机译:控制在Si上生长的III-V-N组合金的结构缺陷
机译:稀III-V-N合金中固有的和补偿的缺陷微观组织的表征
机译:稀III-V-N合金中固有的和补偿的缺陷微观组织的表征
机译:通过磁共振研究在GaAs衬底上生长的GaInNP合金中的缺陷缺陷的特征
机译:MOVPE在H2和N2混合载气中生长的III-V-N合金
机译:在不匹配的锗和硅锗/硅衬底上生长的外延砷化镓材料中的缺陷的微观结构研究。
机译:分子束外延在低温下生长的n型GaAsBi合金的深层缺陷及其对光学性能的影响
机译:远程等离子体增强化学蒸气沉积(远程PECVD),年子结差报告,1990年9月1日 - 1991年9月1日生长的非晶硅合金缺陷发电的基本研究 - 1991年8月31日
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日