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机译:高功率InGaAs / GaAsP垂直腔面发射激光器及其温度特性
Laboratory of Excited State Processes, Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130021, People's Republic of China;
机译:发射波长为1.27μm的InGaAs:Sb-GaAs-GaAsP量子阱垂直腔表面发射激光器的高速调制
机译:具有InGaAs-GaAsP应变补偿量子阱的高性能1.06- / splμm/ m选择性氧化垂直腔面发射激光器
机译:大功率温度不敏感增益偏移InGaAs / GaAs垂直腔面发射激光器
机译:基于GaAs和InGaAs量子阱的垂直腔面发射激光器的激光特性
机译:高功率,高带宽,高温长波长垂直腔面发射激光器。
机译:室温2D半导体激活的垂直腔面发射激光器
机译:850 nm InGaAs / AlGaAs垂直腔面发射激光器的特性