机译:基于CdS的p-i-n二极管,采用铟和铜掺杂的CdS膜,通过脉冲激光沉积
Inst Politecn Nacl, Ctr Nanociencias & Micro & Nanotecnol, Mexico City 07738, DF, Mexico;
Ctr Invest Mat Avazados, Unidad Chihuahua, Chihuahua, Mexico;
Ctr Invest Mat Avazados, Unidad Chihuahua, Chihuahua, Mexico;
Ctr Invest Mat Avazados, Unidad Monterrey, Monterrey, Mexico;
Univ Texas Dallas, Dept Mat Sci & Engn, Richardson, TX 75083 USA;
Univ Texas Dallas, Dept Mat Sci & Engn, Richardson, TX 75083 USA;
cadmium sulfide; doping; pulsed laser deposition; p-i-n diode;
机译:脉冲激光沉积生长的未掺杂和铟掺杂的CdS膜的结构和光学特性
机译:脉冲激光沉积法制备掺CdTe的氧化铟透明导电氧化物薄膜
机译:通过脉冲激光沉积在聚醚砜(PES)基板上生长的氧化铟锡薄膜,用于有机发光二极管
机译:使用脉冲激光沉积在Mo /玻璃基板上制备铜-铟-二硫化物膜
机译:p型氟化钡铜,氟化钡铜硒,氟化钡铜碲和n型氧化锌铟宽带隙半导体的脉冲激光沉积和薄膜特性。
机译:通过单脉冲激光沉积工艺制备Y2O3掺杂氧化锆/氧化G二氧化铈双层电解质薄膜SOFC的SOFC电池。
机译:脉冲激光沉积制备的CDO掺杂TiO2薄膜的结构和光致发光性能