机译:室温下O-2的平移动能在Si(001)表面上引起的初始氧化态通过使用同步加速器辐射的Si-2p核能级光谱研究(vol 482,pg 189,2001)
Japan Atom Energy Res Inst, Synchrotron Radiat Res Ctr, Mikazuki, Hyogo 6795148, Japan;
Japan Atom Energy Res Inst, Synchrotron Radiat Res Ctr, Mikazuki, Hyogo 6795148, Japan;
机译:使用同步加速器辐射光发射光谱法进行原位分析,以超声处理O-2分子束引起的氧预吸附的Si(001)表面的初始氧化(第34卷,第432页,2002年)
机译:使用同步辐射对O_2平移动能诱导的部分氧化Si(001)表面的氧化过程进行原位光发射光谱。
机译:同步辐射原位光发射光谱法对O_2平移动能诱导的部分氧化Si(001)表面的氧化过程
机译:在860 K至1300 K的超声O / sub 2 /分子束诱导的Si 001初始氧化过程中的Si-2p和O-1s光发射光谱
机译:实时光电子能谱研究在p型和n型Si(001)表面上的氧化反应动力学。
机译:AISI 304不锈钢上激光辐射的能量耦合:高温和表面氧化的影响
机译:使用Synchrotron辐射的原位光学激散光谱对O 2 sub>平移动能诱导的部分氧化Si(001)表面的氧化过程