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机译:肖特基型AlGaN / GaN UV传感器的选择性欧姆接触形成使用当地故障
Kyungpook Natl Univ Sch Elect Engn Coll IT Engn Daegu 41566 South Korea;
Kyungpook Natl Univ Sch Elect Engn Coll IT Engn Daegu 41566 South Korea;
GaN; AlGaN; UV photodiode; local breakdown; Schottky electrode;
机译:利用局部击穿在肖特基型AlGaN / GaN UV传感器上形成选择性欧姆接触
机译:通过离子注入中欧姆接触的选择性区域生长来提高AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的击穿电压
机译:通过离子注入中欧姆接触的选择性区域生长来提高AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的击穿电压
机译:非对称肖特基型AlGAN金属半导体 - 金属UV-B传感器的选择性退火效果
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:多层欧姆接触对n型alGaN / GaN的TEm研究