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机译:6位20 GS / s SiGe BiCMOS Flash ADC不带采样保持的设计注意事项
Chair of Electronics and Circuits, Saarland University, Germany;
Capacitance; Clocks; Latches; Linearity; Quantization (signal); Resistors; Silicon germanium; Analog-to-digital converter; SiGe BiCMOS; comparator clipping; complementary A/D slice; emitter follower linearity; passive transmission line tree;
机译:采用0.13μmSiGe BiCMOS技术的8位1GS / s F&I ADC的设计
机译:在0,13μmSiGeBICMOS技术中设计8位1GS / S F&I ADC的设计
机译:用于64-Gbd 16-QAM光纤应用的55nm SiGe BiCMOS 5位时间交错闪存ADC的设计
机译:无需时间交织的SiGe双极性6位20 GS / s奈奎斯特速率闪存ADC
机译:采用65nm CMOS技术的基于时间的低功耗,低失调5位1 Gs / S闪存ADC设计
机译:抗体药物偶联物(ADC)设计和功能的抗体结构和工程考虑
机译:功耗可扩展的6位1.2Gs / s闪存aDC,具有电源开/关跟踪和保持和前置放大器