IngaN癫痫的光学性质
- 作者：S. Srinivasan;F. Bertram;A. Bell;F. A. Ponce
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
31.III-N based dilute magnetic semiconductors for spintronics applications

机译：III-n基于稀磁半导体的用于闪奖应用
- 作者：Y. D. Park;J. S. Lee;S.-Y. Lee;Eunsoon Oh;G. T. Thaler;M. E. Overberg;C. R. Abernathy;S. J. Pearton;J.-H. Kim
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
32.Kinetics of Al{sub}x Ga{sub}(1-x) As oxidation layer by capacitance-voltage technique

机译：通过电容 - 电压技术作为氧化物{Sub}（1-x）作为氧化层的动力学
- 作者：N. C. Das;P. Newman;W. Chang
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
33.Excitation mechanisms of rare earth ions embedded in GaN thin films

机译：GaN薄膜嵌入稀土离子的激发机制
- 作者：J. M. Zavada;U. Hommerich;D. S. Lee;J. Heikenfeld;A. J. Steckl
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
34.The commercialization of the SlC Flame sensor

机译：SLC火焰传感器的商业化
- 作者：Dale M. Brown;James Kretchmer;Jeff Fedison;Tony Dean;Leo Lombardo;Tony Dean
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
35.Thermodynamics for fabricating AIN/AION/SAPPHIRE double epitaxial layers as an advanced substrate for blue/ultraviolet optical devices

机译：用于制造AIN / AION / SAPPHIRE双外延层作为蓝色/紫外光学器件的先进基板的热力学
- 作者：H. Fukuyama;W. Nakao;K. Nagata
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
36.Nonlinear effects in AlGaN/GaN HFET's under large-signal RF conditions

机译：在大信号RF条件下AlGaN / GaN HFET中的非线性效应
- 作者：R. J. Trew;B. Davis
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
37.The interaction among defects during high temperature annealing of high purity SiC

机译：高纯度SiC高温退火期间缺陷之间的相互作用
- 作者：D. Alvarez;V. V. Konovalov;M. E. Zvanut
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
38.Enhancement of Photoluminescence and Microstructure of Undoped ZnO Thin Film Growth on Al_2O_3 (0001) Substrate by rf Magnetron Sputtering

机译：RF磁控溅射在AL_2O_3（0001）基板上的未掺杂ZnO薄膜生长的光致发光和微观结构
- 作者：Jung Cho;Ki Hyun Yoon;Min Seok Oh;Won-Kook Choi
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
39.Electronics and sensors based on pyroelectrc AlGaN/GaN heterostructures

机译：基于烫火AlGan / GaN异质结构的电子和传感器
- 作者：O. Ambacher;M. Eickhoff;G. Steinhoff;M. Hermann;L. Gorgens;V. Weiss;B. Baur;M. Stutzmann;R. Neuberger;J. Schalwig
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
40.Electrical Characterization of GaN Metal Oxide Semiconductor Diodes Using MgO as the Gate Oxide

机译：使用MgO作为栅极氧化物的GaN金属氧化物半导体二极管的电学特性
- 作者：J. Kim;B. Gila;R. Mechandru;J. W. Johnson;J. H. Shin;K. P. Lee;B. Luo;A. Onstine;C. R. Abernathy;S. J. Pearton;F. Ren
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
41.Omvpe growth of carbon-doped base layers for advanced heterostructure bipolar transistor applications

机译：用于高级异质结构双极晶体管应用的碳掺杂基础层的OMVPE生长
- 作者：E. A. Armour;M. J. Begarney;S. Ting;D. Florescu;S. Z. Sun
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
42.Anodic oscillatory behavior and film formation on indium phosphide

机译：磷化铟阳极振荡行为及薄膜形成
- 作者：D. N. Buckley;E. Harvey;S. N. G. Chu
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
43.Electron injection-induced effects in III-nitrides

机译：III-氮化物中的电子注射诱导的效果
- 作者：Leonid Chernyak
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年
44.Optimization of Magnetic GaMnN for Use in Photonic Devices

机译：光子器件中使用磁GAMNN的优化
- 作者：G. T. Thaler;M. E. Overberg;B. Gila;R. Frazier;C. R. Abernathy;S. J. Pearton;J. Kim;F. Ren;J. S. Lee;S. Y. Lee
- 会议名称：《International Symposia on State-of -the-Art Program on Compound Semiconductors》 | 2002年