机译:AlGaN / AIN MOVPE异质外延:脉冲共掺杂SiH_4和TMin
Sivas Cumhuriyet Univ Nanophoton Res & Applicat Ctr Dept Nanotechnol Engn TR-58140 Sivas Turkey;
Ataturk Univ Dept Phys Fac Sci TR-25250 Erzurum Turkey;
Ataturk Univ East Anatolia High Technol Applicat & Res Ctr TR-25240 Erzurum Turkey;
Northwestern Univ Dept Elect Engn & Comp Sci Ctr Quantum Devices Evanston IL 60208 USA;
AlGaN; metal organic vapor phase epitaxy; SEM; AFM; overgrown; hillock;
机译:在4H-SiC衬底上的异质结构AlGaN / AIN / GaN。用于HEMT晶体管技术的LP MOVPE
机译:在理想脉冲选择性和非选择性激发条件下通过光致发光光谱研究的AIN基材上生长的基于265nm的深紫外发光二极管
机译:通过预介绍Tmin改善IngaN生长质量的MOVPE方法
机译:使用薄的中温AIN缓冲层改善流量调制MOVPE生长AIN的表面形态
机译:Ag / Al共掺杂方法对热壁脉冲激光沉积合成p型ZnO纳米线的影响
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:经受高电流脉冲的蓝色alGaN / InGaN / GaN LED的劣化