机译:使用线隧道FET器件设计的差分对电路在不同温度下的性能
Univ Sao Paulo, PSI, LSI, Sao Paulo, Brazil;
Univ Sao Paulo, PSI, LSI, Sao Paulo, Brazil;
Univ Sao Paulo, PSI, LSI, Sao Paulo, Brazil;
IMEC, Leuven, Belgium;
IMEC, Leuven, Belgium;
IMEC, Leuven, Belgium;
Katholieke Univ Leuven, EE Dept, Leuven, Belgium;
differential pair; analog performance; FinFET; Line MET; Point MET;
机译:温度变化对隧道FET器件和电路性能的影响:仿真研究
机译:隧道FET器件和电路设计与优化的见解
机译:超低压数字VLSI电路的隧道FET:第一部分—器件级的器件-电路相互作用和评估
机译:使用线隧道FET器件设计的差分对的实验分析
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:分析脑电路的动力学与温度:一个微型热电装置的设计和实施
机译:不同温度下线隧道FET器件设计电流镜电路的分析