机译:DRAM接口的最新发展:内存通道上的英里标记
Micron Technology Inc. Boise Idaho United States;
Random access memory; Bandwidth; DRAM chips; Graphics; Memory management; Semiconductor devices;
机译:DRAM制造商开发下一代内存接口
机译:用于容量可扩展的内存子系统的3.6 Gb / s点对点异构电压功能DRAM接口
机译:与过程无关的800 MB / s DRAM字节宽接口,具有命令交织和并发内存操作
机译:同步DRAM产品改进了存储系统设计
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