机译:DMOS晶体管双扩散沟道直流漏电流-电压关系的解析模型
机译:具有法拉第屏蔽的RF LDMOS功率晶体管的漏源击穿电压分析模型
机译:基于频道电位的表面电位模型和基于基于DC通道 - 基于DC通道 - 基于直流通道的漏极电流模型,用于全耗尽的多Si薄膜晶体管,包括散装中的尾部和深度受体的陷阱状态
机译:纳米级无结晶体管通过源/漏重叠和沟道厚度工程控制短沟道效应的分析模型
机译:基于Landau理论的长沟道双栅负电容无结晶体管的分析漏电流模型
机译:基于物理的预测横向DMOS晶体管模型和电路仿真器,用于智能功率IC设计。
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:N沟道EΔDCMOS晶体管的通道长度波动引起的漏极电流局部变化的统一模型
机译:短沟道场效应晶体管的电流 - 电压特性。