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【24h】

Initial oxidation states on Si(001) surface induced by translational kinetic energy of O-2 at room temperature studied by Si-2p core-level spectroscopy using synchrotron radiation (vol 482, pg 189, 2001)

机译:室温下O-2的平移动能在Si(001)表面上引起的初始氧化态通过使用同步加速器辐射的Si-2p核能级光谱研究(vol 482,pg 189,2001)

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  • 来源
    《Surface Science》 |2015年第julaaau期|157-157|共1页
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    Japan Atom Energy Res Inst, Synchrotron Radiat Res Ctr, Mikazuki, Hyogo 6795148, Japan;

    Japan Atom Energy Res Inst, Synchrotron Radiat Res Ctr, Mikazuki, Hyogo 6795148, Japan;

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