机译:在室温下通过O2的平移动能控制Si(001)-2 x 1表面上的时间分辨光发射光谱(vol 532,pg 690,2003)
Japan Atom Energy Res Inst, Synchrotron Radiat Res Ctr, Mikazuki, Hyogo 6795148, Japan;
Japan Atom Energy Res Inst, Synchrotron Radiat Res Ctr, Mikazuki, Hyogo 6795148, Japan;
机译:室温下O_2的平移动能控制Si(001)-2 x 1表面上的时间分辨光发射光谱
机译:使用同步辐射对O_2平移动能诱导的部分氧化Si(001)表面的氧化过程进行原位光发射光谱。
机译:同步辐射原位光发射光谱法对O_2平移动能诱导的部分氧化Si(001)表面的氧化过程
机译:同步辐射光电子能谱实时监测Si 001表面初始热氧化
机译:实时光电子能谱研究在p型和n型Si(001)表面上的氧化反应动力学。
机译:室温氧化还原反应通过原位硬X射线光发射和软X射线吸收光谱探测碳/ carbon掺杂CeO2异质界面上的氧化物离子迁移
机译:使用Synchrotron辐射的原位光学激散光谱对O 2 sub>平移动能诱导的部分氧化Si(001)表面的氧化过程