ФОРМИРОВАНИЕ МАССИВОВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОСТРОВКОВ Si С МАЛОЙ УГЛОВОЙ ДИСПЕРСИЕЙ

摘要

В работе исследуется возможность формирования массивов монокристаллических островков с малой угловой дисперсией с целью использования их в качестве активных сред при решении задач управления параметрами рентгеновских пучков. На примере трехслойной структуры подложка-клей-монокристаллическая пластина экспериментально показана возможность управления профилем дифракционных элементов путем изменения ее температуры. Выявлено, что основной причиной разориентации островков является усадка клея при его отвердевании. Вторая причина разо-риентации островков - размягчение клея, возникающего в процессе плазмохимического травления пластины. Указанные причины устраняются изменением температуры приклеивания пластины к поверхности подложки, а также использованием неразмягчающего клея. Температура приклеивания монокристаллической пластины на подложку рассчитывается из значений коэффициентов усадки клея и коэффициентов теплового расширения, составляющих структуру.