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Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th
Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th
召开年:
召开地:
Stockholm, Sweden
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
InP based material for long wavelength optoelectronics grown in a 24×2' (8×4') multiwafer Planetary Reactor® for mass production
机译:
在24×2英寸(8×4英寸)多晶片PlanetaryReactor®中生长的用于长波长光电的基于InP的材料用于批量生产
作者:
Christiansen K.
;
Hofeldt J.
;
Dauelsberg M.
;
Deufel M.
;
Heuken M.
;
Juergensen H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
2.
High speed (207 GHz f
τ
), low thermal resistance, high current density metamorphic InP/InGaAs/InP DHBTs grown on a GaAs substrate
机译:
在GaAs衬底上生长的高速(207 GHz f
τ sub>),低热阻,高电流密度变质InP / InGaAs / InP DHBT
作者:
Kim Y.M.
;
Dahlstrom M.
;
Lee S.
;
Wei Y.
;
Rodwell M.J.W.
;
Gossard A.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
3.
Epitaxially thin InP Schottky diodes for micromachined polymer membrane-on-silicon coplanar waveguides
机译:
外延薄型InP肖特基二极管,用于微加工的聚合物膜上硅共面波导
作者:
Avramescu V.
;
Hjort K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
4.
Calibration of SIMS measurements of unintentional oxygen concentrations in Al
0.3
Ga
0.7
N
y
As
(1-y)
and assessment of the purity of 1,1-dimethylhydrazine
机译:
Al
0.3 sub> Ga
0.7 sub> N
y sub> As
(1-y) sub>和1,1-二甲基肼纯度的评估
作者:
Maclean J.O.
;
Simons A.J.
;
Houlton M.R.
;
Martin T.
;
Birbeck J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
5.
Influence of Si-donor doping on the exciton localization in modulation-doped GaN/Al
0.07
Ga
0.93
N multiple quantum well
机译:
施主掺杂对调制掺杂GaN / Al
0.07 sub> Ga
0.93 sub> N多量子阱中激子局部化的影响
作者:
Haratizadeh H.
;
Paskov P.P.
;
Pozina G.
;
Holtz P.O.
;
Monemar B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
6.
Structural and optical properties of lateral composition modulation in (GaP)
n
/(InP)
n
short-period superlattice
机译:
(GaP)
n sub> /(InP)
n sub>短周期超晶格中横向成分调制的结构和光学性质
作者:
Jin Dong Song
;
Jong Min Kim
;
Young-Woo Ok
;
Tae-Yeon Seong
;
Yong Tak Lee
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
7.
Optimization of MOVPE-grown GaInNAs/GaAs quantum wells for 1.3-μm laser applications
机译:
MOVPE生长的GaInNAs / GaAs量子阱在1.3μm激光应用中的优化
作者:
Asplund C.
;
Sundgren P.
;
Hammar M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
8.
Self-excited Raman scattering by intersubband transition inAlGaInP/InGaP quantum well lasers at 300 K
机译:
子带内跃迁引起的自激拉曼散射300 K AlGaInP / InGaP量子阱激光器
作者:
Susaki W.
;
Uetsuji T.
;
Nishikawa K.
;
Gao X.
;
Ohno N.
;
Yagi T.
;
Oomura E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
9.
Conference Proceedings. 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference (Cat. No.02CH37307)
机译:
会议论文集。第十四届磷化铟及相关材料会议(目录号02CH37307)
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
10.
Improved speed performance of tensile-strained In
x
Ga
1-x
As (x<0.53) photodetectors utilizing a patterned substrate growth
机译:
利用图案化衬底生长提高了拉伸应变的In
x sub> Ga
1-x sub> As(x <0.53)光电探测器的速度性能
作者:
Kyoung-Hwan Oh
;
Seong-June Jo
;
Soo-Kang In
;
Jong-In Song
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
11.
A new quantum well intermixing technique using inductively-coupledArgon plasma on InGaAs/InGaAsP laser structures
机译:
利用感应耦合的量子阱混合新技术InGaAs / InGaAsP激光结构上的氩等离子体
作者:
Leong D.
;
Djie H.S.
;
Dowd P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
12.
Lasing operation under pulsed optical pumping of 1.55 μm external-cavity VCSELs using an InP/AlGaInAs bottom Bragg reflector
机译:
使用InP / AlGaInAs底部布拉格反射器在1.55μm外腔VCSEL的脉冲光泵浦下进行激光操作
作者:
Symonds C.
;
Saint-Girons G.
;
Sagnes I.
;
Mereuta A.
;
Oudar J.-L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
13.
Low noise characteristics of double-doped In
0.52
Al
0.48
As/In
0.53
Ga
0.47
As power metamorphic HEMT on GaAs substrate with wide head T-shaped gate
机译:
双掺杂In
0.52 sub> Al
0.48 sub> As / In
0.53 sub> Ga
0.47 sub> As功率变质HEMT的低噪声特性具有宽头T形栅极的GaAs衬底
作者:
Hyung Sup Yoon
;
Jin Hee Lee
;
Jae Yeob Shim
;
Seong Jin Kim
;
Dong Min Kang
;
Ju Yeon Hong
;
Woo Jin Chang
;
Kyung Ho Lee
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
14.
1.2 μm band multiple-wavelength GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser array on patterned substrate
机译:
图案化衬底上的1.2μm波段多波长GaInAs / GaAs垂直腔表面发射激光器阵列
作者:
Arai M.
;
Kondo T.
;
Azuchi M.
;
Uchida T.
;
Matsutani A.
;
Miyamoto T.
;
Koyama F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
15.
In-situ etching of InP and related P materials in MOVPE chamber using PCl
3
机译:
使用PCl
3 sub>在MOVPE室中原位蚀刻InP和相关的P材料
作者:
Ougazzaden A.
;
Peticolas L.
;
Rader M.
;
Chu S.N.G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
16.
Nonparabolic tendency of conduction subbands in In
0.53
Ga
0.47
As/In
0.52
Al
0.48
As multi-quantum wells by photocurrent spectroscopy
机译:
In
0.53 sub> Ga
0.47 sub> As / In
0.52 sub> Al
0.48 sub> As多量子阱中导带的非抛物线趋势光电流光谱
作者:
Tanaka K.
;
Kotera N.
;
Nakamura H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
17.
Comparative review of (GaIn)(PAs), (AlGaIn)As, (GaIn)(NaS) and Ga(AsSb) based materials for 1.3 μm laser applications
机译:
1.3μm激光应用中基于(GaIn)(PAs),(AlGaIn)As,(GaIn)(NaS)和Ga(AsSb)的材料的比较综述
作者:
Stolz W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
18.
InP/GaAsSb and (Al,Ga)InAs/GaAsSb DHBT material grown in a 4 inches multiwafer MBE machine
机译:
在4英寸多晶片MBE机器中生长的InP / GaAsSb和(Al,Ga)InAs / GaAsSb DHBT材料
作者:
Bove P.
;
Lahrche H.
;
Langer R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
19.
Strong carrier confinement in self-assembled InAs/InP001 elongated quantum islands emitting at 1.5 /spl mu/m
机译:
自组装InAs / InP 001细长量子岛中的强载流子限制为1.5 / spl mu / m
作者:
Salem B.
;
Guillot G.
;
Bremond G.
;
Monat C.
;
Gendry M.
;
Hollinger G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
20.
Potential of on-line MOVPE reproducibility control of 1.3 μm laser structures by optical in-situ measurements
机译:
通过光学原位测量控制1.3μm激光结构的在线MOVPE重现性的潜力
作者:
Steimetz E.
;
Ebert W.
;
Henninger B.
;
Wolfram P.
;
Zettler J.-T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
21.
Metamorphic InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors underhigh-current and high temperature stress
机译:
InP / InGaAs异质结双极晶体管高电流和高温应力
作者:
Hong Yang
;
Hong Wang
;
Radhakrishnan K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
22.
Thermal resistance characterization of 200 GHz F
t
InGaAs/InAlAs HBTs
机译:
200 GHz F
t sub> InGaAs / InAlAs HBT的热阻特性
作者:
Fields C.H.
;
Foschaar J.
;
Thomas S. III
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
23.
Quality improvement of oxidized-GaAs-GaAs structure by nitrogenplasma treatment
机译:
氮改善了氧化GaAs / n-GaAs结构的质量等离子处理
作者:
Paul N.C.
;
Ohta Y.
;
Tezuka D.
;
Nasuno M.
;
Yamamura Y.
;
Inokuma T.
;
Iiyama K.
;
Takamiya S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
24.
Electron lifetime of heavily Be-doped In
0.53
Ga
0.47
As as a function of growth temperature and doping
机译:
重掺杂In
0.53 sub> Ga
0.47 sub>的电子寿命与生长温度和掺杂的关系
作者:
Vignaud D.
;
Lampin J.F.
;
Lefebvre E.
;
Zaknoune M.
;
Mollot F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
25.
Fabrication of 3D a-Si/SiO
2
-photonic crystals on 2D sub-micron-patterned InP substrates
机译:
在2D亚微米图案的InP衬底上制备3D a-Si / SiO
2 sub>-光子晶体
作者:
Segawa T.
;
Utaka K.
;
Naganuma M.
;
Sato H.
;
Kawakami S.
;
Izutsu M.
;
Nakao M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
26.
Annealing characteristics of He+-ion implant isolation of InP/InGaAs HBT structures
机译:
InP / InGaAs HBT结构的He + sup>离子注入隔离的退火特性
作者:
Subramaniam S.C.
;
Rezazadeh A.A.
;
Too P.
;
Ahmed S.
;
Sealy B.J.
;
Gwilliam R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
27.
High reliability of 0.07 μm pseudomorphic InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs on 3-inch InP substrates
机译:
在3英寸InP衬底上的0.07μm伪晶格InGaAs / InAlAs / InP HEMT MMIC的高可靠性
作者:
Chou Y.C.
;
Leung D.
;
Lai R.
;
Grundbacher R.
;
Barsky M.
;
Tsai R.
;
Eng D.
;
Wojtowicz M.
;
Nishimoto M.
;
Liu P.H.
;
Oki A.
;
Streit D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
28.
Optimisation of abrupt emitter-base junction for heavily Be-doped InP/In
0.53
Ga
0.47
As heterojunction bipolar transistor
机译:
重掺杂InP / In
0.53 sub> Ga
0.47 sub>作为异质结双极晶体管的突然发射极-基极结的优化
作者:
Lefebvre E.
;
Zaknoune M.
;
Mollot F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
29.
Molecular beam epitaxial growth and characterization of In
1-x
Ga
x
As
1-y
Sb
y
/In
0.52
Al
0.48
As strained quantum well structures on InP substrates
机译:
In
1-x sub> Ga
x sub> As
1-y sub> Sb
y sub> / In <的分子束外延生长和表征InP衬底上的sub> 0.52 sub> Al
0.48 sub> As应变量子阱结构
作者:
Amano M.
;
Kawamura Y.
;
Fujimoto M.
;
Yokoyama T.
;
Inoue N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
30.
Low threshold efficient Sb-based type-I quantum-well VCSEL emitting in the λ = 2-2.5 μm range
机译:
在λ= 2-2.5μm范围内发射的低阈值有效基于Sb的I型量子阱VCSEL
作者:
Cerutti L.
;
Garnache A.
;
Genty F.
;
Alibert C.
;
Romanini D.
;
Picard E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
31.
1.3 μm BH-FP laser with integrated monitor photodiode, 45° reflector for bottom side emission employing full on-wafer fabrication
机译:
1.3μmBH-FP激光器,带有集成式监控光电二极管,45°反射镜,用于底面发射,采用完整的晶圆制造
作者:
Janiak K.
;
Albrecht P.
;
Fidorra S.
;
Heidrich H.
;
Rehbein W.
;
Roehle H.
;
Althaus H.-L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
32.
High current (100 mA) InP/InGaAs/InP DHBTs with 330 GHz f
max
机译:
330 GHz f
max sub>的高电流(100 mA)InP / InGaAs / InP DHBT
作者:
Yun Wei
;
Sangmin Lee
;
Sundararajan P.K.
;
Dahlstrom M.
;
Urteaga M.
;
Rodwell M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
33.
Quantitative X-ray analysis of high performance InP/(InGa)As:C HBT for rapid non-destructive material qualification
机译:
高性能InP /(InGa)As:C HBT的定量X射线分析可用于快速无损材料鉴定
作者:
Velling P.
;
Keiper D.
;
Brennemann A.
;
Agethen M.
;
Janssen G.
;
Bushehri E.
;
Bertenburg R.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
34.
High breakdown voltage In
0.52
Al
0.48
As/In
0.53
Ga
0.47
As metamorphic HEMT using In
x
Ga
1-x
P graded buffer
机译:
使用In
x的变质HEMT高击穿电压In
0.52 sub> Al
0.48 sub> As / In
0.53 sub> Ga
0.47 sub> As sub> Ga
1-x sub> P分级缓冲区
作者:
Yuan K.
;
Radhakrishnan K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
35.
Single transverse mode operation of 1.55-μm buried heterostructure VCSELs on GaAs substrate
机译:
GaAs衬底上1.55μm掩埋异质结构VCSEL的单横向模式操作
作者:
Ohiso Y.
;
Okamoto H.
;
Iga R.
;
Kishi K.
;
Amano C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
36.
Molecular beam epitaxial growth and rapid thermal annealing effect of digital-alloy (In
0.53
Ga
0.47
As)
1-z
(In
0.52
Al
0.48
As)
z
lattice-matched to InP for 1.3-1.55 μm multi-quantum wells
机译:
(In
0.53 sub> Ga
0.47 sub> As)
1-z sub>(In
0.52)的分子束外延生长和快速热退火效应 sub> Al
0.48 sub> As)
z sub>与InP晶格匹配的1.3-1.55μm多量子阱
作者:
Jin Dong Song
;
Jong Min Kim
;
Jae Su Yu
;
Seong Ju Bae
;
Yong Tak Lee
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
37.
Low-temperature-grown 1.55 μm GaInAs/AlInAs quantum wells for optical switching: MBE growth and optical response
机译:
用于光开关的低温生长的1.55μmGaInAs / AlInAs量子阱:MBE生长和光响应
作者:
Kuenzel H.
;
Biermann K.
;
Boettcher J.
;
Harde P.
;
Kurtzweg M.
;
Schneider R.
;
Neumann W.
;
Nickel D.
;
Reimann K.
;
Woerner M.
;
Elsaesser T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
38.
Micro-Raman and photoluminescence characterization of polycrystallization in bulk In
x
Ga
1-x
As crystals
机译:
In
x sub> Ga
1-x sub> As晶体中多晶的微拉曼光谱和光致发光特性
作者:
Islam M.R.
;
Suzuki M.
;
Verma P.
;
Yamada M.
;
Kodama S.
;
Hanaue Y.
;
Kinoshita K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
39.
Importance of gate-recess structure to the cutoff frequency ofultra-high-speed InGaAs/InAlAs HEMTs
机译:
门-凹结构对截止频率的重要性超高速InGaAs / InAlAs HEMT
作者:
Shinohara K.
;
Yamashita Y.
;
Endoh A.
;
Hikosaka K.
;
Matsui T.
;
Hiyamizu S.
;
Mimura T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
40.
Differential analysis of Landau levels associated with conduction subband of InGaAs/InAlAs multi-quantum wells in magneto-photoluminescence study
机译:
磁光致发光研究中InGaAs / InAlAs多量子阱的导带与朗道能级的差异分析
作者:
Kotera N.
;
Jones E.D.
;
Kawano T.
;
Sakai T.
;
Shibata K.
;
Washima M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
41.
High-density electron gas induced by atomic ordering in undoped Ga
0.5
In
0.5
P/GaAs heterostructure
机译:
未掺杂的Ga
0.5 sub> In
0.5 sub> P / GaAs异质结构中原子有序诱导的高密度电子气
作者:
Yamashita K.
;
Matsuura Y.
;
Kita T.
;
Wada O.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
42.
Spontaneous ordering in In
x
Ga
1-x
P (x≈0.5) alloys: FIR and Raman spectroscopy studies
机译:
In
x sub> Ga
1-x sub> P(x≈0.5)合金的自发有序:FIR和拉曼光谱研究
作者:
Baidus N.V.
;
Biryukov A.A.
;
Rolo A.G.
;
Vasilevskiy M.I.
;
Vikhrova O.V.
;
Zvonkov B.N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
43.
Effect of GaNAs strain compensating layer over InAs quantum dots grown by MOMBE
机译:
GaNAs应变补偿层对MOMBE生长的InAs量子点的影响
作者:
Ganapathy S.
;
Zhang X.Q.
;
Uesugi K.
;
Kumano H.
;
Suemune I.
;
Kim B.J.
;
Seong T.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
44.
Highly uniform 4-inch diameter InGaAs/InP epitaxial wafer forPIN-PD application
机译:
高度均匀的4英寸直径InGaAs / InP外延晶片,用于PIN-PD应用
作者:
Doi H.
;
Iguchi Y.
;
Kimura H.
;
Iwasaki T.
;
Miura Y.
;
Yokogawa M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
45.
Contact potential imaging of cleaved mirror surface of 1.3 μm buried heterostructure laser diodes by Kelvin probe force microscopy
机译:
用开尔文探针力显微镜对1.3μm埋入异质结构激光二极管的裂开镜面的接触电势成像
作者:
Mizutani T.
;
Kato K.
;
Yamagata T.
;
Kishimoto S.
;
Yamamoto N.
;
Kondo Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
46.
Fabrication of 1.55 μm In
0.53
Ga
0.47
As/In
0.53
(Ga
0.6
Al
0.4
)
0.47
As SCH MQW laser with InGaAlAs digital alloy by post-growth rapid thermal annealing using dielectric capping layers
机译:
1.55μmIn
0.53 sub> Ga
0.47 sub> As / In
0.53 sub>(Ga
0.6 sub> Al
0.4 通过电介质覆盖层进行的生长后快速热退火,将sub>)
0.47 sub> As InGaAlAs数字合金的SCH MQW激光器
作者:
Jae Su Yu
;
Jin Dong Song
;
Jong Min Kim
;
Seong Ju Bae
;
Yong Tak Lee
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
47.
High-quality 1.3 μm AlGaInAs MQW by narrow-stripe selective metalorganic vapor-phased epitaxy and its application in buried heterostructure laser diodes
机译:
窄条选择性金属有机气相外延法制备高质量的1.3μmAlGaInAs MQW及其在掩埋异质结构激光二极管中的应用
作者:
Nakamura T.
;
Ohsawa Y.
;
Okuda T.
;
Tsuruoka K.
;
Kurihara K.
;
Terakado T.
;
Koui T.
;
Kobayashi K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
48.
Fabrication of 1.55 μm VCSELs using metallic bonding on Si substrates
机译:
使用金属键合在Si基板上制造1.55μmVCSEL
作者:
Lin H.C.
;
Wang W.H.
;
Pickrell G.W.
;
Cheng K.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
49.
Energetics and fs-dynamics at 100 surfaces of MOCVD-grown III-V semiconductors
机译:
MOCVD生长的III-V半导体的100表面的能量和fs动力学
作者:
Hannappel T.
;
Toben L.
;
Moller K.
;
Gundlach L.
;
Ernstorfer R.
;
Eichberger R.
;
Willig F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
50.
4-inch InP crystals grown by phosphorous vapor controlled LEC method
机译:
通过磷蒸汽控制LEC方法生长的4英寸InP晶体
作者:
Noda A.
;
Suzuki K.
;
Arakawa A.
;
Kurita H.
;
Hirano R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
51.
Studies of In and N composition effects on the optical properties and surface morphology of GaInNAs quantum dots grown by rf-plasma assisted MBE
机译:
In和N组成对射频等离子体辅助MBE生长的GaInNAs量子点光学性质和表面形态的影响
作者:
Yew K.C.
;
Yoon S.F.
;
Sun Z.Z.
;
Ng T.K.
;
Loke W.K.
;
Wang S.Z.
;
Fan W.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
52.
Ga(In)AsN growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy towards 1.3 μm and 1.55 μm lasers
机译:
等离子体辅助分子束外延向1.3(μm)和1.55(μm)生长Ga(In)AsN 激光
作者:
Wang S.Z.
;
Yoon S.F.
;
Ng T.K.
;
Loke W.K.
;
Sun Z.Z.
;
Yew K.C.
;
Fan W.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
53.
High performance 1.32 μm GaInNAs/GaAs single-quantum-well lasers grown by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延生长的高性能1.32μmGaInNAs / GaAs单量子阱激光器
作者:
Wei Li
;
Konttinen J.
;
Chang Si Peng
;
Jouhti T.
;
Pavelescu E.-M.
;
Suominen M.
;
Pessa M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
54.
High-performance 1.2-μm highly strained InGaAs/GaAs quantum well lasers
机译:
高性能1.2μm高应变InGaAs / GaAs量子阱激光器
作者:
Mogg S.
;
Plaine G.
;
Asplund C.
;
Sundgren P.
;
Baskar K.
;
Mulot M.
;
Schatz R.
;
Hammar M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
55.
InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) with an emitter tunneling barrier and composite collector structure
机译:
具有发射极隧穿势垒和复合集电极结构的InP / InGaAs双异质结双极晶体管(DHBT)
作者:
Chiou W.H.
;
Chen C.Y.
;
Wang C.K.
;
Chuang H.M.
;
Liao X.D.
;
Lee K.M.
;
Tsai S.F.
;
Lu C.T.
;
Liu W.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
56.
Innovative nitride passivation of 0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMTs using high-density inductively coupled plasma CVD (HD-ICP-CVD)
机译:
使用高密度感应耦合等离子体CVD(HD-ICP-CVD)对0.1μmInGaAs / InAlAs / InP HEMT进行创新的氮化物钝化
作者:
Chou Y.C.
;
Lai R.
;
Li G.P.
;
Nam P.
;
Grundbacher R.
;
Barsky M.
;
Kim H.K.
;
Ra Y.
;
Oki A.
;
Streit D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials Conference, 2002. IPRM. 14th》
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