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Advances in Resist Technology and Processing
Advances in Resist Technology and Processing
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1.
Measurement of trace acid levels in diazonaphthoquinone photoactive compounds (PACs)
机译:
重氮碱基喹啉光活性化合物(PACS)中痕量酸水平的测量
作者:
Joseph Oberlander
;
Stanley F. Wanat
;
Ellie Gonzalez
;
Doug McKenzie
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
2.
Vacuum-vapor-deposited films based on benzo(a)phenoxazine derivatives under surface plasma fluorination
机译:
基于苯并(a)苯氧杂胺衍生物的真空 - 气相沉积薄膜在表面等离子体氟化下
作者:
Vladimir E. Agabekov
;
Olga E. Ignasheva
;
Vladimir N. Belyatsky
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
3.
Tailoring of a photoactive compound for non-chemically amplified 248-nm resist formulations
机译:
用于非化学扩增的248-nm抗蚀剂配方的光活性化合物
作者:
Michael J. Leeson
;
Adam Pawloski
;
Vrad Levering
;
Wang Yueh
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
4.
Wafer-cleaning process after plasma metal etch
机译:
等离子金属蚀刻后的晶圆清洁过程
作者:
Didier Louis
;
Wai-Mun Lee
;
Douglas Holmes
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
5.
Evaluation of TER-SYSTEM resist for 193-nm imaging
机译:
为193-NM成像进行替代品的评价
作者:
Donald W. Johnson
;
Matthew I. Egbe
;
Cindy Chen
;
Lin Lin
;
Yihua Liao
;
Ngalula C. Bukasa
;
Yasuhiro Suzuki
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
6.
Wavefront engineering from 500- to 100-nm CD
机译:
从500到100nm CD的波前工程
作者:
Marc D. Levenson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
7.
Design of a positive-tone water-soluble resist
机译:
设计正音水溶性抗蚀剂
作者:
Jennifer M. Havard
;
Jean M. Frechet
;
Dario Pasini
;
Brenda Mar
;
Shintaro Yamada
;
David R. Medeiros
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
8.
Novel combination of photoactive species: photoresists formed from selectively esterified novolacs and polyfunctional photoactive compounds
机译:
光活性物种的新组合:由选择性酯化酚醛清漆和多官能光活性化合物形成的光致抗蚀剂
作者:
Alfred T. Jeffries
;
David J. Brzozowy
;
Ahmad A. Naiini
;
Paula M. Gallagher-Wetmore
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
9.
Effect of polymer structure on dissolution-rate characteristics in carboxylated alicyclic polymers for 193-nm lithography
机译:
聚合物结构对193纳米光刻羧化脂环族聚合物溶出速率特性的影响
作者:
Shigeyuki Iwasa
;
Katsumi Maeda
;
Kaichiro Nakano
;
Etsuo Hasegawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
10.
Process effects resulting from an increased BARC thickness
机译:
由增加的Barc厚度产生的工艺效果
作者:
Ronald J. Eakin
;
Shangting F. Detweiler
;
Gregory J. Stagaman
;
Mark Tesauro
;
Mark A. Spak
;
Ralph R. Dammel
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
11.
Novel single-layer chemically amplified resist for 193-nm lithography
机译:
193-NM光刻的新型单层化学放大抗蚀剂
作者:
Sang-Jun Choi
;
Yool Kang
;
Dong-Won Jung
;
Chun-Geun Park
;
Joo T. Moon
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
12.
Time-dependent simulation of acid and product distributions in chemically amplified resist
机译:
在化学放大抗蚀剂中的酸和产物分布的时间依赖性模拟
作者:
Kazuya Kamon
;
Keisuke Nakazawa
;
Atsuko Yamaguchi
;
Nobuyoki Matsuzawa
;
Takeshi Ohfuji
;
Seiichi Tagawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
13.
Diffusivity measurements in polymers: IV. Acid diffusion in chemically amplified resists
机译:
聚合物中的扩散测量:IV。酸扩散在化学放大抗蚀剂中
作者:
Katherine E. Mueller
;
William J. Koros
;
Chris A. Mack
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
14.
Acid diffusion through polymer films
机译:
酸扩散通过聚合物膜
作者:
P. Linda Zhang
;
Andrew R. Eckert
;
C. Grant Willson
;
Stephen E. Webber
;
Jeffrey D. Byers
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
15.
Practical implementation of top-surface imaging process by silylation to sub-0.20-um lithography
机译:
通过甲硅烷化到亚0.20-um光刻的实际实现顶表面成像过程
作者:
Byung Jun Park
;
Ki Ho Baik
;
Hyeong Ki Kim
;
Jin Woong Kim
;
Cheol Kyu Bok
;
Johan Vertommen
;
Rik Rosenlund
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
16.
Determination of resist and development parameters for i-line photoresist AZ 7800 by experiment and simulation
机译:
实验和仿真测定I型光致抗蚀剂AZ 7800的抗蚀剂和开发参数
作者:
Lothar Bauch
;
Ulrich A. Jagdhold
;
Walter Spiess
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
17.
Photoresist characterization for lithography simulation: III. Development parameter measurements
机译:
光刻模拟光刻胶表征:III。开发参数测量
作者:
Clifford L. Henderson
;
Pavlos C. Tsiartas
;
Sanju Pancholi
;
Sajed A. Chowdhury
;
Katherine D. Dombrowski
;
C. Grant Willson
;
Ralph R. Dammel
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
18.
Chemical optimization of resist/developer systems tuned for sub-0.4-um process window expansion
机译:
用于子0.4-UM过程窗口扩展的抗蚀剂/开发人员系统的化学优化
作者:
Medhat A. Toukhy
;
Karin R. Schlicht
;
Kimberly Tarbox
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
19.
Novel polymeric dyes for bottom antireflective coatings
机译:
用于底部抗反射涂层的新型聚合物染料
作者:
Shuji Ding
;
Ping-Hung Lu
;
Ralph R. Dammel
;
J.Shan
;
S.Mehtsun
;
T.T. Hannigan
;
D.E. Eberly
;
Dinesh N. Khanna
;
Hatsuyuki Tanaka
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
20.
Electron-beam processing of deep-UV resist
机译:
深紫外线抗蚀剂的电子束加工
作者:
Matthew F. Ross
;
William R. Livesay
;
Karen Petrillo
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
21.
High-contrast chemically amplified resist for SR lithography
机译:
用于SR光刻的高对比度化学放大抗蚀剂
作者:
Teruhiko Kumada
;
Hiroshi Adachi
;
Hiroshi Watanabe
;
Hiroaki Sumitani
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
22.
Investigating positive DUV resist profile on TiN
机译:
调查锡上的正DUV抵抗曲线
作者:
Qizhi He
;
William L. Krisa
;
Wei W. Lee
;
Wei-Yung Hsu
;
Hong Yang
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
23.
Overview of photoacid generator design for acetal resist systems
机译:
缩醛抗蚀剂系统光拍发电机设计概述
作者:
Francis M. Houlihan
;
Omkaram Nalamasu
;
Elsa Reichmanis
;
Allen G. Timko
;
U.Varlemann
;
Thomas I. Wallow
;
N.Bantu
;
J.Biafore
;
Thomas R. Sarubbi
;
Pasquale A. Falcigno
;
H.J. Kirner
;
Norbert Muenzel
;
Klaus Petschel
;
Hans-Thomas Schacht
;
Reinhard Schulz
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
24.
Probing the environmental stability and bake latitudes of acetal vs. ketal protected polyvinylphenol DUV resist systems
机译:
抗缩醛与乙醛保护聚乙烯苯酚DUV抗蚀剂系统的环境稳定性和烘烤纬度
作者:
Uday Kumar
;
Ashish Pandya
;
Roger F. Sinta
;
Wu-Song Huang
;
Rao Bantu
;
Ahmad D. Katnani
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
25.
Laser removal of deep submicron-patterned photoresist after RIE of polysilicon contacts and vias
机译:
在多晶硅触点和通孔的RIE后激光去除深亚微米图案的光致抗蚀剂
作者:
Menachem Genut
;
Ofer Tehar-Zahav
;
Eli Iskevitch
;
Boris Livshits
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
26.
Effect of salt on the dissolution of novolac in base
机译:
盐对基础酚醛清漆溶解的影响
作者:
Myoung S. Kim
;
Arnost Reiser
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
27.
Surface tension and adhesion of photo- and electron-beam resists
机译:
光照和电子束抗蚀剂的表面张力和粘附性
作者:
Joachim J. Bauer
;
G.Drescher
;
H.Silz
;
H.Frankenfeld
;
M.Illig
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
28.
Practical resists for 193-nm lithography using 2.38 TMAH: physicochemical influences on resist performance
机译:
使用2.38%TMAH的193-NM光刻的实用抗蚀剂:物理化学对抗蚀性能的影响
作者:
Charles R. Szmanda
;
Jackie Yu
;
George G. Barclay
;
James F. Cameron
;
Robert J. Kavanagh
;
Robert F. Blacksmith
;
Peter Trefonas
;
Gary N. Taylor
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
29.
Comparative study of positive chemically amplified photoresist performance for x-ray and DUV lithography
机译:
X射线和DUV光刻阳性化学扩增光致抗蚀剂性能的比较研究
作者:
Azalia A. Krasnoperova
;
Hiroshi Ito
;
Gregory Breyta
;
Debra Fenzel-Alexander
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
30.
Diffusivity measurements in polymers: III. Quartz crystal microbalance techniques
机译:
聚合物中的扩散测量:III。石英晶体微稳态技术
作者:
Katherine E. Mueller
;
William J. Koros
;
Yvonne Y. Wang
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
31.
Evaluation of an on-site developer blending system on the variability of developer concentration
机译:
对开发人员浓度可变性的现场开发人员混合系统的评估
作者:
Debra M. Carrieri
;
Travis A. Lemke
;
Paul J. Adams
;
Ashok V. Rao
;
Wayne L. Funk
;
Eric V. Estep
;
Jason B. Johnson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
32.
Photoresist materials: a historical perspective
机译:
光致抗蚀剂材料:历史观点
作者:
C. Grant Willson
;
Ralph R. Dammel
;
Arnost Reiser
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
33.
Deblocking reaction of chemically amplified positive DUV resists
机译:
化学扩增阳性DuV抗蚀剂的去块反应
作者:
Mitsuharu Yamana
;
Toshiro Itani
;
Hiroshi Yoshino
;
Shuichi Hashimoto
;
Norihiko Samoto
;
Kunihiko Kasama
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
34.
Diffusivity measurements in polymers: I. Lithographic modeling results
机译:
聚合物中的扩散率测量:I。光刻建模结果
作者:
Chris A. Mack
;
Katherine E. Mueller
;
Allen B. Gardiner
;
Anwei Qin
;
Ralph R. Dammel
;
William J. Koros
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
35.
Effects of crosslinking agent on lithographic performance of negative-tone resists based on poly(p-hydroxystyrene)
机译:
交联剂对基于聚(P-羟基苯乙烯)的阴性抗蚀剂光刻性能的影响
作者:
Qinghuang Lin
;
Ahmad D. Katnani
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
36.
Environmentally stable chemically amplified resist
机译:
环境稳定化学放大抗蚀剂
作者:
Yasuhiro Kameyama
;
Hiroshi Tomiyasu
;
Michinori Tsukamoto
;
Takaaki Niinomi
;
Yuki Tanaka
;
Jun Fujita
;
Tameichi Ochiai
;
Akira Uedono
;
Shoichiro Tanigawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
37.
ArF photoresist system using alicyclic polymer
机译:
使用脂环族聚合物的ARF光致抗蚀剂系统
作者:
Joo-Hyeon Park
;
Seong-Ju Kim
;
Sun-Yi Park
;
Hosull Lee
;
Jae-Chang Jung
;
Cheol Kyu Bok
;
Ki Ho Baik
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
38.
Dependence of optical constants of AZ BARLi bottom coating on bake conditions
机译:
Az Barli底层涂层光学常数对烘烤条件的依赖性
作者:
Ralph R. Dammel
;
John P. Sagan
;
Ron A. Synowicki
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
39.
Advanced simulation techniques for thick photoresist lithography
机译:
厚光致抗蚀剂光刻的高级仿真技术
作者:
Warren W. Flack
;
Gary Newman
;
Douglas A. Bernard
;
Juan C. Rey
;
Y.Granik
;
Victor V. Boksha
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
40.
Photoresist characterization for lithography simulation: IV. Processing effects on resist parameters
机译:
光刻胶表征光刻模拟:IV。处理对抗蚀剂参数的影响
作者:
Clifford L. Henderson
;
Pavlos C. Tsiartas
;
Lewis W. Flanagin
;
Sanju Pancholi
;
Sajed A. Chowdhury
;
Katherine D. Dombrowski
;
Ammar N. Chinwalla
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
41.
Tunable AR for DUV lithography
机译:
DuV光刻调节AR
作者:
Edward K. Pavelchek
;
Manuel doCanto
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
42.
Acid diffusion control in chemical amplification positive resists by exchange reaction of conjugate bases
机译:
通过缀合物碱的交换反应进行化学扩增阳性抗酸性抗蚀剂
作者:
Toshio Sakamizu
;
Tadashi Arai
;
Hidenori Yamaguchi
;
Hiroshi Shiraishi
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
43.
Reactivity and kinetic parameters for UVIIHS
机译:
UVIIIHS的反应性和动力学参数
作者:
Gregory M. Wallraff
;
Juliann Opitz
;
William D. Hinsberg
;
Frances A. Houle
;
James W. Thackeray
;
Theodore H. Fedynyshyn
;
Doris Kang
;
Martha M. Rajaratnam
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
44.
Function-integrated alicyclic polymer for ArF chemically amplified resists
机译:
用于ARF化学放大抗蚀剂的功能整合脂环族聚合物
作者:
Katsumi Maeda
;
Kaichiro Nakano
;
Shigeyuki Iwasa
;
Etsuo Hasegawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
45.
Enhancing the development-rate model for optimum simulation capability in the subhalf-micron regime
机译:
增强Subhalf-micron制度中最佳模拟能力的发展速率模型
作者:
Graham G. Arthur
;
Brian Martin
;
Chris A. Mack
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
46.
Acid amplification of chemically amplified resists for 193-nm lithography
机译:
193-NM光刻的化学放大抗蚀剂的酸扩增
作者:
Takeshi Ohfuji
;
Makoto Takahashi
;
Koichi Kuhara
;
Tohru Ogawa
;
Hiroshi Ohtsuka
;
Masaru Sasago
;
Kunihiro Ichimura
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
47.
Effects of DUV resist sensitivities on lithographic process window
机译:
DuV抵抗敏感性对光刻过程窗口的影响
作者:
Kevin G. Kemp
;
Daniel J. Williams
;
Joseph W. Cayton
;
Peter Steege
;
Steve Slonaker
;
Richard C. Elliott
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
48.
Recent advances in 193-nm single-layer photoresists based on alternating copolymers of cycloolefins
机译:
基于环烯烃的交替共聚物的193-NM单层光致抗蚀剂的最新进展
作者:
Francis M. Houlihan
;
Thomas I. Wallow
;
Allen G. Timko
;
E.Neria
;
Richard S. Hutton
;
Raymond A. Cirelli
;
Omkaram Nalamasu
;
Elsa Reichmanis
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
49.
Photoresist characterization for lithography simulation: II. Exposure parameter measurements
机译:
光刻胶表征光刻模拟:II。曝光参数测量
作者:
Clifford L. Henderson
;
Sanju Pancholi
;
Sajed A. Chowdhury
;
C. Grant Willson
;
Ralph R. Dammel
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
50.
High-sensitivity silylation process for 193-nm lithography
机译:
193-nm光刻的高灵敏度甲硅烷基过程
作者:
Shigeyasu Mori
;
Koichi Kuhara
;
Takeshi Ohfuji
;
Masaru Sasago
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
51.
Acid evaporation property in chemically amplified resists
机译:
酸蒸发性能在化学放大抗蚀剂中
作者:
Shuichi Hashimoto
;
Toshiro Itani
;
Hiroshi Yoshino
;
Mitsuharu Yamana
;
Norihiko Samoto
;
Kunihiko Kasama
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
52.
Modulated-temperature DSC (MT-DSC): a new technique for the extensive thermal characterization of complex chemically amplified systems
机译:
调制温度DSC(MT-DSC):复杂化学放大系统广泛热表征的新技术
作者:
Patrick J. Paniez
;
S.Brun
;
S.Derrough
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
53.
PHS with inert blocking groups for DUV negative resist
机译:
具有惰性阻塞组的pH,用于DUV负抗蚀剂
作者:
William R. Brunsvold
;
Will Conley
;
Pushkara R. Varanasi
;
Mahmoud Khojasteh
;
Niranjan M. Patel
;
Antoinette F. Molless
;
Mark O. Neisser
;
Gregory Breyta
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
54.
Fluorescence detection of photoacid in chemically amplified resists
机译:
化学放大抗蚀剂中光酸的荧光检测
作者:
Andrew R. Eckert
;
Wayne M. Moreau
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
55.
Use of complex coordination chemistry for the deposition of inorganic materials: spin on metals and photoresist-free lithography
机译:
复杂配位化学以沉积无机材料:旋转金属和无光致抗蚀剂的光刻
作者:
Sharon L. Blair
;
C.W. Chu
;
Ralph R. Dammel
;
Ross H. Hill
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
56.
Predicting photoactive compound (PAC) decomposition tendencies in resists
机译:
预测抗蚀剂的光活性化合物(PAC)分解趋势
作者:
Stanley F. Wanat
;
Joseph Oberlander
;
Ellie Gonzalez
;
Doug McKenzie
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
57.
Synthesis of novolac resin by acid removal after condensation (ARAC) process
机译:
缩合后酸酸去除酚醛清漆树脂(ARAC)过程中的合成
作者:
Michelle M. Cook
;
M. Dalil Rahman
;
Dinesh N. Khanna
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
58.
Effect of base additive on process latitude in chemically amplified electron-beam resists
机译:
基础添加剂对化学放大电子束抗蚀剂过程纬度的影响
作者:
Satoshi Saito
;
Naoko Kihara
;
Takuya Naito
;
Makoto Nakase
;
Tetsuro Nakasugi
;
Yoshimitsu Kato
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
59.
Dissolution promotion in novolac-diazoquinone resists
机译:
脱洛烃 - 重氮醌抗蚀剂的溶解促进
作者:
Hsiao-Yi Shih
;
Arnost Reiser
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
60.
Bleaching-induced changes in the dispersion curves of DNQ photoresists
机译:
DNQ光致抗蚀剂分散曲线的漂白诱导的变化
作者:
Clifford L. Henderson
;
C. Grant Willson
;
Ralph R. Dammel
;
Ron A. Synowicki
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
61.
Characterization and optimization of positive-tone DUV resists on TiN substrates
机译:
锡基板上积极色调DUV抗蚀剂的表征及优化
作者:
Peter Zandbergen
;
Wendy Gehoel-van Ansem
;
Geert Vandenberghe
;
Veerle Van Driessche
;
Hans Vloeberghs
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
62.
Photoresist development modeling based on continuity equations
机译:
基于连续性方程的光致抗蚀剂开发建模
作者:
Yueqi Zhu
;
Luigi Capodieci
;
Franco Cerrina
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
63.
Optimal design of antireflective layer for DUV lithography and experimental results
机译:
DuV光刻抗反射层的最佳设计与实验结果
作者:
Seung Gol Lee
;
Kyung-Il Lee
;
Choong-Ki Seo
;
Jong-Ung Lee
;
YongKyoo Choi
;
ByungHo Nam
;
Jeong Y. Yu
;
Jae-Keun Jeong
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
64.
Non-chemically amplified 248-nm resist materials
机译:
非化学放大248-nm抗蚀剂材料
作者:
C. Grant Willson
;
Wang Yueh
;
Michael J. Leeson
;
Thomas Steinhausler
;
Christopher L. McAdams
;
Ralph R. Dammel
;
James R. Sounik
;
M.Aslam
;
Richard Vicari
;
Michael Sheehan
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
65.
Structure and property relationships of fractionated novolac resins
机译:
分级酚醛清漆树脂的结构和性质关系
作者:
Kuang-Jung R. Chen
;
Ranee W. Kwong
;
George Jordhamo
;
Robert D. Allen
;
Paula M. Gallagher-Wetmore
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
66.
Environmentally stable chemically amplified positive resist containing vinyllactam terpolymers
机译:
含有乙烯酰胺三聚合物的环境稳定化学扩增的正抗抗性
作者:
Cheol Kyu Bok
;
Cha-Won Koh
;
Min-Ho Jung
;
Ki Ho Baik
;
Jin-Baek Kim
;
Jong-Ho Cheong
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
67.
Use of highly absorptive azo dyes in photoresist coatings
机译:
在光致抗蚀剂涂层中使用高吸收偶氮染料
作者:
Ping-Hung Lu
;
Shuji Ding
;
T.T. Hannigan
;
D.E. Eberly
;
Elaine Kokinda
;
Sunit S. Dixit
;
S.Mehtsun
;
Anthony J. Corso
;
Dinesh N. Khanna
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
68.
Process techniques for improving post-exposure delay stability in chemically amplified resists
机译:
用于改善化学放大抗蚀剂后曝光后延迟稳定性的过程技术
作者:
Sassan Nour
;
Edward K. Pavelchek
;
Tracy K. Lindsay
;
Matthew L. Moynihan
;
Lori Gambin
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
69.
Role of photoacid structure on the performance of 193-nm resists
机译:
Photoacid结构对193-nm抗蚀剂性能的作用
作者:
Robert D. Allen
;
Juliann Opitz
;
Carl E. Larson
;
Richard A. DiPietro
;
Gregory Breyta
;
Donald C. Hofer
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
70.
Determination of sodium and potassium in aqueous developers by flame emission spectroscopy
机译:
火焰发射光谱法测定含水开发钠和钾
作者:
Robert F. Almeida
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
71.
Refractive indices in thick photoresist films as a function of bake conditions and film exposure
机译:
厚光致抗蚀剂膜中的折射率作为烘烤条件和薄膜曝光的函数
作者:
Stanley A. Ficner
;
Ralph R. Dammel
;
Yvette M. Perez
;
Allen B. Gardiner
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
72.
Dry etching resistance of resist base polymer and its improvement
机译:
抗蚀剂基础聚合物的干蚀刻性及其改进
作者:
Shinji Kishimura
;
Yoshika Kimura
;
Junjiro Sakai
;
Kouichirou Tsujita
;
Yasuji Matsui
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
73.
Thermal stability of naphthodiazoquinone sensitizers
机译:
萘齐喹啉敏感剂的热稳定性
作者:
Wayne M. Moreau
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
74.
Highly sensitive resist material for deep x-ray lithography
机译:
深度X射线光刻的高灵敏度抗蚀剂材料
作者:
Wolfgang Ehrfeld
;
Volker Hessel
;
Heinz Lehr
;
Holger Loewe
;
Martin Schmidt
;
Rainer Schenk
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
75.
Design and process of a new DUV ARCH3 resist
机译:
新DUV ARCH3抗蚀剂的设计和过程
作者:
N.Bantu
;
B.Maxwell
;
Arturo Medina
;
Thomas R. Sarubbi
;
Medhat A. Toukhy
;
Hans-Thomas Schacht
;
Pasquale A. Falcigno
;
Norbert Muenzel
;
Klaus Petschel
;
Francis M. Houlihan
;
Omkaram Nalamasu
;
Allen G. Timko
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
76.
Terpolymer of maleic anhydride and cycloolefin derivatives as an ArF photoresist
机译:
马来酸酐和环烯烃衍生物的三元共聚物作为ARF光致抗蚀剂
作者:
Seong-Ju Kim
;
Joo-Hyeon Park
;
Ji-Hong Kim
;
Ki-Dae Kim
;
Hosull Lee
;
Jae-Chang Jung
;
Cheol Kyu Bok
;
Ki Ho Baik
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
77.
Dissolution behavior of phenolic resins and resists as studied by quartz crystal microbalance
机译:
酚醛树脂的溶解行为和石英晶体微稳定研究的抗蚀剂
作者:
Hiroshi Ito
;
Debra Fenzel-Alexander
;
Gregory Breyta
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
78.
Sub-150-nm electron-beam lithography using AZPN114 chemically amplified resist
机译:
使用AZPN114化学放大抗蚀剂的Sub-150-NM电子束光刻
作者:
Zheng Cui
;
R.A. Moody
;
Ian M. Loader
;
John G. Watson
;
Philip D. Prewett
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
79.
Complex triarylsulfonium salts as photoacid generators for deep-UV microlithography: synthesis identification and lithographic characterization of key individual components
机译:
复合三芳基锍盐作为深紫色微光刻的光酸发电机:合成识别和关键个体部件的光刻表征
作者:
James F. Cameron
;
Timothy G. Adams
;
Arturo J. Orellana
;
Martha M. Rajaratnam
;
Roger F. Sinta
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
80.
Diffusivity measurements in polymers: II. Residual casting solvent measurement by liquid scintillation counting
机译:
聚合物中的扩散测量:II。液体闪烁计数剩余铸造溶剂测量
作者:
Allen B. Gardiner
;
Anwei Qin
;
Clifford L. Henderson
;
Sanju Pancholi
;
William J. Koros
;
C. Grant Willson
;
Ralph R. Dammel
;
Chris A. Mack
;
William D. Hinsberg
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
81.
Optical lithography--thirty years and three orders of magnitude: the evolution of optical lithography tools
机译:
光学光刻 - 三十年和三个数量级:光学光刻工具的演变
作者:
John H. Bruning
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
82.
New single-layer positive photoresists for 193-nm photolithography
机译:
用于193-nm光刻的新单层正光刻胶
作者:
Uzodinma Okoroanyanwu
;
Tsutomu Shimokawa
;
Jeffrey D. Byers
;
David R. Medeiros
;
C. Grant Willson
;
Quingshang J. Niu
;
Jean M. Frechet
;
Robert D. Allen
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
83.
Novel functional nortricyclene polymers and copolymers for 248- and 193-nm chemically amplified resists
机译:
新型官能萘甲烯聚合物和共聚物248-和193-NM化学扩增的抗蚀剂
作者:
Quingshang J. Niu
;
Jean M. Frechet
;
Uzodinma Okoroanyanwu
;
Jeffrey D. Byers
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
84.
Novel process of isolating novolac resin fractions
机译:
隔离酚醛清漆树脂级分的新方法
作者:
M. Dalil Rahman
;
Ping-Hung Lu
;
Michelle M. Cook
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
85.
Microlithography and resist technology information at your fingertips via SciFinder
机译:
通过SCIFINDERS在指尖的微光线术和抵抗技术信息
作者:
Rengin Konuk
;
John Macko
;
Lisa Staggenborg
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
86.
Laser-specific photochemistry and lithography of DNQ-4-sulfonic-acid-ester-based photoresists
机译:
基于DNQ-4-磺酸 - 酯基光致抗蚀剂的激光特异性光化学和光刻
作者:
Juergen Bendig
;
Siegrun Helm
;
A.Uhl
;
Lothar Bauch
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing》
|
1997年
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