机译:InAs(111)-Bi表面上(2×2)重建和电荷积累层的相关发展
Materials Physics, ICT, MAP, Royal Institute of Technology, Electrum 229, 164 40 Kista, Sweden KTH, Royal Academy of Technology, Materialfysik, P.O. Box Electrum 229, SE-164 40 Kista, Sweden;
MAX-lab. Lund University, SE-221 00 Lund, Sweden;
rnMaterials Physics, ICT, MAP, Royal Institute of Technology, Electrum 229, 164 40 Kista, Sweden;
rnMaterials Physics, ICT, MAP, Royal Institute of Technology, Electrum 229, 164 40 Kista, Sweden;
adatoms; indium arsenide; bismuth; photoemission; 2 DEG;
机译:Bi诱导的InAs(111)-(2×2)表面上电荷积累层的理论研究
机译:Bi诱导的lnAs(111)-(2×2)表面电荷积累层的理论研究
机译:InAs(111)B表面的表面重建的第一性原理研究
机译:Si(111)上的亚亚锡层诱导的表面重建
机译:关联分子单分子层和表面的结构,机械和电荷传输性质。
机译:考虑表面振动和新的(111)B重构的GaAs和InAs的平衡晶体形状:从头算热力学
机译:在清洁INAS(111)表面上的电子累积层的起源
机译:通过亚单层ag吸附在si(111)上进行3次(1次)1次和6次(1次)表面重建的相关切换