机译:n调制掺杂的Al_(1-x)Ga_xAs-GaAs单异质结构中的层间电荷转移
Univ Wurzburg, Phys Inst, D-97074 Wurzburg, Germany;
Univ Wurzburg, Phys Inst, D-97074 Wurzburg, Germany;
Univ Wurzburg, Phys Inst, D-97074 Wurzburg, Germany;
Ruhr Univ Bochum, Lehrstuhl Angew Festkorperphys, Univ Str 150, D-44780 Bochum, Germany;
Ruhr Univ Bochum, Lehrstuhl Angew Festkorperphys, Univ Str 150, D-44780 Bochum, Germany;
photoluminescence; magnetotransport; heterostructures; 2D electron system;
机译:调制掺杂的Ga_(1-y)Al_(y)As / Ga_(1-x)Mn_(x)As / Ga_(1-y)Al_(y)中Mn间隙的费米能量依赖性形成的直接证据作为异质结构
机译:磁矩通过层间电荷转移在垂直石墨烯/ C掺杂的六方氮杂氮化物质异质结构中改变
机译:MBE生长的In_xGa_(1-x)As / In_(0.52)Al_(0.48)As调制掺杂异质结构的迁移率增强
机译:临界层厚度以下伪调制掺杂的Al_(1-x)Ga_xAs / In_yGa_(1-y)As / GaAs异质结构中InGaAs量子阱的光学诊断
机译:理解和控制范德沃斯异质结构中的层间电荷转移
机译:WS2-石墨烯异质结构中层间电荷转移跃迁产生的光载流子
机译:栅极可调谐高迁移率远程掺杂Insb / In_ {1-x} al_ {x} sb量子 良好的异质结构