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机译:电场和静水压力下GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双量子阱中与杂质有关的极化率和光电离截面
Institute de Fisica, Universidad deAntioquia, AA 1226, Medellin, Colombia;
Institute de Fisica, Universidad deAntioquia, AA 1226, Medellin, Colombia;
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Institute de Fisica, Universidad deAntioquia, AA 1226, Medellin, Colombia;
impurity; photoionization; hydrostatic pressure; electric field;
机译:施加磁场时静水压力对GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子异质结构中Lande g_(‖)因子的影响
机译:生长方向电场和磁场对GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs耦合双量子阱中激子的影响
机译:GaAs2Ga_(1-x)Al_xAs双量子阱中的光致发光能量跃迁:电场和磁场以及静水压力效应
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机译:Heusler合金(铁(1-x)V(x))(3)铝的磁,电传输和静水压力研究。
机译:量子环中与施主杂质相关的线性和非线性带内光吸收系数:施加的电场和静水压力的影响
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机译:Zn(1-x)Cd(x)se厚外延层和Zn(1-x)Cd(x)se / Znse应变层多量子阱光致发光谱中光学跃迁的静水压研究