机译:使用具有不同Ge含量的大面积Si / SiGe pn结进行热电发电
Institute for Microelectronics, TU Wien, Gusshausstrasse 27-29/E360, 1040 Wien, Austria;
机译:离子束溅射生长SiGe薄膜的外延生长及大热电的产生
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机译:通过热电为时变温度环境中的无源发电建模
机译:使用具有不同Ge含量的大面积Si / SiGe pn结进行热电发电
机译:采用高级SiGe和CMOS工艺的高功率毫米波信号生成
机译:大面积碳纳米管/燃料复合材料的结构对热电波发电的影响研究
机译:通过超控制界面在Si-Rich SiGe / Si超晶格中实现高温电力因子。