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机译:隧道场效应晶体管的设计与性能分析,具有基于掩埋的Si1-XGex源结构的敏感性增强
Jamia Millia Islamia Dept Elect & Commun Engn New Delhi 110025 India;
Amity Univ Dept Elect & Commun Engn Noida 201313 India;
Jamia Millia Islamia Dept Elect & Commun Engn New Delhi 110025 India;
Logic gates; Biosensors; TFETs; Tunneling; Sensitivity; Silicon; Biology; Band to band tunneling (BTBT); biosensor; Silicon-germanium (SiGe); TFET; nanogap; TCAD; transconductance to current ratio;
机译:具有埋入应变$ hbox {Si} _ {1-x} hbox {Ge} _ {x} $源的改进的Si隧道场效应晶体管
机译:Z形栅极介质调制(DM)隧道场效应晶体管 - 基于Z型水平n +口袋的生物传感器的性能分析
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景
机译:用于提高Si1-xGex纳米线生物传感器灵敏度的氧化和结构方案研究
机译:低功率隧道场效应晶体管的混合As / Sb和拉伸应变的Ge / InGaAs异质结构
机译:基于电介质调制的L形栅极场效应晶体管的生物传感器的敏感性分析
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景