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顾少轩;
武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070;
PLD法; Ge-Ga-S-CdS; 硫系非晶薄膜;
机译:脉冲激光沉积的Asxte100-x(x = 40,50,60)非晶薄膜的光稳定性
机译:Se75Te25和Se75Te17Ge8非晶薄膜的脉冲激光沉积的结构表征和光学性质
机译:Ge-As-Te体系脉冲激光沉积非晶薄膜的光稳定性
机译:有机非晶薄膜和有机EL器件特性的结构控制
机译:非晶薄膜界面的化学和设备应用。
机译:Ge-As-Te体系脉冲激光沉积非晶薄膜的光稳定性测试
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机译:了解非晶薄膜Hafnia的结构 - 最终论文。
机译:结晶非晶薄膜的方法和执行相同结构的接线结构,能够使电流密度在非晶薄膜中流动
机译:电荷输送非晶薄膜的分子取向方向的控制方法及电荷输送非晶薄膜的制造方法
机译:脉冲激光沉积不含脉冲激光沉积的错开半导体纳米结构,没有播种或催化剂
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