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机译:二维phosphor单层电子性质和带隙调制的基本原理研究:应变工程的影响
Duy Tan Univ, Inst Res & Dev, Da Nang, Vietnam;
Duy Tan Univ, Inst Res & Dev, Da Nang, Vietnam;
Don State Tech Univ, Phys Dept, Rostov Na Donu, Russia;
Hue Univ, Univ Educ, Dept Phys, Hue, Vietnam;
Le Quy Don Tech Univ, Dept Mat Sci & Engn, Hanoi, Vietnam;
Phosphorene; DFT calculations; Electronic properties; Strain engineering;
机译:使用应变和电场工程单层1T-HFX2的电子结构和光学性质:第一个原理研究
机译:黑色磷烯应变诱导带间隙调谐的第一原理研究
机译:新型二硫化镉单层预测的第一原理(Penta-CDS
机译:van der Waals在单层MOS_2 /蓝磷烯和单层WS2 /蓝磷烯基异质结构中的相互作用的对比研究:第一原理调查
机译:宽带谱氧化物和氮化物半导体的电子和振动性质的第一原理研究
机译:单轴拉伸应变下具有S空位的单层MoS2的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:应变引起从窄间隙半导体到Ti2CrGe上的半金属的带隙调制:第一原理研究
机译:用于器件应用的石墨烯带结构和带隙工程的第一性原理研究。