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International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
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1.
A fast-switching SOI SA-LIGBT without NDR region
机译:
没有NDR区域的快速切换SOI SA-LIGBT
作者:
Jung-Hoon Chul
;
Dae-Seok Byeon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
2.
High density, sub 10 m Ohm R/sub dson/ 100 volt N-channel FETs for automotive applications
机译:
高密度,SUB 10 M OHM R / SUB DSH / 100伏N沟道FET用于汽车应用
作者:
Sobhani S.
;
Kinzer D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
3.
Double-side packaged, high power IGBTs for improved thermal and switching characteristics
机译:
双面封装,高功率IGBT,可改善热和开关特性
作者:
Shanqi Zhao
;
Sin J.K.O.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
4.
Multi-voltage device integration technique for 0.5 /spl mu/m BiCMOS and DMOS process
机译:
0.5 / SPL MU / M BICMOS和DMOS工艺的多压电装置集成技术
作者:
Terashima T.
;
Yamamoto F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
5.
A 0.8 /spl mu/m-standard CMOS merges one-wire protocol interpreter and 2.5 A-18 V power switch to accomplish low-cost automotive network
机译:
0.8 / SPL MU / M标准CMOS合并单线协议口译员和2.5 A-18 V电源开关,实现低成本的汽车网络
作者:
Dos Reis Filho C.A.
;
Seminario J.A.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
6.
An advanced FWD design concept with superior soft reverse recovery characteristics
机译:
一种先进的FWD设计概念,具有卓越的软反转恢复特性
作者:
Nemoto M.
;
Nishiura A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
7.
A novel 'cool' insulated base transistor
机译:
一种新颖的“酷”绝缘基础晶体管
作者:
De Souza M.M.
;
Spulber O.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
8.
A review of RESURF technology
机译:
Resurf技术综述
作者:
Ludikhuize A.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
9.
A new degree of freedom in diode optimization: arbitrary axial lifetime profiles by means of ion irradiation
机译:
二极管优化的新自由度:通过离子照射任意轴向寿命型材
作者:
Hazdra P.
;
Vobecky J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
10.
Analysis of the forward biased safe operating area of the super junction MOSFET
机译:
超界MOSFET的正向偏置安全操作区域分析
作者:
Zhang B.
;
Xu Z.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
11.
A new generation of power unipolar devices: the concept of the FLoating islands MOS transistor (FLIMOST)
机译:
新一代电力单极设备:浮岛MOS晶体管的概念(FLIMOST)
作者:
Cezac N.
;
Morancho F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
12.
Comparison of stripe and cellular geometry for short circuit rated trench IGBT
机译:
短路额定沟槽IGBT条纹和蜂窝几何学的比较
作者:
Chong Man Yun
;
Hyun Chul Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
13.
Light-triggered thyristors with integrated protection functions
机译:
具有集成保护功能的光触发晶闸管
作者:
Niedernostheide F.-J.
;
Schulze H.-J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
14.
Reliability characterization of LDMOS transistors submitted to multiple energy discharges
机译:
提交到多个能量放电的LDMOS晶体管的可靠性表征
作者:
Bosc J.-M.
;
Percheron-Garcon I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
15.
2000 International Symposium On Power Semiconductor Devices And IC's
机译:
2000年电力半导体器件和IC的国际研讨会
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
16.
Thermal analysis of high power IGBT modules
机译:
高功率IGBT模块的热分析
作者:
Khatir Z.
;
Lefebvre S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
17.
Physical phenomena in Si power diodes operating at high carrier injection levels and high temperature
机译:
在高载体喷射水平和高温下运行的SI电力二极管的物理现象
作者:
Hillkirk L.M.
;
Breitholtz B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
18.
Implant spacer optimization for the improvement of power MOSFETs' unclamped inductive switching (UIS) and high temperature breakdown
机译:
用于改进功率MOSFET的无扫描电感切换(UIS)和高温击穿的植入间隔优化
作者:
Kocon C.
;
Zeng J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
19.
Advanced power copper technology for SMARTMOS/sup TM/ application designs
机译:
SmartMOS / SUP TM /应用设计的先进电源铜技术
作者:
Pages I.
;
Baird B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
20.
2.3 kVac 100 MHz multi-channel monolithic isolator IC
机译:
2.3 KVAC 100 MHz多通道单片隔离器IC
作者:
Kojima Y.
;
Nemoto M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
21.
Trench corner rounding technology using hydrogen annealing for highly reliable trench DMOSFETs
机译:
沟渠角舍入技术采用氢退火用于高可靠性沟槽DMOSFET
作者:
Sang-Gi Kim
;
Jongdae Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
22.
The monolithic bidirectional switch (MBS)
机译:
单片双向开关(MBS)
作者:
Heinke F.
;
Sittig R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
23.
High temperature static and dynamic characteristics of 3.7 kV high voltage 4H-SiC JBS
机译:
高温静态和动态特性为3.7 kV高压4H-SiC JBS
作者:
Asano K.
;
Hayashi T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
24.
Experimental measurements of recombination lifetime in proton irradiated power devices
机译:
质子辐照功率器件中重组寿命的实验测量
作者:
Daliento S.
;
Sanseverino A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
25.
Over 2000 V FLR termination technologies for SiC high voltage devices
机译:
用于SIC高压设备的2000多个FLR终端技术
作者:
Onose H.
;
Oikawa S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
26.
4.5 kV novel high voltage high performance SiC-FET 'SIAFET'
机译:
4.5 kV新型高压高性能SiC-FET“SIAFET”
作者:
Sugawara Y.
;
Asano M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
27.
Optimization of the body-diode of power MOSFETs for high efficiency synchronous rectification
机译:
高效同步整流功率MOSFET体二极管的优化
作者:
Zeng J.
;
Wheatley C.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
28.
Evaluation of 600 V/100 A NPT-IGBT with a non-self-align shallow p-well formation techniques
机译:
评估600V / 100 A NPT-IGBT,具有非自我对准浅p井形成技术
作者:
Otsuki M.
;
Momota S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
29.
A 0.35 /spl mu/m CMOS based smart power technology for 7 V-50 V applications
机译:
基于0.35 / SPL MU / M CMOS的智能电力技术,可实现7 V-50 V应用
作者:
Parthasarathy V.
;
Zhu R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
30.
4.5 kV-2000 A Power Pack IGBT (ultra high power flat-packaged PT type RC-IGBT)
机译:
4.5 kV-2000电源组IGBT(超高功率平面PT型RC-IGBT)
作者:
Fujii T.
;
Yoshikawa K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
31.
High performance 300 V IGBTs
机译:
高性能300 V IGBT
作者:
Shenoy P.M.
;
Yedinak J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
32.
The effect of static and dynamic parasitic charge in the termination area of high voltage devices and possible solutions
机译:
静态和动态寄生电荷在高压装置终端面积中的影响和可能的解决方案
作者:
Trajkovic T.
;
Udrea F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
33.
A new power MOSFET having excellent avalanche capability
机译:
一种具有优异的雪崩功能的新型电源MOSFET
作者:
Uesugi T.
;
Suzuki T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
34.
Carrier lifetime characterization using an optimized free carrier absorption technique
机译:
使用优化的自由载体吸收技术承载寿命表征
作者:
Hille F.
;
Hoffmann L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
35.
Static and dynamic characteristics of 600-V, 10-A trench bipolar junction diodes
机译:
600-V,10-A沟槽双极结二极管的静态和动态特性
作者:
You B.
;
Huang A.Q.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
36.
Complementary LDMOS transistors for a CMOS/BiCMOS process
机译:
用于CMOS / BICMOS过程的互补LDMOS晶体管
作者:
Whiston S.
;
Bain D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
37.
A high voltage IGBT and diode chip set designed for the 2.8 kV DC link level with short circuit capability extending to the maximum blocking voltage
机译:
高压IGBT和二极管芯片组,专为2.8 kV DC链路电平而设计,短路能力延伸到最大阻塞电压
作者:
Bauer F.
;
Kaminski N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
38.
SiC power devices with low on-resistance for fast switching applications
机译:
用于快速切换应用的低导通电阻的SIC电源器件
作者:
Friedrichs P.
;
Mitlehner H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
39.
Comparison of high-frequency performance of quasi-SOI and conventional SOI power MOSFETs
机译:
Quasi-SOI和传统SOI功率MOSFET的高频性能比较
作者:
Hiraoka Y.
;
Matsumoto S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
40.
SCR-LDMOS. A novel LDMOS device with ESD robustness
机译:
SCR-LDMOS。具有ESD鲁棒性的新型LDMOS设备
作者:
Pendharkar S.
;
Teggatz R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
41.
Advantages of thick CVD gate oxide for trench MOS gate structures
机译:
用于沟槽MOS栅极结构的厚CVD栅极氧化物的优点
作者:
Nakamura K.
;
Kusunoki S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
42.
IGBT module setup with integrated micro-heat sinks
机译:
IGBT模块设置与集成的微散热器
作者:
Steiner T.
;
Sittig R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
43.
A unified high accuracy SPICE library for the power semiconductor devices built with the analog behavioral macromodeling technique
机译:
用模拟行为宏观耦合技术构建的功率半导体器件的统一高精度香料库
作者:
Maxim A.
;
Andreu D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
44.
Progress in wide bandgap semiconductor SiC for power devices
机译:
电力设备宽带隙半导体SiC进展
作者:
Matsunami H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
45.
LDMOS implementation in a 0.35 /spl mu/m BCD technology (BCD6)
机译:
LDMOS在0.35 / SPL MU / M BCD技术(BCD6)中实现
作者:
Moscatelli A.
;
Merlini A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
46.
Experimental study on plasma engineering in 6500 V IGBTs
机译:
6500 V IGBTS等离子工程的实验研究
作者:
Wikstrom T.
;
Bauer F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
47.
Folded gate LDMOS with low on-resistance and high transconductance
机译:
折叠栅极LDMOS,具有低导通电阻和高跨导
作者:
Shuming Xu
;
Yuanzheng Zhu
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
48.
Comparison between finite-element and analytical calculations for the lifetime estimation of bond wires in IGBT modules
机译:
有限元和分析计算的比较IGBT模块粘合线终型估计
作者:
Hager C.
;
Stuck A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
49.
Resurfed lateral bipolar transistors for high-voltage, high-frequency applications
机译:
用于高压,高频应用的重新进行横向双极晶体管
作者:
Cao G.J.
;
De Souza M.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
50.
Real time calculation of the chip temperature of power modules in PWM inverters using a 16 bit microcontroller
机译:
使用16位微控制器的PWM逆变器中电源模块芯片温度的实时计算
作者:
Reimann T.
;
Krummer R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
51.
High-density low on-resistance trench MOSFETs employing oxide spacers and self-align technique for DC/DC converter
机译:
采用氧化物间隔物和DC / DC转换器的高密度低导通电阻沟MOSFET和自对准技术
作者:
Jongdae Kim
;
Tae Moon Rob
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
52.
1500 V, 4 amp 4H-SiC JBS diodes
机译:
1500 V,4AMP 4H-SIC JBS二极管
作者:
Singh R.
;
Ryu S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
53.
Characterization of fast 4.5 kV SiC p-n diodes
机译:
快速4.5 kV SiC P-N二极管的表征
作者:
Peters D.
;
Friedrichs P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
54.
Dummy gated radio frequency VDMOSFET with high breakdown voltage and low feedback capacitance
机译:
具有高击穿电压和低反馈电容的伪门控射频VDMOSFET
作者:
Shuming Xu
;
Changhong Ren
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
55.
The Field Stop IGBT (FS IGBT). A new power device concept with a great improvement potential
机译:
现场停止IGBT(FS IGBT)。一种新的电源设备概念,具有巨大的改善潜力
作者:
Laska T.
;
Munzer M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
56.
Novel power MOS devices with SiGe/Si heterojunctions
机译:
具有SiGe / Si异质功能的新型电源MOS器件
作者:
Ping Li
;
Yajuan Su
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
57.
Tungsten and tungsten silicide (WSi/sub x/) as gate materials for trench MOSFETs
机译:
钨和钨硅化物(WSI / SUB X /)作为沟槽MOSFET的栅极材料
作者:
Ambadi S.
;
Hanneun D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
58.
Dielectric charge traps. A new structure element for power devices
机译:
介电陷阱。电力设备的新结构元件
作者:
Kapels H.
;
Plikat R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
59.
Which is cooler, trench or multi-epitaxy? Cutting edge approach for the silicon limit by the super trench power MOS-FET (STM)
机译:
哪个是较冷,沟槽或多籍?超级沟槽电源MOS-FET(STM)的硅极限的切削刃方法
作者:
Minato T.
;
Nitta T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
60.
Junction termination technique for super junction devices
机译:
超级接线装置的结终止技术
作者:
Bai Y.
;
Huang A.Q.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
61.
Substrate current protection in smart power IC's
机译:
智能电源IC中的基板电流保护
作者:
Gonnard O.
;
Charitat G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
62.
600 V trench-gate NPT-IGBT with excellent low on-state voltage
机译:
600 V沟槽NPT-IGBT,具有出色的导通电压低
作者:
Tanaka M.
;
Teramae S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
63.
IEGT design concept against operation instability and its impact to application
机译:
IEGT设计概念免受操作不稳定及其对应用的影响
作者:
Omura I.
;
Demon T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
64.
Single poly EEPROM for smart power IC's
机译:
用于智能电源IC的单多EEPROM
作者:
Carman E.
;
Parris P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
65.
Using 'Adaptive resurf' to improve the SOA of LDMOS transistors
机译:
使用“自适应Resurf”来改进LDMOS晶体管的SOA
作者:
Hower P.
;
Lin J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
66.
Analysis on the low current turn-on behavior of IGBT module
机译:
IGBT模块的低电流开启行为分析
作者:
Momota S.
;
Otsuki M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
67.
6.5 kV ultra soft fast recovery diode (U-SFD) with high reverse recovery capability
机译:
6.5 kV超软和快速恢复二极管(U-SFD)具有高反转恢复能力
作者:
Mori M.
;
Kobayashi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
68.
A-BCD: An economic 100 V RESURF silicon-on-insulator BCD technology for consumer and automotive applications
机译:
A-BCD:用于消费者和汽车应用的经济100 V Resurf硅与绝缘体BCD技术
作者:
van der Pol J.A.
;
Ludikhuize A.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
69.
Advanced on-chip polysilicon CMOS analog and driver circuit technology for intelligent discrete devices
机译:
用于智能离散设备的先进的片上多晶硅CMOS模拟和驱动电路技术
作者:
Matsudai T.
;
Kojima T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
70.
Author's Index
机译:
作者的索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
71.
A new void free soldering process in large-area, high power IGBT modules
机译:
大面积高功率IGBT模块中的一种新的无效焊接过程
作者:
Onuki J.
;
Chonan Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
72.
Minority carrier injection across the 3D RESURF junction
机译:
少数竞赛载体注射到3D Resurf交界处
作者:
Udrea F.
;
Popescu A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
73.
Improved device ruggedness by floating buffer ring
机译:
通过浮动圈改进装置坚固性
作者:
Ludikhuize A.W.
;
Heringa A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
74.
Electrical and electrothermal 2D simulations of a 4H-SiC high voltage current limiting device for serial protection applications
机译:
用于串行保护应用的4H-SiC高压电流限制装置的电气和电热2D模拟
作者:
Nallet F.
;
Senes A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
75.
A newly structured high voltage diode highlighting oscillation free function in recovery process
机译:
一种新结构的高压二极管突出显示振荡功能在恢复过程中
作者:
Satoh K.
;
Morishita K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
76.
A 0.35 /spl mu/m trench gate MOSFET with an ultra low on state resistance and a high destruction immunity during the inductive switching
机译:
一个0.35 / SPL MU / M沟槽栅极MOSFET,在电感切换期间具有超低电平的电阻和高销毁免疫力
作者:
Narazaki A.
;
Maruyama J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
77.
Optimizing 600 V punchthrough IGBT's for unclamped inductive switching (UIS)
机译:
优化600 V Prointhrough IGBT,用于未扫描的电感切换(UIS)
作者:
Yedinak J.
;
Wood B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
78.
A SOI LDMOS/CMOS/BJT technology for fully-integrated RF power amplifiers
机译:
用于全集成RF功率放大器的SOI LDMOS / CMOS / BJT技术
作者:
Tan Y.
;
Kumar M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
79.
A 65 V, 0.56 m/spl Omega/.cm/sup 2/ Resurf LDMOS in a 0.35 /spl mu/m CMOS process
机译:
65 V,0.56米/ SPL omega / .cm / sup 2 / Resurf Ldmos,在0.35 / spl mu / m cmos工艺中
作者:
Zhu R.
;
Parthasarathy V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
80.
Beyond Y2K: technology convergence as a driver of future low-voltage power management semiconductors
机译:
超越Y2K:技术融合作为未来低压电源管理半导体的驾驶员
作者:
Williams R.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
81.
A novel free wheeling diode for 1700 V IGBT module
机译:
1700 V IGBT模块的新型自由轮二极管
作者:
Iwamuro N.
;
Nagaune F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
82.
A novel vertical deep trench RESURF DMOS (VTR-DMOS)
机译:
一种新型垂直深沟槽Resurf DMOS(VTR-DMOS)
作者:
Glenn J.
;
Siekkinen J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
83.
Modelling and simulation of the transient electromagnetic behavior of high power bus bars under switching conditions
机译:
开关条件下大功率母线瞬态电磁行为的建模与仿真
作者:
Bohm P.
;
Wachutka G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
84.
Experimental results and simulation analysis of 250 V super trench power MOSFET (STM)
机译:
250 V超级沟槽电源MOSFET(STM)的实验结果和仿真分析
作者:
Nitta T.
;
Minato T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
85.
Improved 20 V lateral trench gate power MOSFETs with very low on-resistance of 7.8 m/spl Omega//spl middot/mm/sup 2/
机译:
改进了20 V横向沟槽栅极功率MOSFET,具有7.8米/ SPL OMEGA // SPL Middot / mm / sup 2 /
作者:
Nakagawa A.
;
Kawaguchi Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
86.
MDmesh/sup TM/: innovative technology for high voltage Power MOSFETs
机译:
MDMESH / SUP TM /:高压功耗MOSFET的创新技术
作者:
Saggio M.
;
Fagone D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
87.
High voltage driver built in a low voltage 0.18 /spl mu/m CMOS for cache redundancy applications in microprocessors
机译:
高压驱动器内置于低电压0.18 / SPL MU / M CMOS,用于微处理器中的缓存冗余应用
作者:
Bergemont A.
;
Saadat I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
88.
Physical compact modeling of layout dependent metal resistance in integrated LDMOS power devices
机译:
集成LDMOS电源装置中布局依赖金属电阻的物理紧凑型建模
作者:
Kniffin M.L.
;
Thoma R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
89.
4500 V trench IEGTs having superior turn-on switching characteristics
机译:
4500 V沟槽IGTS具有卓越的开启开关特性
作者:
Ninomiya H.
;
Takahashi J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
|
2000年
90.
Low voltage CMOS compatible power MOSFET for on-chip DC/DC converters
机译:
用于片上DC / DC转换器的低压CMOS兼容功率MOSFET
作者:
Nassif-Khalil S.G.
;
Honarkhah S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs》
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2000年
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