ОСОБЕННОСТИ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs)_(1-x-y)(Ge_2)_x(ZnSe)_y С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ ZnSe

摘要

Впервые выращены пленки (GaAs)_(1-x-y)(Ge_2)_x(ZnSe)_y с квантовыми точками ZnSe методом жид-кофазной эпитаксии. Выращенные слои имели р-тип проводимости с концентрацией носителей тока 5.8 × 10~(15) см~(-3)， подвижностью μ = 359 см~2/(В · с) и удельным сопротивлением 3 Ом · CM. Рент-генодифракционное исследование показало, что полученная пленка является монокристаллической, состоит из блоков с размерами 52 нм, имеет ориентацию (100) и структуру типа сфалерита (типа ZnS). Обнаружено, что парные атомы Ge частично заменяют молекулы GaAs в дефектных областях матричной решетки и образуют нанокристаллы с размерами 44 нм. Установлено, что молекулы селенида цинка растут на поверхности твердого раствора GaAsj_(1-x)Ge_x в форме островков-куполов -квантовых точек с размерами R = 25-35 нм, высотой h = 7-12 нм и плотностью 3.7 × 10~9 см~(-2).