机译:用于射频和大功率应用的氮化镓HEMT的调查
ECE Dept, Karunya University, Coimbatore, India;
ECE Dept, Karunya University, Coimbatore, India;
2DEG; Field plate; HEMT; Polarization; Trap;
机译:用于功率调节应用的氮化镓HEMT共源共栅开关的性能表征
机译:质子诱导的位移损伤对射频功率放大器中氮化镓HEMT的影响
机译:确定用于配电电路的增强模式氮化镓HEMT的单事件效应应用要求
机译:用于电源应用的基于氮化镓的HEMT:高场陷问题
机译:高功率应用的氮化铝镓/氮化镓HEMT:晶体管设计问题和工艺开发。
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:基于氮化镓MIS-HEMT CASCODE器件的可靠性表征,用于电力电子应用
机译:氮化硅钝化层变化对电子辐照氮化铝镓/氮化镓HEmT结构的影响