机译:可旋转靶材通过反应磁控溅射在工业上沉积透明导电氧化物的挑战
ARDENNE GmbH, Plattleite 19-29, D-01324 Dresden, Germany;
Reactive magnetron sputtering; Indium tin oxide; Aluminium-doped zinc oxide; Tube target; Hysteresis; Film property distribution;
机译:溅射功率对带有旋转圆柱靶的脉冲直流磁控溅射沉积的ZnO:Ga透明导电氧化物膜性能的影响
机译:靶成分和沉积温度对脉冲直流磁控溅射中ZnO:Ga透明导电氧化物膜性能的综合影响
机译:反应性高功率脉冲磁控溅射在室温下沉积均匀,高透明且导电的Al掺杂ZnO薄膜
机译:用于钝化和载体选择性触点的金属氧化物的工业沉积:由工业尺寸反应直流磁控溅射和工业尺寸线性蒸发源沉积的MOO_X
机译:直流反应磁控溅射沉积的新型薄膜透明导电氧化物。
机译:射频直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的透明导电掺铝ZnO多晶薄膜的载流子输运和晶体学取向特征
机译:通过反应高功率脉冲磁控溅射均匀,高度透明和导电Al掺杂ZnO膜的室温沉积