机译:探讨沉积时间依赖性Cu_2SN(S,Se)_3薄膜通过非真空停滞沉淀技术合成的微观结构,光电性能
Materials Research Laboratory Department of Chemistry Shivaji University Kolhapur India;
Materials Research Laboratory Department of Chemistry Shivaji University Kolhapur India;
Cu_2Sn(S, Se)_3; Thin film; Arrested precipitation technique; Deposition time; Photovoltaic;
机译:In(Ⅲ)掺杂增强Cu_3SbSe_4薄膜的热电性能;阻滞沉淀技术合成
机译:反应性脉冲激光沉积合成氮掺杂ZnO薄膜的生长,结构和光电性能调节
机译:共沉淀法合成硫化锌薄膜的结构和光电性能
机译:Cu_2SN的室温合成Cu_2SN(S,SE)_3薄膜通过Facile Verted Propiditiation Technol施加沉淀技术
机译:脉冲激光沉积合成铁镍纳米粒子和薄膜的磁性和结构。
机译:电泳沉积技术合成的TiO2薄膜的结构形态和光学性质
机译:沉积时间对通过电沉积法合成的铜氧化物薄膜光电化学性能的影响