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A Nonvolatile 2-Mbit CBRAM Memory Core Featuring Advanced Read and Program Control

机译:具有高级读取和程序控制功能的非易失性2 Mbit CBRAM存储器内核

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摘要

A 2-Mbit CBRAM (Conductive Bridging Random Access Memory) core has been developed utilizing a 90 nm, VDD=1.5 V process technology. The presented design uses an 8F2 (0.0648 mum2) 1T1CBJ (1-Transistor/1-Conductive Bridging Junction) cell and introduces a fast feedback regulated CBJ read voltage and a novel program charge control using dummy cell bleeder devices. Random read/write cycle times les50ns are demonstrated
机译:利用90 nm,VDD = 1.5 V的处理技术开发了2 Mbit CBRAM(导电桥接随机存取存储器)内核。提出的设计使用8F2(0.0648 mum2)1T1CBJ(1-晶体管/ 1-导电桥接结)单元,并引入了快速反馈调节的CBJ读取电压和使用虚拟单元泄放器器件的新型程序充电控制。随机读取/写入周期时间为les50ns

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