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机译:20 GHz 8位多路复用器IC,采用0.5 / spl mu / m WN / sub x // W门GaAs MESFET实现
机译:使用0.5- / spl mu / m GaAs MESFET的单片反馈低噪声X波段放大器:比较理论研究和实验特性
机译:采用0.35 / spl mu / m CMOS工艺制造的5 Gbit / s 2:1多路复用器和采用0.5 / spl mu / m CMOS工艺制造的3 Gbit / s 1:2解复用器
机译:使用多层互连结构的0.13 / spl mu / m GaAs MESFET的32 Gbit / s超动态决策IC
机译:采用0.5 / spl mu / m WNx / W栅GaAs MESFET实现的20 GHz 8b多路复用器
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:在20至70ºC的温度下0.5至20 GHz范围内的生豆和包装豆浆的介电特性
机译:使用FT = 22.9GHz Gaas mEsFET的8GHz以上静态T触发器操作
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。