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Optical/Laser Microlithography VI
Optical/Laser Microlithography VI
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Effect of duty ratio of line and space in phase-shifting lithography
机译:
相移光刻中线和空占比的影响
作者:
Junji Miyazaki
;
Mitsubishi LSI Lab.
;
Hyogo-ken
;
Japan
;
Atsumi Yamaguchi
;
Mitsubishi LSI Lab.
;
Hyogo-ken
;
Japan
;
Keiji Fujiwara
;
Mitsubishi LSI Lab.
;
Itami
;
Hyogo
;
Japan
;
Nobuyuki Yoshioka
;
Mitsubishi LSI Lab.
;
Itami-shi
;
Hyogo
;
Japan
;
Hiroaki Morimoto
;
Mitsubishi LSI Lab.
;
Itami
;
Hyogo
;
Japan
;
Katsuhiro Tsukamoto
;
Mitsubishi LSI Lab.
;
Itami City
;
Hyogo-Pref.
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
2.
New method of tilted illumination using grating mask: advanced tilted illumination on mask
机译:
使用光栅掩模的倾斜照明的新方法:掩模上的高级倾斜照明
作者:
Ho-Young Kang
;
Samsung Electronics Co.
;
Maedan
;
Dong
;
Suwon City
;
South Korea
;
Chul Hong Kim
;
Samsung Electronics Co.
;
Kiheung-Eup
;
Yongin-Gun
;
Kyungki-Do
;
South Korea
;
Woo-Sung Han
;
Samsung Electronics Co.
;
Kiheung-eup Yongin-gun
;
Kyungki-do
;
South Korea
;
Young-Bum Koh
;
Samsung Electronics Co.
;
Yongin-gun
;
Kyungki-do
;
South Korea
;
Moon-Yong Lee
;
Samsung Electronics Co.
;
Yongin-gun
;
Kyungki-do
;
Seoul
;
South Korea.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
3.
Phase-contrast lithography
机译:
相衬光刻
作者:
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
4.
Rim phase-shift mask combined with off-axis illumination: a path to .5lambda/NA geometries
机译:
边缘相移掩模与偏轴照明相结合:通向.5λ/ NA几何的路径
作者:
Timothy A. Brunner
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
5.
Use of amorphous silicon for deep-UV masks
机译:
将非晶硅用于深紫外线掩膜
作者:
Charles H. Fields
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
William G. Oldham
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Richard J. Bojko
;
Cornell Univ.
;
Ithaca
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
6.
Chromeless phase mask by resist silylation for i-line lithography
机译:
通过抗蚀剂甲硅烷基化进行i线光刻的无铬相掩膜
作者:
Lothar Bauch
;
Institut fuer Halbleiterphysik GmbH
;
Dresden
;
Federal Republic of Germany
;
Joachim J. Bauer
;
Institut fuer Halbleiterphysik GmbH
;
Frankfurt (Oder)
;
Federal Republic of Germany
;
M.Boettcher
;
Institut fuer Halbleiterphysik GmbH
;
Frankfurt (Oder)
;
Federal Republic of Germany
;
U.Haak
;
Institut fuer Halbleiterphysik GmbH
;
Frankfurt (Oder)
;
Federal Republic of Germany
;
Wolfgang W. Hoeppner
;
Institut fuer Halbleiterphysik GmbH
;
Frankfurt Am Main
;
Federal Republic of Germany
;
Georg G. Mehliss
;
Allresist GmbH
;
Berlin
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
7.
Comparison of scalar and vector diffraction modeling for deep-UV lithography
机译:
深紫外光刻的标量和矢量衍射模型比较
作者:
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Donis G. Flagello
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Joseph R. Summa
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Lynn F. Fuller
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
8.
Determine submicron process window volume with simulator tools
机译:
使用模拟器工具确定亚微米工艺窗口的体积
作者:
Mircea V. Dusa
;
Technical Instrument Co.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Linard Karklin
;
Silvaco International
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Mark Goldmann
;
Silvaco International
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
William Gouin
;
Shipley Co. Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
George Mirth
;
Shipley Co. Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
9.
Exposure alignment compensation method for rim phase-shifting mask fabrication
机译:
边缘相移掩模制造中的曝光对准补偿方法
作者:
Minoru Sugawara
;
Sony Corp.
;
Atsugi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Hiroichi Kawahira
;
Sony Corp.
;
Kanagawa
;
Japan
;
Akihiro Ogura
;
Sony Corp.
;
Atsugi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Satoru Nozawa
;
Sony Corp.
;
Atsugi-shi
;
Kanagawa-Ken
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
10.
Fabrication of 0.1-um T-shaped gates by phase-shifting optical lithography
机译:
通过相移光刻技术制造0.1um T形栅极
作者:
Hua-Yu Liu
;
Hewlett Packard Co.
;
Palo Alto
;
CA
;
USA
;
Chung-yi Su
;
Hewlett Packard Co.
;
Palo Alto
;
CA
;
USA
;
Nigel R. Farrar
;
Hewlett Packard Co.
;
Palo Alto
;
CA
;
USA
;
Bob Gleason
;
Hewlett Packard Co.
;
Palo Alto
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
11.
Mask alignment technique using phase-shifted moire signals
机译:
使用相移莫尔信号的掩模对准技术
作者:
Rina Sharma
;
National Physical Lab.
;
New Delhi
;
India
;
Gururaj A. Bhat
;
National Physical Lab.
;
New Delhi
;
India
;
A.K. Kanjilal
;
National Physical Lab.
;
New Delhi
;
India
;
Ram Narain
;
National Physical Lab.
;
New Delhi
;
India
;
M.S. Rashmi
;
National Physical Lab.
;
New Delhi
;
India
;
Vijay T. Chitnis
;
National Physical Lab.
;
New Delhi
;
India
;
Yoshiyuki Uchida
;
Aichi Institute of Technology
;
Toyota
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
12.
0.35-micron excimer DUV photolithography process
机译:
0.35微米准分子DUV光刻工艺
作者:
Donald O. Arugu
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Kent G. Green
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Peter Nunan
;
SEMATECH Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Marcel Terbeek
;
SEMATECH Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Sue E. Crank
;
SEMATECH Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Lam Ta
;
SEMATECH Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Elliott S. Capsuto
;
Brewer Science
;
Inc.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Satyendra S. Sethi
;
National Semiconductor Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
13.
Response surface modeling of rim phase-shift masks
机译:
边缘相移掩模的响应面建模
作者:
Richard D. Holscher
;
Rochester Institute of Technology
;
Boise
;
ID
;
USA
;
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Steve K. Brainerd
;
Rochester Institute of Technology
;
Tigard
;
OR
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
14.
Effect of g-line filter transmission characteristics on dose matching between monochromatic exposure tools in a production environment
机译:
生产环境中g线滤光片透射特性对单色曝光工具之间剂量匹配的影响
作者:
James R. Przybyla
;
Hewlett-Packard Co.
;
Corvallis
;
OR
;
USA
;
Tim Emery
;
Hewlett-Packard Co.
;
Corvallis
;
OR
;
USA
;
Hussein Mukaled
;
Nikon Precision Inc.
;
Beaverton
;
OR
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
15.
Extension of the Hopkins theory of partially coherent imaging to include thin-film interference effects
机译:
将霍普金斯理论的部分相干成像扩展到包括薄膜干涉效应
作者:
Michael S. Yeung
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Derek Lee
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Robert Lee
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Andrew R. Neureuther
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
16.
Intensity optimization for phase-shifting masks
机译:
移相掩膜的强度优化
作者:
Kevin D. Lucas
;
Carnegie Mellon Univ.
;
Pittsburgh
;
PA
;
USA
;
Andrzej J. Strojwas
;
Carnegie Mellon Univ.
;
Pittsburgh
;
PA
;
USA
;
K.K. Low
;
SEMATECH
;
Motorola Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Chi-Min Yuan
;
IBM East Fishkill
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
17.
Multiple shifter arrays for repairing phase defects in conjugate twin-shifter phase-shift mask
机译:
用于修复共轭双移位器相移掩模中相缺陷的多个移位器阵列
作者:
Hiroshi Ohtsuka
;
OKI Electric Industry Co.
;
Ltd.
;
Hachioji-shi
;
Tokyo
;
Japan
;
Kazuyuki Kuwahara
;
OKI Electric Industry Co.
;
Ltd.
;
Hachioji-shi
;
Tokyo
;
Japan
;
Toshio Onodera
;
OKI Electric Industry Co.
;
Ltd.
;
Hachioji-shi
;
Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
18.
New mask technique for optical lithography--dummy diffraction mask
机译:
光刻新的掩模技术-虚拟衍射掩模
作者:
Yong-Ho Oh
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Daeduk Science Town
;
Daejeon
;
South Korea
;
Hyung J. Yoo
;
Electronics Telecommunications Res. Institute
;
Daejeon
;
South Korea
;
Byung-Sun Park
;
Electronics Telecommunications Res. Institute
;
Daejeon
;
South Korea
;
Zion Cha
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Daeduk Science Town
;
Daejeon
;
South Korea
;
Hyo-Joong Kim
;
Electronics Telecommunications Research Institut
;
Daeduk Science Town
;
Daejeon
;
South Korea
;
Young-Jin Jeon
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Daeduk Science Town
;
Daejeon
;
South Korea.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
19.
193-nm deep-UV lithography system using a line-narrowed ArF excimer laser
机译:
193-nm深紫外光刻系统,使用线窄ArF准分子激光器
作者:
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
Malcolm C. Gower
;
Exitech Ltd.
;
Long Hanborough
;
Oxford
;
United Kingdom
;
Mark Westcott
;
GCA Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA
;
Lynn F. Fuller
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
20.
Advanced process with magnetically enhanced RIE for phase-shifting mask fabrication
机译:
具有磁增强RIE的先进工艺,用于相移掩模制造
作者:
Satoshi Aoyama
;
Mitsubishi LSI Lab.
;
Itami-shi
;
Hyogo
;
Japan
;
Haruhiko Kusunose
;
Mitsubishi LSI Lab.
;
Itami-shi
;
Hyogo
;
Japan
;
Minoru Hanazaki
;
Mitsubishi Central Research Lab.
;
Amagasaki
;
Hyogo
;
Japan
;
Nobuyuki Yoshioka
;
Mitsubishi LSI Lab.
;
Itami-shi
;
Hyogo
;
Japan
;
Yaichirou Watakabe
;
Mitsubishi LSI Lab.
;
Itami-shi
;
Hyogo
;
Japan
;
Atsushi Hayashi
;
Ulvac Coating Corp.
;
Chichibu-City
;
Saitama
;
Japan
;
Akihiko Isao
;
Ulvac Coating Corp.
;
Chichibu-shi
;
Saitama-ken
;
Japan
;
Yasuo Tokoro
;
Ulvac Coating Corp.
;
Chichibu-City
;
Saitama
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
21.
Off-axis illumination--working principles and comparison with alternating phase-shifting masks
机译:
离轴照明-工作原理以及与交替相移掩模的比较
作者:
Burn J. Lin
;
Linnovation
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
22.
Optimization of antireflection layers for deep-UV lithography
机译:
深紫外光刻的抗反射层的优化
作者:
Han J. Dijkstra
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands
;
Casper A. Juffermans
;
Philips Research Labs.
;
Valkenswaard
;
Netherlands.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
23.
Optimization of the spatial properties of illumination for improved lithographic response
机译:
优化照明的空间特性以改善光刻响应
作者:
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
24.
Overlay distortions in wafer-scale integration lithography
机译:
晶圆级集成光刻中的重叠畸变
作者:
Warren W. Flack
;
TRW Inc.
;
Los Angeles
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
25.
Photoresist striation study on the 8-inch topography wafer
机译:
8英寸形貌晶圆的光刻胶条纹研究
作者:
Daniel H. Lee
;
Industrial Technology Research Institute
;
Milpitas
;
CA
;
USA
;
Chih-Yung Lin
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung
;
Hsinchu
;
Taiwan
;
Gwo-Yuh Shiau
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung
;
Hsinchu
;
Taiwan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
26.
Practical resolution enhancement effect by new complete antireflective layer in KrF excimer laser lithography
机译:
KrF准分子激光光刻中新的完整抗反射层对实际分辨率的提高效果
作者:
Tohru Ogawa
;
Sony Corp.
;
Atsugi-shi
;
Kanagawa-ken
;
Japan
;
Mitsumori Kimura
;
Sony Corp.
;
Kanagawa-ken
;
Japan
;
Tetsuo Gocho
;
Sony Corp.
;
Kanagawa-ken
;
Japan
;
Yoichi Tomo
;
Sony Corp.
;
Kanagawa-ken
;
Japan
;
Toshiro Tsumori
;
Sony Corp.
;
Kanagawa-ken
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
27.
Cost/benefit analysis of mix-and-match lithography for production of half-micron devices
机译:
用于生产半微米器件的混合匹配光刻的成本/收益分析
作者:
John G. Maltabes
;
IBM Corp.
;
Williston
;
VT
;
USA
;
Mark Hakey
;
IBM Corp.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Alan L. Levine
;
Ultratech Stepper Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
28.
Design and analysis of a high-NA projection optical system for 0.35-um deep-UV lithography
机译:
用于0.35um深紫外光刻的高NA投影光学系统的设计和分析
作者:
Andrew V. Hill
;
GCA/Tropel
;
Rochester
;
NY
;
USA
;
James E. Webb
;
GCA/Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA
;
Anthony R. Phillips
;
GCA/Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA
;
James E. Connors
;
GCA/Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
29.
Experiment and simulation of sub-0.25-um resist processes for 193-nm lithography
机译:
0.25 nm以下193 nm光刻胶工艺的实验和仿真
作者:
Roderick R. Kunz
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Mark A. Hartney
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Richard W. Otten
;
Jr.
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Eytan Barouch
;
Princeton Univ.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
Uwe Hollerbach
;
Princeton Univ.
;
Princeton
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
30.
Optimizing NA and sigma for subhalf-micrometer lithography
机译:
为半微米光刻优化NA和sigma
作者:
William N. Partlo
;
GCA/Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA
;
Setha G. Olson
;
GCA/Tropel
;
Andover
;
MA
;
USA
;
Christopher Sparkes
;
GCA/Tropel
;
Andover
;
MA
;
USA
;
James E. Connors
;
GCA/Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
31.
Performance of a 0.5 NA broadband DUV step-and-scan system
机译:
0.5 NA宽带DUV步进扫描系统的性能
作者:
Mark W. Barrick
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Doug Bommarito
;
SEMATECH
;
Wilton
;
CT
;
USA
;
Karey L. Holland
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Katherine C. Norris
;
SEMATECH
;
Milton
;
VT
;
USA
;
Bob Patterson
;
SEMATECH
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Yumiko Takamori
;
SEMATECH
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Joseph Vigil
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Timothy Wiltshire
;
SEMATECH
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
32.
Polarization effect of illumination light
机译:
照明光的偏振效应
作者:
Yasuyuki Unno
;
Canon Research Ctr.
;
Atsugi-shi
;
Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
33.
TAR processing for CD control in I-line and 248-nm lithography
机译:
在I线和248 nm光刻中进行CD控制的TAR处理
作者:
Christopher F. Lyons
;
IBM East Fishkill
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Nicholas K. Eib
;
IBM East Fishkill
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Marina Plat
;
IBM East Fishkill
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Gary T. Spinillo
;
IBM East Fishkill
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA
;
Kevin M. Welsh
;
IBM Semiconductor Research
;
Development Ctr.
;
Hopewell Junction
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
34.
Three-dimensional lithography cases for exploring technology solutions and benchmarking simulators
机译:
用于探索技术解决方案和基准测试模拟器的三维光刻案例
作者:
John J. Helmsen
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Andrew R. Neureuther
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
35.
Phase-shifting mask topography effects on lithographic image quality
机译:
相移掩模的形貌对光刻图像质量的影响
作者:
Christophe Pierrat
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
Alfred K. Wong
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Sheila Vaidya
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
M.F. Vernon
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
36.
Three-dimensional resist profile simulation
机译:
三维抗蚀剂轮廓模拟
作者:
Masaya Komatsu
;
Nikon Corp.
;
Shinagawa-ku
;
Tokyo
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
37.
Computer-aided phase-shift mask design with reduced complexity
机译:
具有降低复杂度的计算机辅助相移掩模设计
作者:
Yong Liu
;
Univ. of California/Berkeley
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Avideh Zakhor
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
38.
Depth of focus and resolution enhancement of i-line and deep-UV lithography using annular illumination
机译:
使用环形照明的i线和深紫外光刻的焦深和分辨率提高
作者:
William N. Partlo
;
GCA/Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA
;
Paul J. Tompkins
;
GCA/Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA
;
Paul G. Dewa
;
GCA/Tropel
;
Newark
;
NY
;
USA
;
Paul F. Michaloski
;
GCA/Tropel
;
Rochester
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
39.
Isolated-grouped linewidth bias on SVGL Micrascan
机译:
SVGL Micrascan上的孤立分组线宽偏差
作者:
Vasanti A. Deshpande
;
National Semicondutor
;
Arlington
;
TX
;
USA
;
Karey L. Holland
;
IBM Corp.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Alexander Hong
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
40.
Lithographic performance of a new generation i-line optical system: a comparative analysis
机译:
新一代i-line光学系统的光刻性能:对比分析
作者:
Gary E. Flores
;
Ultratech Stepper Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Warren W. Flack
;
Ultratech Stepper Corp.
;
Los Angeles
;
CA
;
USA
;
Lynn Dwyer
;
Ultratech Stepper Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
41.
New resolution-enhancing mask for projection lithography based on in-situ off-axis illumination
机译:
基于原位离轴照明的用于投影光刻的新分辨率增强掩模
作者:
Rainer Pforr
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium
;
Rik Jonckheere
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium
;
Wolfgang Henke
;
Fraunhofer Institut fuer Mikrostrukturtechnik
;
Berlin
;
Federal Republic of Germany
;
Kurt Ronse
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium
;
Patrick Jaenen
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium
;
Ki-Ho Baik
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium
;
Luc Van den hove
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
42.
0.35-micron lithography using off-axis illumination
机译:
使用离轴照明的0.35微米光刻
作者:
Paul F. Luehrmann
;
Jr.
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Peter van Oorschot
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Hans Jasper
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Sunny Stalnaker
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Steve K. Brainerd
;
Micron Semiconductor
;
Inc.
;
Tigard
;
OR
;
USA
;
J.B. Rolfson
;
Micron Semiconductor
;
Inc.
;
Boise
;
ID
;
USA
;
Linard Karklin
;
Silvaco International
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
43.
Advanced lithography simulation tools for development and analysis of wide-field high numerical aperture projection optical systems
机译:
用于开发和分析广域高数值孔径投影光学系统的高级光刻仿真工具
作者:
James E. Connors
;
GCA/Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA
;
Todd Kos
;
GCA/Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA
;
Robert C. Pack
;
R.C. Pack Associates
;
Palo Alto
;
CA
;
USA
;
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
44.
Aerial image-based design of rim phase-shift masks with annular illumination
机译:
基于航空影像的环形照明边缘相移掩模设计
作者:
David M. Newmark
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Joseph G. Garofalo
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA
;
Sheila Vaidya
;
ATT Bell Labs.
;
New Providence
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
45.
Photoresist thin-film effects on alignment process capability
机译:
光刻胶薄膜对对准工艺能力的影响
作者:
Gary E. Flores
;
Ultratech Stepper Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Warren W. Flack
;
TRW Inc.
;
Los Angeles
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
46.
Vector aerial image with off-axis illumination
机译:
带轴外照明的矢量航拍图像
作者:
Eytan Barouch
;
Princeton Univ.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
Daniel C. Cole
;
IBM Corp.
;
Jericho
;
VT
;
USA
;
Uwe Hollerbach
;
Princeton Univ.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
Steven A. Orszag
;
Princeton Univ.
;
Princeton
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
47.
Vector diffraction analysis of phase-mask imaging in photoresist films
机译:
光刻胶膜中相掩模成像的矢量衍射分析
作者:
Donis G. Flagello
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Alan E. Rosenbluth
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA.
会议名称:
《》
48.
Chromeless phase-shift technology: the physical mechanism of the dark area produced by phase compensation and its a
机译:
无铬相移技术:由相位补偿产生的暗区的物理机理及其解决方案
作者:
Long Que
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Shuangliu
;
Chendu
;
Sichuan
;
China
;
Guoliang Sun
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Shuangliu
;
Chengdu
;
Sichuan
;
China
;
Boru Feng
;
Institute of Optics
;
Electronics
;
Shuangliu
;
Chendu
;
Sichuan
;
China.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
49.
Comparison of various phase-shift strategies and a
机译:
比较各种相移策略和
作者:
Kurt Ronse
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium
;
Rik Jonckheere
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium
;
Casper A. Juffermans
;
Philips Research Labs.
;
Valkenswaard
;
Netherlands
;
Luc Van den hove
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
50.
Parametric studies and the operating latitude of a spectrally narrowed KrF excimer laser for the deep-UV ste
机译:
光谱变窄的KrF准分子激光用于深紫外Ste的参数研究和工作范围
作者:
Uday K. Sengupta
;
Cymer Laser Technologies
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Toshihiko Ishihara
;
Cymer Laser Technologies
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Richard L. Sandstrom
;
Cymer Laser Technologies
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
51.
Quarter-micron lithography using a deep-UV ste
机译:
使用深紫外光固化机进行的四微米光刻
作者:
Anthony Yen
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
William N. Partlo
;
GCA/Tropel
;
Fairport
;
NY
;
USA
;
Shane R. Palmer
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Maureen A. Hanratty
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Michael C. Tipton
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
52.
High-resolution spectral studies and the absolute-wavelength calibration of a KrF excimer laser for microlithography
机译:
用于微光刻的KrF准分子激光的高分辨率光谱研究和绝对波长校准
作者:
Igor V. Fomenkov
;
Cymer Laser Technologies
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA
;
Richard L. Sandstrom
;
Cymer Laser Technologies
;
Inc.
;
San Diego
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
53.
Calibration of lithography simulator by using subresolution patterns
机译:
使用次分辨率图案校准光刻模拟器
作者:
Shay Kaplan
;
National Semiconductor
;
Migdal Haemek
;
Israel
;
Linard Karklin
;
Silvaco International
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
54.
I-line lithography for subhalf-micron design rules
机译:
半微米设计规则的I线光刻
作者:
Barton A. Katz
;
ASM Lithography
;
Inc.
;
Tempe
;
AZ
;
USA
;
Leif R. Sloan
;
ASM Lithography
;
Inc.
;
Tempe
;
AZ
;
USA
;
James Foster
;
ASM Lithography
;
Inc.
;
Tempe
;
AZ
;
USA
;
Richard Rogoff
;
ASM Lithography
;
Inc.
;
Tempe
;
AZ
;
USA
;
Ron Chu
;
ASM Lithography
;
Inc.
;
Hsinchu City
;
Taiwan
;
Daniel H. Lee
;
Industrial Technology Research Institute
;
Milpitas
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
55.
NA and
optimization for high-NA i-line lithography
机译:
高NA i线光刻的NA和
优化
作者:
Koji Yamanaka
;
NEC Corp.
;
Roseville
;
CA
;
USA
;
Haruo Iwasaki
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan
;
Hiroshi Nozue
;
NEC Corp.
;
Setagaya
;
Tokyo
;
Japan
;
Kunihiko Kasama
;
NEC Corp.
;
Sagamihara
;
Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
56.
Negative deep-UV processes for CMOS and EPROM devices: performances and limits
机译:
CMOS和EPROM器件的负深紫外线工艺:性能和局限性
作者:
Francoise Vinet
;
LETI/CEA-DTA
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Thierry Mourier
;
LETI/CEA-DTA
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Fabienne Baudru
;
LETI/CEA-DTA
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Charles Le Cornec
;
LETI/CEA-DTA
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Michel Lerme
;
LETI/CEA-DTA
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Bernard Guillaumot
;
SGS-Thomson Microelectronics
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Michel Laurens
;
SGS-Thomson Microelectronics
;
Grenoble Cedex
;
France.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
57.
Self-aligned rim-type phase-shift mask fabrication by backside exposure
机译:
通过背面曝光自对准边缘型相移掩模
作者:
David S. OGrady
;
IBM Corp.
;
Jericho
;
VT
;
USA
;
Stan P. Bajuk
;
IBM Corp.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Edward T. Smith
;
Harvard Univ.
;
Cambridge
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
58.
KrF excimer lasers for DUV-lithography
机译:
用于DUV光刻的KrF准分子激光器
作者:
Rainer Paetzel
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Federal Republic of Germany
;
Hermann Buecher
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Federal Republic of Germany
;
Ulrich Rebhan
;
Lambda Physik GmbH
;
Goettingen
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
59.
Process-induced wafer distortion: its measurement and effects on overlay in ste
机译:
工艺引起的晶圆变形:其测量及其对Ste覆层的影响
作者:
Giovanni Rivera
;
SGS-Thomson Microelectronics
;
Agrate Brianza
;
Italy
;
Paolo Canestrari
;
SGS-Thomson Microelectronics
;
Agrate Brianza
;
Italy.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
60.
Wide-field deep-UV wafer ste
机译:
宽视野深紫外晶圆
作者:
Stefan Wittekoek
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Martin A. van den Brink
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
G.J. Poppelaars
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands
;
Marian E. Reuhman-Huisken
;
ASM Lithography BV
;
Veldhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
61.
Effect of lens aberration on oblique-illumination ste
机译:
镜头像差对倾斜照明镜头的影响
作者:
Pei-yang Yan
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Qi-De Qian
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Joseph C. Langston
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
62.
Improvement of the physical-optics approximation for topographysimulation in optical lithography,
机译:
光刻中形貌模拟的物理光学近似的改进,
作者:
Michael S. Yeung
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Andrew R. Neureuther
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
63.
Application of phase-shifting mask to DRAM cell capacitor fabrication,
机译:
相移掩模在DRAM单元电容器制造中的应用
作者:
Emiko Sugiura
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Hisashi Watanabe
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Takashi Saito
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Tadashi Imoriya
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Yoshihiro Todokoro
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan
;
Morio Inoue
;
Matsushita Electronics Corp.
;
Minami-ku
;
Kyoto
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
64.
Phase-shift reticles for the fabrication of subhalf micron gates in GaAs integrated circuits using optical ste
机译:
使用光导在GaAs集成电路中制造半微米栅极的相移掩模版
作者:
Joachim J. Schneider
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik
;
Freiburg Im Breisgau
;
Federal Republic of Germany
;
Fred Becker
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik
;
Freiburg Im Breisgau
;
Federal Republic of Germany
;
Brian Raynor
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik
;
Freiburg Im Breisgau
;
Federal Republic of Germany
;
Birgit Weismann
;
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik
;
Freiburg Im Breisgau
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
65.
Simulating the stitching performance of flat-panel-display ste
机译:
模拟平板显示器的拼接效果
作者:
Roger C. Sumner
;
MRS Technology
;
Inc.
;
Chelmsford
;
MA
;
USA
;
David S. Holbrook
;
MRS Technology
;
Inc.
;
Woburn
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
66.
Suitability of high-numerical-aperture i-line steppers with obliqueillumination for linewidth control in 0.35-um complex circuit patterns,
机译:
带斜照明的高孔径i线步进器适用于0.35um复杂电路图案的线宽控制,
作者:
Michael K. Templeton
;
Advanced Micro Devices
;
Inc.
;
Sunnyvale
;
CA
;
USA
;
Eytan Barouch
;
Princeton Univ.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
Uwe Hollerbach
;
Princeton Univ.
;
Princeton
;
NJ
;
USA
;
Steven A. Orszag
;
Princeton Univ.
;
Princeton
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
67.
Subhalf-micron ste
机译:
亚亚微米停留
作者:
Michio Kohno
;
Canon
;
Inc.
;
Utsunomiya-shi
;
Tochigi-ken
;
Japan
;
Nobuhiro Kodachi
;
Canon
;
Inc.
;
Utsunomiya-shi
;
Tochigi-ken
;
Japan
;
Kazumi Yajima
;
Canon
;
Inc.
;
Utsunomiya-shi
;
Tochigi-ken
;
Japan
;
Seiya Miura
;
Canon
;
Inc.
;
Utsunomiqu-shi
;
Tochigi-ken
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
68.
New ring array off-axis illumination system for subhalf-micron lithography
机译:
用于半微米光刻的新型环形阵列离轴照明系统
作者:
Haixing Zou
;
Shanghai Institute of Optics
;
Fine Mechanics
;
Shanghai
;
China
;
Qihua Yan
;
Shanghai Institute of Optics
;
Fine Mechanics
;
Shanghai
;
China
;
Yu Yan
;
Shanghai Institute of Optics
;
Fine Mechanics
;
Shanghai
;
China.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
69.
Cost analysis of lithographic characterization: an overview
机译:
光刻表征的成本分析:概述
作者:
Patricia F. Mahoney
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA
;
Chris A. Mack
;
FINLE Technologies
;
Inc.
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
70.
Efficient spectral narrowing tuning and stabilization devices for KrF laser used in microlithography
机译:
用于微光刻的KrF激光的高效光谱变窄调谐和稳定装置
作者:
Alexander N. Novoselov
;
Scientific Research Institute ZENIT
;
Moscow
;
Russia
;
Victor G. Nikiforov
;
Scientific Research Institute ZENIT
;
Moscow
;
Russia
;
Alexander F. Silnitsky
;
Scientific Research Institute ZENIT
;
Moscow
;
Russia
;
Boris F. Trinchuk
;
Scientific Research Institute ZENIT
;
Moscow
;
Russia.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
71.
170-nm gates fabricated by phase-shift mask and top antireflector process
机译:
通过相移掩模和顶部抗反射工艺制造的170 nm栅极
作者:
Timothy A. Brunner
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
Pia N. Sanda
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
M.Wordeman
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA
;
T.Lii
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Yorktown Heights
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
72.
Stability of krypton fluoride laser in real ste
机译:
氟化ste激光在实际中的稳定性
作者:
Masahiko Kowaka
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Yukio Kobayashi
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi
;
Kanagawa-ken
;
Japan
;
Osamu Wakabayashi
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Noritoshi Itoh
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Jun-ichi Fujimoto
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Takanobu Ishihara
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Hiroaki Nakarai
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Hakaru Mizoguchi
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Yoshiho Amada
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Yasuhiro Nozue
;
Komatsu Ltd.
;
Hiratsuka-shi
;
Kanagawa
;
Japan.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
73.
Study of excimer-laser direct-projective lithography
机译:
准分子激光直接投影光刻技术的研究
作者:
Haixing Zou
;
Shanghai Institute of Optical
;
Fine Mechanics
;
Shanghai
;
China
;
Yudong Zhang
;
Shanghai Institute of Optical
;
Fine Mechanics
;
Fuzhou
;
Fujian
;
China.
会议名称:
《Optical/Laser Microlithography VI》
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