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International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films

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1.Advances in single-wafer chemical vapor deposition of oxide and nitride films

机译：氧化物和氮化物膜的单晶片化学气相沉积的进展
- 作者：W. Pamler;Z. Gabric
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
2.Processing of thick thermal gate oxides in trenchs

机译：沟渠中厚热栅氧化物的处理
- 作者：C.-T. Wu;R. Ridley;T. Grebs;J. Hao;C. Knoedler;S. Suliman;B. Venkataramen;O. Awadelkarim;R. Willams;P. Roman
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
3.Influence of low-energy argon ion bombardment and vacuum annealing on the silicon nitride surface properties

机译：低能量氩离子轰击和真空退火对氮化硅表面性质的影响
- 作者：I. P. Petrenko;V. A. Grisenko;L. M. Logvinsky;Hei Wong
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
4.Rapid thermal processes of high permittivity files on silicon for Ulsi gate dielectrics applications

机译：用于Ulsi栅极电介质应用的硅上高介电常数文件的快速热过程
- 作者：Sing-Pin Tay;Rahul Sharangpani;Yao Zhi Hu
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
5.Characteristics of silicon oxynitrides made by ECR plasmas

机译：ECR等离子体制成的氧氮化硅特征
- 作者：J. A. Diniz;I. Doiand;J. W. Swart
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
6.Study of inversion layer hole mobility in p-MOSFET during high-field stressing

机译：高场应力期间P-MOSFET中反转层孔迁移率的研究
- 作者：D. Misra;R. K. Jarwal
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
7.Low energy ion irradiation of silicon: compound formation and segregation of impurities

机译：硅的低能量离子照射：杂质的复合形成和偏析
- 作者：M. Petravic;P. N. K. Deenapanray;J. S. Williams
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
8.Effect of oxygen in deposited ultrathin silicon nitride film on electrical properties

机译：氧气在沉积超薄氮化硅膜上的电气性能影响
- 作者：Kouichi Muraoka;Kazuaki Kurihara
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
9.Kinetics and mechanisms of organic contaminant interactions at silicon surfaces in high temperature processes

机译：高温过程中硅表面有机污染物相互作用的动力学和机制
- 作者：N. Rana;F. Shadman
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
10.Electrical Properties of SiO_2-Films Prepared by VUV Chemical Vapor Deposition

机译：通过VUV化学气相沉积制备的SiO_2膜的电性能
- 作者：Yoshikazu Motypama;Kiyohiko Toshikawa;Yushke Yagi;Kou Kurosawa;Wataru Sansaki
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
11.Characterization of silicon oxynitride thin films deposited by ECR-PECVD

机译：ECR-PECVD沉积的氧氮化硅薄膜的特征
- 作者：J. Wojcik;C. G. Simionescu;W. N. Lennard;H. K. Haugen;J. A. Davies;P. Mascher
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
12.Charging damage during plasma enhanced dielectric deposition

机译：等离子体增强介电沉积期间充电损坏
- 作者：Kin P. Cheung
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
13.Thermally induced stress changes in high-density plasma deposited silicon nitride films

机译：高密度等离子体沉积的氮化硅膜中的热诱导应力变化
- 作者：R. E. Sah;H. Baumann;M. Mikulla;R. Kiefer;G. Weimann
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
14.SiO_2 Film Deposition on Different Substrate Materials by Photo-CVD Using Vacuum Ultraviolet Radiation

机译：使用真空紫外线辐射通过光CVD在不同衬底材料上的SiO_2膜沉积
- 作者：Junichi Miyano;Yoshikazu Motoyama;Kiyohiko Toshikawa;Yusuke Yagi;Hideaki Yanagida;Kou Kurosawa;Atsushi Yokotani;Wataru Sasaki
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
15.Material and process considerations for ultra-thin silicon (oxy-)nitride films grown or deposited on silicon and SiO_2, surfaces

机译：用于在硅和SiO_2上生长或沉积的超薄硅（氧）氮化硅膜的材料和工艺考虑，表面
- 作者：C. P. DEmic;E. P. Gusev;K. Chan;T. Zabel;M. Copel;R. Murphy;P. Kozlowski;J. Newbury
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
16.Characterizations of low-temperature magneto plasma grown Si oxynitride and Si oxide

机译：低温磁化等离子体种植Si氧氮化物和Si氧化物的特征
- 作者：H. Ikoma
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
17.High integrity direct oxidation/nitridation at low temperature using radicals

机译：使用自由基，在低温下直接氧化/氮化直接氧化/氮化
- 作者：Tadahiro Ohmi;Shigetoshi Sugawa;Masaki Hirayama
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
18.Remote plasma deposited gate dielectrics on Si and SiGe MOSFETs

机译：Si和SiGe MOSFET上的远程等离子体沉积栅极电介质
- 作者：T. Ngai;R. Sharma;X. Chen;J. L. Fretwell;J. Chen;S. Banerjee
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
- MOSFET;
- remote plasma-assisted chemical vapor deposition;
- SiGe;
- SiO_2;
- surface channel;
- transconductance;
- water vapor annealing;
19.SiO{sub}2 film deposition on different substrate materials by photo-CVD using vacuum ultraviolet radiation

机译：SIO {SUB} 2通过使用真空紫外线辐射通过光CVD在不同衬底材料上映射
- 作者：Junichi Miyano;Yoshikazu Motoyama;Kiyohiko Toshikawa;Yusuke Yagi;Hideaki Yanagida;Kou Kurosawa;Atsushi Yokotani;Wataru Sasaki
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
20.Radiation hardening of oxynitrides formed by low energy nitrogen implantation into silicon prior to oxidation

机译：通过低能量氮气注入到氧化之前通过低能量氮气注入形成氧的辐射硬化
- 作者：J. A. Diniz;J. Godoy Fo;I. Doi;J. W. Swart
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
21.Two limiting thinnesses of the ultrathin gate oxides

机译：两个限制超薄栅极氧化物的薄薄度
- 作者：Samares Kar
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
22.Electrical properties of SiO{sub}2-films prepared by VUV chemical vapor deposition

机译：通过VUV化学气相沉积制备的SiO {Sub} 2膜的电性能
- 作者：Yoshikazu Motoyama;Junichi Miyano;Kiyohiko Toshikawa;Yusuke Yagi;Kou Kurosawa;Atsushi Yokotani;Wataru Sasaki
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
23.The connection between oxide leakage currents and Si/SiO_2 interface trap generation

机译：氧化物泄漏电流与Si / SiO_2接口陷阱生成的连接
- 作者：P. M. Lenahan
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
24.Silicon oxynitride: a versatile material for integrated optics application

机译：氧氮化硅：用于集成光学应用的多功能材料
- 作者：K. Worhoff;L. T. H. Hilderink;A. Driessen;P. V. Lambeck
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
25.Surface and interface study of ion beam deposited silicon oxide thin films

机译：离子束沉积氧化硅薄膜的表面和界面研究
- 作者：Heinz D. Wanzenboeck;Emmerich Bertagnolli;Bernhard Basnar;Jergen Smoliner;Herbert Hutter;Josef Brenner;C. Tomastik;Herbert Stori
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
26.A review of oxide wearout, breakdown, and reliability

机译：综述氧化磨损，击穿和可靠性
- 作者：D. J. Dumin
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年
27.Characterizations of low-temperature magneto-plasma grown Si oxynitride and Si oxide

机译：低温磁等离子体种植Si氧氮化物和Si氧化物的特征
- 作者：H. Ikoma
- 会议名称：《International Symposium on Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films》 | 2001年