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机译:在异质外延生长的m平面GalnN量子阱中,强电荷载流子定位与广泛的非辐射重组相互作用
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4,12489 Berlin, Germany;
GaN-Bauelementtechnologie, RWTH Aachen University, SommerfeldstraBe 24, 52072 Aachen,Germany;
Institute of Solid State Physics, Technische Universitat Berlin, Hardenbergstrafie 36,10623 Berlin,Germany;
GaN-Bauelementtechnologie, RWTH Aachen University, SommerfeldstraBe 24, 52072 Aachen,Germany;
GaN-Bauelementtechnologie, RWTH Aachen University, SommerfeldstraBe 24, 52072 Aachen,Germany;
GaN-Bauelementtechnologie, RWTH Aachen University, SommerfeldstraBe 24, 52072 Aachen,Germany,AIXTRON SE, KaiserstraBe 98, 52134 Herzogenrath, Germany;
GaN-Bauelementtechnologie, RWTH Aachen University, SommerfeldstraBe 24, 52072 Aachen,Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4,12489 Berlin, Germany;
Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4,12489 Berlin, Germany,Institute of Solid State Physics, Technische Universitat Berlin, Hardenbergstrafie 36,10623 Berlin,Germany;
机译:在m平面6H-SiC上生长的m平面GalnN量子阱结构中由于各向异性面内应变而导致的大光偏振各向异性
机译:不同位错密度的GalnN / GaN多量子阱的内部量子效率和非辐射复合系数
机译:在块状GaN上生长的非极性(AI,Ga)N / GaN量子阱中的热载流子发射和非辐射复合
机译:IngaN纳米结构中的载体重组:量子点中的载体定位,通过量子局限性血迹效应载流子分离
机译:量子计算:量子点上的高保真量子门在使用强大的驱动器,数值和分析分析的1 / F充电噪声存在下的Qubbits。
机译:非极性m面InGaN / GaN发光二极管的有效载流子注入传输弛豫和复合与更强的载流子定位和低极化效应相关
机译:在块状GaN上生长的非极性(Al,Ga)N / GaN量子阱中的热载流子发射和非辐射复合。