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机译:使用俄歇电子能谱法定量评估多晶多层材料深度剖析中溅射引起的表面粗糙度
Max Planck Institute for Metals Research, Heisenbergstrasse 3, Stuttgart D-70569, Germany;
AES depth profiling; depth resolution; sputtering induced roughness; Ni/Cr multilayer;
机译:溅射引起的表面粗糙度的定量评估及其对多晶Ni / Cu多层薄膜的AES深度分布的影响
机译:不同能量O〜(2+)离子轰击飞行时间二次离子质谱深度剖析评估溅射诱导的Ni / Cu多层薄膜表面粗糙度
机译:低能溅射深度分析和因子分析的俄歇电子能谱研究SiC中溅射诱导的蚀变层
机译:通过角度分辨X射线光电子能谱从聚合物表面定量深度剖谱
机译:使用飞行时间正电子an灭感应俄歇电子能谱研究氧化物表面。
机译:通过俄歇电子能谱和X射线光电子能谱定量测定表面成分的有效衰减长度
机译:模拟离子溅射和俄歇电子能谱深度剖析 Cu / Co中混合的研究