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机译:使用氮化铟离子敏感的场效应晶体管的高灵敏度pH传感
Institute of Nanoengineering and Microsystems, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Indium nitride (InN); ion-sensitive field-effect transistor (ISFET); pH sensor; site-binding model;
机译:互补金属氧化物半导体离子敏感场效应晶体管传感器阵列,通过化学气相沉积作为离子敏感膜形成氮化硅膜
机译:Al栅极n-金属-氧化物-半导体场效应晶体管的制备与表征,片上氮化硅离子敏感型场效应晶体管
机译:使用完全透明的非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的高灵敏度离子敏感场效应晶体管传感器
机译:具有CMOS技术内在锡传感层的延伸栅极离子敏感场效应晶体管
机译:自对准后栅极磷化铟和砷化铟镓砷场效应晶体管(FET,光电)的研究。
机译:Si-纳米离子敏感场效应晶体管中聚对二甲苯H传感膜的电学特性和pH响应
机译:使用Al2O3 /六边形氮化硼氮化物用于pH感测的扩展栅极离子敏感场效应晶体管
机译:散装陷阱对Inp(磷化铟)累积型mIsFET(金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管)的影响