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Optical Microlithography XII
Optical Microlithography XII
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1.
Antireflection strategies for sub-0.18-um dual-damascene structure patterning in KrF 248-nm lithography
机译:
KrF 248-nm光刻中小于0.18um的双大马士革结构图案的减反射策略
作者:
Shuo-Yen Chou
;
National Chiao Tung Univ.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Chien-Ming Wang
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung Hsinchu
;
Taiwan
;
Chin C. Hsia
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung Hsinchu
;
Taiwan
;
Li-Jui Chen
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung Hsinchu
;
Taiwan
;
Gue-Wuu Hwang
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung Hsinchu
;
Taiwan
;
Shyh-Dar Lee
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung Hsinchu
;
Taiwan
;
Jen-Chung Lou
;
National Chiao Tung Univ.
;
Hsinchu
;
Taiwan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
2.
Depth of focus enhancement for 193-nm window lithography with subresolution assist features
机译:
具有亚分辨率辅助功能的193 nm窗口光刻的焦深增强
作者:
George P. Watson
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Armen Kroyan
;
Rice Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA
;
Raymond A. Cirelli
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
H.L. Maynard
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
James R. Sweeney
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Fred P. Klemens
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
G.L. Timp
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Holmdel
;
NJ
;
USA
;
Omkaram Nalamasu
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
3.
Effects of phase-shift masks on across-field linewidth control
机译:
相移掩模对跨场线宽控制的影响
作者:
Richard E. Schenker
;
Intel Corp.
;
Hillsboro
;
OR
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
4.
Effects of subresolution assist features on depth of focus and uniformity of contact windows for 193-nm lithography
机译:
亚分辨率辅助功能对193 nm光刻的聚焦深度和接触窗均匀性的影响
作者:
Armen Kroyan
;
Rice Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA
;
George P. Watson
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Raymond A. Cirelli
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Omkaram Nalamasu
;
Lucent Technologies/Bell Labs.
;
Murray Hill
;
NJ
;
USA
;
Frank K. Tittel
;
Rice Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
5.
Experimental comparison of off-axis illumination and imaging interferometric lithography
机译:
离轴照明与成像干涉光刻的实验比较
作者:
Xiaolan Chen
;
Univ. of New Mexico
;
Albuquerque
;
NM
;
USA
;
Steven R. Brueck
;
Univ. of New Mexico
;
Albuquerque
;
NM
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
6.
Extending the limits of i-line lithography for via layers and minimization of dense-iso bias
机译:
扩展i线光刻技术对通孔层的限制,并最大程度地减小致密iso偏置
作者:
Ramkumar Subramanian
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Christopher A. Spence
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Luigi Capodieci
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Thomas Werner
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Ernesto Gallardo
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
7.
Long-term 193-nm laser-induced degradation of fused silica and calcium fluoride
机译:
长期193 nm激光诱导的熔融石英和氟化钙的降解
作者:
Vladimir Liberman
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Mordechai Rothschild
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Jan H. Sedlacek
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Ray S. Uttaro
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Allen K. Bates
;
IBM Corp.
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Chris K. Van Peski
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
8.
Measurement of effective source shift using a grating-pinhole mask
机译:
使用光栅针孔掩模测量有效源位移
作者:
Kazuya Sato
;
Toshiba Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Satoshi Tanaka
;
Toshiba Corp.
;
Ykohama
;
Japan
;
Tadahito Fujisawa
;
Toshiba Corp.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Soichi Inoue
;
Toshiba Corp.
;
Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
9.
150-nm generation lithography equipment
机译:
150纳米一代光刻设备
作者:
Nobuyoshi Deguchi
;
Canon Inc.
;
Uttsunomiya Tochigi-Ken
;
Japan
;
Shigeyuki Uzawa
;
Canon Inc.
;
Uttsunomiya Tochigi-Ken
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
10.
Optimization of attenuated phase-shift mask for contact hole printing
机译:
接触孔印刷的衰减相移掩模的优化
作者:
Yung-Tin Chen
;
Chang Gung Univ.
;
Kweishan Taoyuan
;
Taiwan
;
Ya-Chih Wang
;
Nan Ya Technology Corp.
;
Luchu Taoyuan
;
Taiwan
;
Ron Chu
;
Nan Ya Technology Corp.
;
Taoyuan
;
Taiwan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
11.
Optimization of substrate reflectivity resist thickness and resist absorption for CD control and resolution
机译:
优化基板反射率的抗蚀剂厚度和抗蚀剂吸收,以进行CD控制和分辨率
作者:
Johannes van Wingerden
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
12.
Practical methodology of optical proximity correction in subquarter-micron lithography
机译:
亚微米光刻中的光学邻近校正实用方法
作者:
Chang M. Lim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyungiki-do
;
South Korea
;
Jae-Wook Seo
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun Kyoungki-Do
;
South Korea
;
Chun-Soo Kang
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Young-Soo Park
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Jong-Tai Yoon
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Chul-Seung Lee
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyungki-do
;
South Korea
;
Seung-Chan Moon
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-Si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Bong H. Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
13.
Study of pupil filters for depth of focus enhancement in printing contact holes
机译:
瞳孔滤光片用于提高印刷接触孔焦点深度的研究
作者:
Chun-Ming A. Wang
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.
;
Hsin-Chu
;
Taiwan
;
Shinn-Sheng Yu
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.
;
Hsin-Chu
;
Taiwan
;
Anthony Yen
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.
;
Hsin Chu
;
Taiwan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
14.
Alternating phase-shifted mask for logic gate levels design and mask manufacturing
机译:
用于逻辑门级设计和掩模制造的交替相移掩模
作者:
Lars W. Liebmann
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Ioana C. Graur
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
William C. Leipold
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA
;
James M. Oberschmidt
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
David S. OGrady
;
IBM Microelectronics Div.
;
Jericho
;
VT
;
USA
;
Denis Regaill
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
15.
Alternating PSM optimization using model-based OPC
机译:
使用基于模型的OPC交替进行PSM优化
作者:
Alexander Tritchkov
;
Avant! Corp.
;
Portland
;
OR
;
USA
;
John P. Stirniman
;
Avant! Corp.
;
Portland
;
OR
;
USA
;
Michael L. Rieger
;
Avant! Corp.
;
Portland
;
OR
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
16.
ARC technology to minimize CD variations during emitter structuring: experiment and simulation
机译:
ARC技术可最大程度地减少发射极结构化过程中CD的变化:实验和仿真
作者:
Joachim J. Bauer
;
Institute for Semiconductor Physics
;
Frankfurt
;
Oder
;
Germany
;
G.Drescher
;
Institute for Semiconductor Physics
;
Frankfurt Oder
;
Germany
;
Ulrich A. Jagdhold
;
Institute for Semiconductor Physics
;
Frankfurt (Oder)
;
Germany
;
Ulrich Haak
;
Institute for Semiconductor Physics
;
Frankfurt Oder
;
Germany
;
T.Skaloud
;
Institute for Semiconductor Physics
;
Frankfurt Oder
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
17.
Billion-level durable ArF excimer laser with highly stable energy
机译:
十亿级耐用ArF准分子激光器,能量稳定
作者:
Osamu Wakabayashi
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka Kanagawa
;
Japan
;
Tatsuo Enami
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi Kanagawa
;
Japan
;
Takeshi Ohta
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka Kanagawa
;
Japan
;
Hirokazu Tanaka
;
Komatsu Ltd.
;
Tochigi-ken
;
Japan
;
Hirokazu Kubo
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka Kanagawa
;
Japan
;
Toru Suzuki
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka Kanagawa
;
Japan
;
Katsutomo Terashima
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka Kanagawa
;
Japan
;
Akira Sumitani
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka Kanagawa
;
Japan
;
Hakaru Mizoguchi
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
18.
CD control comparison for sub-0.18-um patterning using 248-nm lithography and strong resolution enhancement techniques
机译:
使用248-nm光刻技术和强分辨率增强技术对0.18um以下的图案进行CD控制比较
作者:
Geert Vandenberghe
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Thomas Marschner
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Kurt Ronse
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Robert J. Socha
;
National Semiconductor Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Mircea V. Dusa
;
National Semiconductor Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
19.
CD uniformity consideration for DUV step and scan tools
机译:
DUV步进和扫描工具的CD均匀性注意事项
作者:
Rolf Seltmann
;
Advanced Micro Devices GmbH
;
Dresden
;
Germany
;
Anna M. Minvielle
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Christopher A. Spence
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Sven Muehle
;
Advanced Micro Devices GmbH
;
Dresden
;
Germany
;
Luigi Capodieci
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Khanh B. Nguyen
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
20.
Combination of OPC and AttPSM for patterning sub-0.18-um logic devices
机译:
OPC和AttPSM的组合,用于对0.18um以下的逻辑器件进行构图
作者:
Hung J. Kuo
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.
;
Hsin-Chu
;
Taiwan
;
C.H. Lin
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.
;
Hsin-Chu
;
Taiwan
;
S. D. Tzu
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.
;
Hsin-Chu
;
Taiwan
;
Anthony Yen
;
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd.
;
Hsin Chu
;
Taiwan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
21.
Feasibility of printing 0.1-um technology with optical lithography
机译:
使用光学光刻技术印刷0.1um技术的可行性
作者:
Mireille Maenhoudt
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
S.Verhaegen
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Kurt Ronse
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Donis G. Flagello
;
ASM Lithography B.V.
;
Tempe
;
AZ
;
USA
;
Bernd Geh
;
Carl Zeiss
;
Oberkochen
;
Germany
;
Winfried M. Kaiser
;
Carl Zeiss
;
Oberkochen
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
22.
Impact of pellicle damage on patterning characteristics in ArF lithography
机译:
薄膜损坏对ArF光刻中的构图特性的影响
作者:
Junji Miyazaki
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan
;
Masaya Uematsu
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan
;
Tohru Ogawa
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
23.
Intrawafer CD control in state-of-the-art lithography
机译:
最新光刻中的晶圆内CD控制
作者:
Ivan K. Pollentier
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Christiaan Baerts
;
IMEC
;
Heverlee
;
Belgium
;
Thomas Marschner
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Kurt Ronse
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Grosdan Grozev
;
Arch Chemicals
;
Leuven
;
Belgium
;
Mario Reybrouck
;
Arch Chemicals
;
Zwijndrecht
;
Belgium.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
24.
Mask error factor: causes and implications for process latitude
机译:
掩膜误差因子:工艺范围的原因和影响
作者:
Jan van Schoot
;
ASM Lithography B.V.
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Jo Finders
;
ASM Lithography B.V.
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Koen van Ingen Schenau
;
ASM Lithography B.V.
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Michel Klaassen
;
ASM Lithography B.V.
;
LA Veldhoven
;
Netherlands
;
Corine Buijk
;
ASM Lithography B.V.
;
Veldhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
25.
New technique for optical lithography at low k-factors
机译:
低k因子的光学光刻新技术
作者:
Harry Sewell
;
SVG Lithography Systems
;
Inc.
;
Wilton
;
CT
;
USA
;
Andrew W. McCullough
;
SVG Lithography Systems
;
Inc.
;
Wilton
;
CT
;
USA
;
John E. Lauria
;
SVG Lithography Systems
;
Inc.
;
Wilton
;
CT
;
USA
;
Keith W. Andresen
;
SVG Lithography Systems
;
Inc.
;
Wilton
;
CT
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
26.
New technology for enhancing depth of focus using birefringent material
机译:
使用双折射材料增强景深的新技术
作者:
Doh H. Kim
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Yusong
;
Taejon
;
South Korea
;
Hai Bin Chung
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Yusong
;
Taejon
;
South Korea
;
Kyoung I. Cho
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Seoul
;
South Korea
;
Dae Y. Kim
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Taejon
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
27.
0.18-um lithography strategies: 248-nm DUV step-and-scanner and advanced chemical amplified resist
机译:
0.18um光刻策略:248nm DUV步进扫描仪和先进的化学放大抗蚀剂
作者:
Qunying Lin
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore
;
Tsun-Lung A. Cheng
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore
;
Wei Wen Ma
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore
;
John J. Cheng
;
Metron Technology Ltd.
;
Hsin Chu City
;
Taiwan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
28.
Optical proximity correction considering process latitude
机译:
考虑工艺纬度的光学邻近校正
作者:
Akio Misaka
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-Ku Kyoto
;
Japan
;
Shinji Odanaka
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-Ku Kyoto
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
29.
Optimization of a mix-and-match fab: noninteger nonconcentric field overlay
机译:
混合匹配晶圆厂的优化:非整数非同心场覆盖
作者:
Mark E. Notarfrancesco
;
Intel Corp.
;
Hillsboro
;
OR
;
USA
;
Paul T. Herrington
;
Intel Corp.
;
Hillsboro
;
OR
;
USA
;
Joseph Pelligrini
;
New Vision Systems
;
Cambridge
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
30.
Spatial frequency analysis of optical lithography resolution enhancement techniques
机译:
光学光刻分辨率增强技术的空间频率分析
作者:
Steven R. Brueck
;
Univ. of New Mexico
;
Albuquerque
;
NM
;
USA
;
Xiaolan Chen
;
Univ. of New Mexico
;
Albuquerque
;
NM
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
31.
Study of the impact to image quality and overlay by different pupil fills in a DUV scanner via overlay metrology
机译:
通过叠加计量学研究DUV扫描仪中不同瞳孔填充对图像质量和叠加的影响
作者:
Kafai Lai
;
SEMATECH
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Pedro Tasaico
;
SVG Lithography Systems
;
Inc.
;
Wilton
;
CT
;
USA
;
Ted Doros
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Dan W. Holladay
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
32.
Comparison study for sub-150-nm DUV lithography between high-NA KrF and ArF lithography
机译:
高NA KrF和ArF光刻在150 nm以下DUV光刻的比较研究
作者:
Donggyu Yim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Ki-Sung Kwon
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si
;
Kyoungki-do
;
South Korea
;
Young-Mog Ham
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Gwanak-gu
;
Seoul
;
South Korea
;
Kiho Baik
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si KyoungGi-do
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
33.
Design reticle and wafer OPC manufacturability for the 0.18-um lithography generation
机译:
用于0.18um光刻的设计掩模版和晶片OPC可制造性
作者:
Kevin D. Lucas
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Martin McCallum
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Bradley J. Falch
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
James L. Wood
;
DuPont Photomasks
;
Inc.
;
Round Rock
;
TX
;
USA
;
Franklin D. Kalk
;
DuPont Photomasks
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Robert K. Henderson
;
DuPont Photomasks
;
Inc.
;
Round Rock
;
TX
;
USA
;
Drew R. Russell
;
DuPont Photomasks
;
Inc.
;
Round Rock
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
34.
DOF improvement by complex pupil filtering for DUV lithography
机译:
通过DUV光刻的复杂瞳孔滤波改善自由度
作者:
Piotr Jedrasik
;
Chalmers Univ. of Technology
;
Goteborg
;
Sweden.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
35.
Effect of 3D diffusion on photolithographic simulation results
机译:
3D扩散对光刻模拟结果的影响
作者:
Steven G. Hansen
;
Arch Chemicals RD Lab.
;
East Providence
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
36.
Effect of negative-tone mask lithography on lens aberration phenomena
机译:
负性掩模光刻对透镜像差现象的影响
作者:
Kouichirou Tsujita
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Hyogo
;
Japan
;
Yuuji Yamauchi
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Hyogo
;
Japan
;
Atsushi Ueno
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Hyogo
;
Japan
;
Wataru Wakamiya
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Itami
;
Hyogo
;
Japan
;
Tadashi Nishimura
;
Mitsubishi Electric Corp.
;
Itami Hyogo
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
37.
Feasibility studies of ArF lithography for sub-130-nm lithography
机译:
ArF光刻用于亚130纳米光刻的可行性研究
作者:
Seung-Hyuk Lee
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-Si Kyoung
;
South Korea
;
Donggyu Yim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Young-Mog Ham
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Gwanak-gu
;
Seoul
;
South Korea
;
Kiho Baik
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si KyoungGi-do
;
South Korea
;
Ilhyun Choi
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyungki-do
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
38.
Illumination condition and mask bias for 0.15-um pattern with KrF and ArF lithography
机译:
用KrF和ArF光刻技术对0.15um图案的照明条件和掩模偏置
作者:
Hiroki Tabuchi
;
SHARP Corp.
;
Hiroshima
;
Japan
;
Y.Shichijo
;
SHARP Corp.
;
Tenri-Shi Nara
;
Japan
;
N.Oka
;
SHARP Corp.
;
Tenri-Shi Nara
;
Japan
;
N.Takenaka
;
SHARP Corp.
;
Hiroshima
;
Japan
;
K.Iguchi
;
SHARP Corp.
;
Tenri-Shi Nara
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
39.
Lithographic implications for Cu/low-k integration
机译:
铜/低k集成的光刻学意义
作者:
Rebecca D. Mih
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Nora Chen
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA
;
Kenneth R. Jantzen
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA
;
James T. Marsh
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Steven Schneider
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
40.
Mathematical treatment of condenser aberrations and their impact on linewidth control
机译:
聚光像差的数学处理及其对线宽控制的影响
作者:
Christof G. Krautschik
;
Intel Corp.
;
Cupertino
;
CA
;
USA
;
Masato Shibuya
;
Nikon Corp.
;
Tokyo
;
Japan
;
Kenny K. Toh
;
Intel Corp.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
41.
Multilevel imaging system realizing k1=0.3 lithography
机译:
实现k1 = 0.3光刻的多层成像系统
作者:
Akiyoshi Suzuki
;
Canon Inc.
;
Utsunomiya
;
Japan
;
Kenji Saitoh
;
Canon Inc.
;
Utsunomiya-shi Tochigi
;
Japan
;
Minoru Yoshii
;
Canon Inc.
;
Utunomiya Tochigi-Ken
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
42.
New trends in Brunner's relation: dielectric levels
机译:
Brunner关系的新趋势:介电层
作者:
Yorick Trouiller
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Anne Didiergeorges
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Gilles L. Fanget
;
CEA-LETI
;
La Buisse
;
France
;
Cyrille Laviron
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Corinne Comboure
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Yves Quere
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
43.
193-nm lithography on a full-field scanner
机译:
全场扫描仪上的193 nm光刻
作者:
Anne-Marie Goethals
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Ingrid Pollers
;
IMEC
;
Leuvan
;
Belgium
;
Patrick Jaenen
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Frieda Van Roey
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Kurt Ronse
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Barbra Heskamp
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Guy Davies
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
44.
Off-axis illumination for improving depth of focus for isolated features
机译:
离轴照明可改善孤立特征的景深
作者:
James G. Tsacoyeanes
;
SVG Lithography
;
Inc.
;
Ridgefield
;
CT
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
45.
Production-ready 2-kHz KrF excimer laser for DUV lithography
机译:
适用于DUV光刻的生产就绪型2 kHz KrF准分子激光器
作者:
David Myers
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Thomas A. Watson
;
Cymer
;
Inc.
;
Carlsbad
;
CA
;
USA
;
Palash P. Das
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Gunasiri G. Padmabandu
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Paolo Zambon
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Thomas Hofmann
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
William N. Partlo
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Christopher Hysham
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Richard Dunning
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
46.
Resolution and DOF improvement through the use of square-shaped illumination
机译:
通过使用方形照明来提高分辨率和自由度
作者:
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Lena Zavyalova
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
S.G. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
John S. Petersen
;
International SEMATECH
;
Petersen Advanced Lithogra phy
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
47.
Imaging contrast improvement for 160-nm line features using subresolution assist features with binary six percent ternary attenuated phase-shift mask with process-tuned resist
机译:
使用亚分辨率辅助功能和具有经过工艺调整的抗蚀剂的二元6%三元衰减相移掩模,改善160 nm线特征的成像对比度
作者:
Nishrin Kachwala
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
John S. Petersen
;
Petersen Advanced Lithography
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Jang Fung Chen
;
MicroUnity Systems Engineering
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Mike Canjemi
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Martin McCallum
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
48.
Method for choosing 'generic' photoresist simulation parameters
机译:
选择“通用”光刻胶模拟参数的方法
作者:
Steven G. Hansen
;
Arch Chemicals RD Lab.
;
East Providence
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
49.
Optimization criteria for SRAM design: lithography contribution
机译:
SRAM设计的优化标准:光刻技术的贡献
作者:
Daniel C. Cole
;
Boston Univ.
;
Boston
;
MA
;
USA
;
Orest Bula
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA
;
Edward W. Conrad
;
IBM Microelectronics Div.
;
Jeffersonville
;
VT
;
USA
;
Daniel S. Coops
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA
;
William C. Leipold
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA
;
Randy W. Mann
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Jeffrey H. Oppold
;
IBM Microelectronics Div.
;
Essex Jct
;
VT
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
50.
Effect of exposure tool illumination settings and objective numerical aperture on the standing wave period within photoresist
机译:
曝光工具的照明设置和物镜数值孔径对光刻胶内驻波周期的影响
作者:
Stewart A. Robertson
;
Shipley Europe Ltd.
;
Midlothian
;
United Kingdom
;
Frank T. Linskens
;
Shipley Europe Ltd.
;
Venray
;
Netherlands
;
Charles R. Szmanda
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Kevin J. Dempsey
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
51.
Flare impact on the intrafield CD control for sub-0.25-um patterning
机译:
小于0.25um图案的光斑对场内CD控制的影响
作者:
Emmanuelle Luce
;
STMicroelectronics
;
Crolles
;
France
;
Blandine Minghetti
;
CNET-STMicroelectronics
;
Crolles
;
France
;
Patrick Schiavone
;
France Telecom CNET-CNS
;
Issy Moulineaux Cedex 9
;
France
;
Olivier Toublan
;
France Telecom CNET-CNS
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Andre P. Weill
;
CNET-STMicroelectronics
;
Crolles Cedex
;
France.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
52.
0.18-um technology at contact level: deep-UV process development by tuning NA/o and using a bottom antireflective coating
机译:
接触级别的0.18um技术:通过调整NA / o并使用底部抗反射涂层来开发深紫外线工艺
作者:
Gilles R. Amblard
;
CNET- STMicroelectronics
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Jean-Paul E. Chollet
;
France Telecom CNET-CNS
;
Crolles Cedex
;
France.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
53.
Performance of 300-mm lithography tools in a pilot production line
机译:
中试生产线中300毫米光刻工具的性能
作者:
John G. Maltabes
;
Semiconductor 300
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Alain B. Charles
;
Semiconductor 300
;
Dresden
;
Germany
;
Steffen R. Hornig
;
Semiconductor 300
;
Dresden
;
Germany
;
Thorsten Schedel
;
Semiconductor 300
;
Regensburg
;
Germany
;
Dietmar Ganz
;
Semiconductor 300
;
Dresden
;
Germany
;
Sebastian Schmidt
;
Semiconductor 300
;
Dresden
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
54.
Understanding systematic and random CD variations using predictive modeling techniques
机译:
使用预测建模技术了解系统的CD随机变化
作者:
Donis G. Flagello
;
ASM Lithography BV
;
Tempe
;
AZ
;
USA
;
Hans van der Laan
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Jan van Schoot
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Igor Bouchoms
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Bernd Geh
;
Carl Zeiss
;
Oberkochen
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
55.
ArF step-and-scan exposure system for 0.15-um and 0.13-um technology nodes
机译:
适用于0.15um和0.13um技术节点的ArF步进扫描曝光系统
作者:
Jan Mulkens
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Judon M. Stoeldraijer
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Guy Davies
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
M.Dierichs
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Barbra Heskamp
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Marco H. Moers
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Richard A. George
;
ASM Lithography BV
;
La Veldhoven
;
Netherlands
;
O.Roempp
;
Carl Zeiss
;
Oberkochen
;
Germany
;
Holger Glatzel
;
Carl Zeiss
;
Oberkochen
;
Germany
;
Christian Wagner
;
Carl Zeiss
;
Oberkochen
;
Germany
;
Ingrid Pollers
;
IMEC
;
Leuvan
;
Belgium
;
Patrick Jaenen
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
56.
Impact of mask errors on full chip error budgets
机译:
掩膜错误对完整芯片错误预算的影响
作者:
Franklin M. Schellenberg
;
Mentor Graphics
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Victor V. Boksha
;
Mentor Graphics
;
Los Altos
;
CA
;
USA
;
Nicolas B. Cobb
;
Mentor Graphics
;
Wilsonville
;
OR
;
USA
;
J.C. Lai
;
Worldwide Semiconductor Manufacturing Co.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
C.H. Chen
;
Worldwide Semiconductor Manufacturing Co.
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
57.
Method to budget and optimize total device overlay
机译:
预算和优化设备总覆盖的方法
作者:
Christopher J. Progler
;
IBM Corp.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA
;
Scott J. Bukofsky
;
IBM Corp.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Donald C. Wheeler
;
IBM Corp.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
58.
0.7-NA DUV step-and-scan system for 150-nm imaging with improved overlay
机译:
0.7-NA DUV步进扫描系统,用于150nm成像并具有改进的覆盖
作者:
Jan van Schoot
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Frank Bornebroek
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Manfred Suddendorf
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Melchior Mulder
;
ASM Lithography BV
;
LA Veldhoven
;
Netherlands
;
Jeroen van der Spek
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Jan Stoeten
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Adolph Hunter
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Peter Ruemmer
;
Carl Zeiss
;
Oberkochen
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
59.
Pattern asymmetries in phase-edge imaging
机译:
边缘成像中的图案不对称
作者:
Michael Fritze
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Susan G. Cann
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Peter Wyatt
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
60.
Variations to the influence of lens aberration invoked with PSM and OAI
机译:
PSM和OAI调用的镜头像差影响的变化
作者:
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
61.
Development of a lithographic DRC technique for interactive use and batch processing
机译:
开发用于交互式使用和批处理的光刻DRC技术
作者:
Hiroki Futatsuya
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Kuwana-Gun Mie-Ken
;
Japan
;
Tatsuo Chijimatsu
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Satoru Asai
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Kawasaki-shi Kanagaw
;
Japan
;
Isamu Hanyu
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Kawasaki-shi Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
62.
Full-depth optical proximity correction (FD-OPC) based on E-D forest
机译:
基于E-D林的全深度光学邻近校正(FD-OPC)
作者:
Burn J. Lin
;
Linnovation
;
Inc.
;
Tampa
;
FL
;
USA
;
Peter Young
;
Linnovation
;
Inc.
;
Tampa
;
FL
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
63.
Performance of a phase-shift focus monitor reticle designed for 193-nm use
机译:
专为193 nm使用而设计的相移聚焦监控器标线的性能
作者:
Roderick R. Kunz
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
M.S. Chan
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Scott P. Doran
;
MIT Lincoln Lab.
;
Lexington
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
64.
Challenge to 0.13-um device patterning using KrF
机译:
使用KrF挑战0.13um器件图案
作者:
Insung Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Junghyeon Lee
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Shi Kyungi-Do
;
South Korea
;
Dong H. Cha
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Goon Kyungki-Do
;
South Korea
;
Joonsoo Park
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Han K. Cho
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Kyungki-do
;
South Korea
;
Jootae Moon
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin Kyungki-Do
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
65.
Coherent multiple imaging by means of pupil plane filtering
机译:
通过光瞳平面滤波的相干多重成像
作者:
Miklos Erdelyi
;
Rice Univ.
;
Szeged
;
Hungary
;
Armen Kroyan
;
Rice Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA
;
Karoly Osvay
;
Jozsef Attila Univ.
;
Szeged
;
Hungary
;
Zsolt Bor
;
Jozsef Attila Univ.
;
Szeged
;
Hungary
;
William L. Wilson
;
Jr.
;
Rice Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA
;
Michael C. Smayling
;
Rice Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA
;
Frank K. Tittel
;
Rice Univ.
;
Houston
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
66.
Comparison of CD variation between organic and inorganic bottom antireflective coating on topographic substrates
机译:
地形基底上有机底物和无机底面减反射涂层的CD变化比较
作者:
Satoko Nakaoka
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-Ku Kyoto
;
Japan
;
Hisashi Watanabe
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku Kyoto
;
Japan
;
Yoshimitsu Okuda
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
67.
Evaluating the potential of alternating phase-shift masks using lithography simulation
机译:
使用光刻仿真评估交替相移掩模的潜力
作者:
Christoph Friedrich
;
Siemens AG
;
Munich
;
Germany
;
Klaus Ergenzinger
;
Siemens AG
;
Munich
;
Germany
;
Fritz Gans
;
Siemens AG
;
Munich
;
Germany
;
Andreas Grassmann
;
Siemens AG
;
Regensburg
;
Germany
;
Uwe A. Griesinger
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany
;
Juergen Knobloch
;
Siemens AG
;
Munich
;
Germany
;
Leonhard Mader
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany
;
Wilhelm Maurer
;
Siemens AG
;
Muenchen
;
Germany
;
Rainer Pforr
;
Siemens AG
;
Dresden
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
68.
Higher-order aberration measurement with printed patterns under extremely reduced sigma illumination
机译:
在大大降低的sigma照明下使用印刷图案进行高阶像差测量
作者:
Hiroshi Nomura
;
Toshiba Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Kazuo Tawarayama
;
Toshiba Corp.
;
Shinsugita-Cho
;
Japan
;
Takuya Kohno
;
Toshiba Corp.
;
Shinsugita-Cho
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
69.
Matching simulation and experiment for chemically amplified resists
机译:
化学放大抗蚀剂的匹配仿真和实验
作者:
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Monique Ercken
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Myriam Moelants
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
70.
Novel aberration monitor for optical lithography
机译:
用于光学光刻的新型像差监视器
作者:
Peter Dirksen
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands
;
Casper A. Juffermans
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands
;
Ruud J. Pellens
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands
;
Mireille Maenhoudt
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Peter DeBisschop
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
71.
Optical extension at the 193-nm wavelength
机译:
193 nm波长的光学延伸
作者:
Peter Zandbergen
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Martin McCallum
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Gilles R. Amblard
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Wolf-Dieter Domke
;
International SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Lena Zavyalova
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
John S. Petersen
;
International SEMATECH
;
Petersen Advanced Lithogra phy
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
72.
Process issues of sub-0.20-um contact hole patterns for logic devices and DRAM
机译:
逻辑器件和DRAM的小于0.20um接触孔图案的工艺问题
作者:
Hyunjo Yang
;
LG Semicon Co.
;
Ltd.
;
Cheongju-shi
;
South Korea
;
Jin Young Yoon
;
LG Semicon Co.
;
Ltd.
;
Cheonghu
;
South Korea
;
Goo-Min Jeong
;
LG Semicon Co.
;
Ltd.
;
Cheongjusi Chungbuk
;
South Korea
;
Hoon Huh
;
LG Semicon Co.
;
Ltd.
;
Cheongju-si
;
South Korea
;
Jaejeong Kim
;
LG Semicon Co.
;
Ltd.
;
Cheongju-si
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
73.
Quality and performance of late Ga+ ion FIB mask repair with the gas assist in DUV process
机译:
气体辅助DUV工艺中后期Ga +离子FIB掩模修复的质量和性能
作者:
Sang-Man Bae
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-kun
;
Kyoungki-do
;
South Korea
;
Youngmo Koo
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
USA
;
Kwang-Yoon Ko
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Bong H. Kim
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon-si Kyoungki-do
;
South Korea
;
Dong-Joon Ahn
;
Hyundai Electronics Industries Co.
;
Ltd.
;
Ichon Kyoungki Seoul
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
74.
Synergistic evolution to production-worthy 30-nm lithography
机译:
协同发展到可生产的30纳米光刻技术
作者:
Daniel R. Cote
;
SVG Lithography Systems
;
Inc.
;
Wilton
;
CT
;
USA
;
James A. McClay
;
SVG Lithography Systems
;
Inc.
;
Wilton
;
CT
;
USA
;
Noreen Harned
;
SVG Lithography Systems
;
Inc.
;
San Ramon
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
75.
Challenge to sub-0.1-um pattern fabrication using an alternating phase-shifting mask in ArF lithography
机译:
在ArF光刻中使用交替相移掩模对小于0.1um的图案制造提出挑战
作者:
Takahiro Matsuo
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan
;
Keisuke Nakazawa
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan
;
Tohru Ogawa
;
Semiconductor Leading Edge Technologies
;
Inc.
;
Yokohama Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
76.
High-repetition-rate excimer lasers for DUV lithography
机译:
用于DUV光刻的高重复频率准分子激光器
作者:
Uwe Stamm
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Reiner Paetzel
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Igor Bragin
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Vincent Berger
;
Lambda Physik GmbH
;
Orsay
;
France
;
Ingo Klaft
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Juergen Kleinschmidt
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
R.Osmanow
;
Lambda Physik GmbH
;
Berlin
;
Germany
;
Thomas Schroeder
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Klaus Vogler
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Wolfgang Zschocke
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Germany
;
Dirk Basting
;
Lambda Physik GmbH
;
Ft. Lauderdale
;
FL
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
77.
Performance of the ArF scanning exposure tool
机译:
ArF扫描曝光工具的性能
作者:
Susumu Mori
;
Nikon Corp.
;
Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
78.
Application of blazed gratings for determination of equivalent primaryazimuthal aberrations,
机译:
闪耀光栅在确定等效初级方位像差中的应用,
作者:
Joseph P. Kirk
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Christopher J. Progler
;
IBM Microelectronics Div.
;
Hopewell Jct
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
79.
Automatic parallel optical proximity correction system for applicationwith hierarchical data structure,
机译:
适用于具有分层数据结构的自动并行光学邻近校正系统,
作者:
Eiji Tsujimoto
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi Tokyo
;
Japan
;
Takahiro Watanabe
;
Hitachi
;
Ltd.
;
Ome-shi Tokyo
;
Japan
;
Kyoji Nakajo
;
Hitachi ULSI Systems Co.
;
Ltd.
;
Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
80.
Characterizing absorption and total scattering losses on optical components for 193-nm wafer ste
机译:
表征193 nm晶圆Ste的光学组件上的吸收和总散射损耗
作者:
Klaus R. Mann
;
Laser-Lab. Goettingen e.V.
;
Goettingen
;
Germany
;
Oliver Apel
;
Laser-Lab. Goettingen e.V.
;
Goettingen
;
Germany
;
Eric Eva
;
Laser-Lab. Goettingen e.V.
;
Goettingen
;
Germany.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
81.
High-speed alignment simulator for Nikon ste
机译:
尼康Ste的高速对准模拟器
作者:
Derek P. Coon
;
Nikon Research Corp. of America
;
Belmont
;
CA
;
USA
;
Arun A. Aiyer
;
Nikon Research Corp. of America
;
Milpitas
;
CA
;
USA
;
Henry K. Chau
;
Nikon Research Corp. of America
;
Belmont
;
CA
;
USA
;
Hiroshi Ooki
;
Nikon Research Corp. of America
;
Belmont
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
82.
New application of negative DUV resist for topographical metal layermicrolithography,
机译:
负DUV抗蚀剂在地形金属层微光刻中的新应用,
作者:
Yung-Tin Chen
;
Chang Gung Univ.
;
Kweishan Taoyuan
;
Taiwan
;
Ron Chu
;
Nan Ya Technology Corp.
;
Taoyuan
;
Taiwan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
83.
Resolution enhancement through optical proximity correction and stepperparameter optimization for 0.12-um mask pattern,
机译:
通过光学接近度校正和步进参数优化(针对0.12um掩模图案)提高分辨率,
作者:
Yong H. Oh
;
Wonkwang Univ.
;
Chollabukdo
;
South Korea
;
Jai-Cheol Lee
;
Wonkwang Univ.
;
Iksan City Chollabukdo
;
South Korea
;
Sungwoo Lim
;
Wonkwang Univ.
;
Iksan City Chollabukdo
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
84.
Systematic approach to correct critical patterns induced by thelithography process at the full-chip level,
机译:
一种系统方法,可在全芯片水平上纠正由光刻工艺引起的关键图案,
作者:
Chulhong Park
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Gun Kyungki-do
;
South Korea
;
Yoo-Hyon Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Kyungki-do
;
South Korea
;
Ji-Soong Park
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Shi Kyungki-Do
;
South Korea
;
Kwan-Do Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Shi Kyungki-Do
;
South Korea
;
Moon-Hyun Yoo
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Shi Kyungki-Do
;
South Korea
;
Jeong-Taek Kong
;
Samsung Electronics Co.
;
Ltd.
;
Yongin-Gun Kyungki-do
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
85.
Optical proximity correction for submicron lithography by laser direct writing
机译:
通过激光直接写入进行亚微米光刻的光学邻近校正
作者:
Yongkang Guo
;
Sichuan Univ.
;
Chengdu Sichuan
;
China
;
Jinglei Du
;
Sichuan Univ.
;
Chengdu Sichuan
;
China
;
Qizhong Huang
;
Sichuan Univ.
;
Chengdu Sichuan
;
China
;
Jun Yao
;
Sichuan Univ.
;
Chengdu Sichuan
;
China
;
Chuankai Qiu
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Shuangliu Chengdu
;
China
;
Zheng Cui
;
Rutherford Appleton Lab.
;
Chilton Didcot Oxon
;
United Kingdom.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
86.
New mask having functions of OAI and PSM to realize sub-0.2-um patterns with 248 nm in microlithography
机译:
具有OAI和PSM功能的新型掩模,可在微光刻中实现248 nm以下的0.2um以下图案
作者:
Xiangang Luo
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Sichuan
;
China
;
HanMin Yao
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Chengdu
;
China
;
XuNan Chen
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Chengdu Sichuan
;
China
;
Boru Feng
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Chendu Sichuan
;
China.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
87.
Illuminator optimization for projection printing
机译:
投影打印的照明器优化
作者:
Eytan Barouch
;
Boston Univ.
;
Boston
;
MA
;
USA
;
Steven L. Knodle
;
Boston Univ.
;
Boston
;
MA
;
USA
;
Steven A. Orszag
;
Boston Univ.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
Michael S. Yeung
;
Boston Univ.
;
Boston
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
88.
Variable-threshold resist models for lithography simulation
机译:
用于光刻模拟的可变阈值抗蚀剂模型
作者:
John Randall
;
Texas Instruments
;
Leuven
;
Belgium
;
Kurt Ronse
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Thomas Marschner
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Mieke Goethals
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Monique Ercken
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
89.
Assessment of synchronous filtering as an alternative to phase-shifting masks at k1=0.4
机译:
评估同步滤波以替代k1 = 0.4的相移掩模
作者:
Andrew R. Neureuthr
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Meng Li
;
Univ. of California/Berkeley
;
Univ of Calif
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
90.
Business dynamics of lithography at very low k1 factors
机译:
k1极低因素下的光刻业务动态
作者:
Sam Harrell
;
KLA-Tencor Corp.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Moshe E. Preil
;
KLA-Tencor Corp.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
91.
Index of refraction and its temperature dependence of calcium fluoride near 157 nm
机译:
157 nm附近氟化钙的折射率及其温度依赖性
作者:
John H. Burnett
;
National Institute of Standards
;
Technology
;
Gaithersburg
;
MD
;
USA
;
Rajeev Gupta
;
National Institute of Standards
;
Technology
;
Gaithersburg
;
MD
;
USA
;
Ulf Griesmann
;
National Institute of Standards
;
Technology
;
Gaithersburg
;
MD
;
USA
;
Ted E. Jou
;
National Institute of Standards
;
Technology
;
Gaithersburg
;
MD
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
92.
Line-narrowed ArF excimer laser for 193-nm lithography
机译:
线宽ArF准分子激光器,用于193 nm光刻
作者:
Takashi Saito
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Inc.
;
Shizuoka-Ken
;
Japan
;
Ken-Ichi Mitsuhashi
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Inc.
;
Shizuoka-Ken
;
Japan
;
Motohito Arai
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Inc.
;
Shizuoka-Ken
;
Japan
;
Kyouhei Seki
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Inc.
;
Shizuoka-Ken
;
Japan
;
Akifumi Tada
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Inc.
;
Kawasaki
;
Kanagawa
;
Japan
;
Tatsushi Igarashi
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Inc.
;
Shizuoka-Ken
;
Japan
;
Kazuaki Hotta
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Inc.
;
Shizuoka-ken
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
93.
Watt-level DUV generation by solid state laser for lithography
机译:
光刻用固态激光器产生的瓦特级DUV
作者:
Yasu Ohsako
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Gotenba Shizuoka
;
Japan
;
Jun Sakuma
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Gotenba Shizuoka
;
Japan
;
Andrew Finch
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Bedford
;
MA
;
USA
;
Kyoichi Deki
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Inc.
;
Gotenba Shizuoka
;
Japan
;
Masahiro Horiguchi
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Inc.
;
Gotenba Shizuoka
;
Japan
;
Toshio Yokota
;
USHIO Research Institute of Technology
;
Inc.
;
Gotenba Shizuoka
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
94.
Characterization of CD control for sub-0.18-um lithographic patterning
机译:
小于0.18um光刻图案的CD控制特性
作者:
John L. Sturtevant
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
John Allgair
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Chong-Cheng Fu
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Kent G. Green
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Robert R. Hershey
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Michael E. Kling
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Lloyd C. Litt
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Kevin D. Lucas
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Bernard J. Roman
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Gary S. Seligman
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Mike Schippers
;
Motorola
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
95.
Design of illumination aperture for ArF exposure system with wide exposing latitude
机译:
宽曝光范围的ArF曝光系统的照明孔径设计
作者:
Sang-Soo Choi
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Yusong
;
Taejeon
;
South Korea
;
Han S. Cha
;
Hanyang Univ.
;
Yson
;
Taejeon
;
South Korea
;
Jong-Soo Kim
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Yusong
;
Taejon
;
South Korea
;
Kag Hyeon Lee
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Yusong
;
Taejeon
;
South Korea
;
Doh H. Kim
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Yusong
;
Taejon
;
South Korea
;
Hai Bin Chung
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Yusong
;
Taejon
;
South Korea
;
Dae Y. Kim
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Taejon
;
South Korea.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
96.
Advanced resist coating technology for mask manufacturing process
机译:
先进的抗蚀剂涂层技术,用于掩模制造工艺
作者:
Yasuyuki Kushida
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Youichi Usui
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Toru Kobayashi
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Kuwana-gun
;
Mie
;
Japan
;
Kazumasa Shigematsu
;
Fujitsu Labs. Ltd.
;
Kuwana-gun Mie
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
97.
Performance characteristics of ultranarrow ArF laser for DUV lithography
机译:
用于DUV光刻的超细ArF激光器的性能特征
作者:
Alexander I. Ershov
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Herve Besaucele
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Palash P. Das
;
Cymer
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
98.
Clear-field alternating PSM for 193-nm lithography
机译:
用于193 nm光刻的明场交替PSM
作者:
Patrick Schiavone
;
France Telecom CNET-CNS
;
Issy Moulineaux Cedex 9
;
France
;
Frederic P. Lalanne
;
France Telecom CNET-CNS
;
Crolles Cedex
;
France
;
Alain Prola
;
France Telecom CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
99.
Excimer-laser-induced absorption in fused silica
机译:
准分子激光在熔融石英中的吸收
作者:
Johannes Moll
;
Corning Inc.
;
Corning
;
NY
;
USA
;
Paul M. Schermerhorn
;
Corning Inc.
;
Corning
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
100.
Hierarchical processing for accurate optical proximity correction for 1-Gb DRAM metal layers
机译:
分层处理,可对1-Gb DRAM金属层进行精确的光学邻近校正
作者:
Sachiko Kobayashi
;
Toshiba Corp.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Taiga Uno
;
Toshiba Corp.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kazuko Yamamoto
;
Toshiba Corp.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Satoshi Tanaka
;
Toshiba Corp.
;
Ykohama
;
Japan
;
Toshiya Kotani
;
Toshiba Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Soichi Inoue
;
Toshiba Corp.
;
Kanagawa
;
Japan
;
Hitoshi Higurashi
;
Toshiba Corp.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Susumu Watanabe
;
Toshiba Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Mitsuhiro Yano
;
Toshiba Corp.
;
Yokohama
;
Japan
;
Sinichiro Ohki
;
Toshiba Corp.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kiyoshi Tsunakawa
;
Toshiba Corp.
;
Minato-ku Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Optical Microlithography XII》
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