机译:不同氧交换层对基于TaO_x的RRAM器件的影响
SUNY Albany, Polytech Inst, Albany, NY 12222 USA;
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RRAM; oxygen exchange layer (OEL); SET-RESET; electronegativity; forming voltage; R-off; R-on;
机译:基于双层TaO_x的RRAM中用于多级电阻的脉冲宽度和高度调制
机译:不同氧含量下Pt / TaO_x / TiN RRAM的稳定电阻切换行为
机译:通过基于HfO_2的RRAM器件中的Al_2O_3层包含改善了电阻切换特性
机译:氧气谱对基于Bilayer Tao_x / Tao_y的RS特征的影响
机译:用于存储应用的基于丝的电阻开关RRAM器件
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:神经形态计算:氧气工程定制基于氧化钇的RRAM器件中的开关动力学:从数字到模拟交换的多级量化(ADV。电子。Matter。11/2020)